7710143 光回路

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-07-10

(45)【発行日】2025-07-18

(54)【発明の名称】光回路

(51)【国際特許分類】

   H04B 10/50 20130101AFI20250711BHJP

【ＦＩ】

H04B10/50

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2023565744

(86)(22)【出願日】2021-12-07

(86)【国際出願番号】 JP2021044968

(87)【国際公開番号】W WO2023105642

(87)【国際公開日】2023-06-15

【審査請求日】2024-04-04

(73)【特許権者】

【識別番号】000004226

【氏名又は名称】ＮＴＴ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001243

【氏名又は名称】弁理士法人谷・阿部特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】金澤 慈

(72)【発明者】

【氏名】進藤 隆彦

(72)【発明者】

【氏名】陳 明晨

(72)【発明者】

【氏名】小菅 祥平

【審査官】麻生 哲朗

(56)【参考文献】

【文献】特開平７－１９３５３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－３３３８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】KANAZAWA, Shigeru et al.，56-Gbaud 4-PAM (112-Gbit/s) operation of flip-chip interconnection lumped-electrode EADFB laser modu，2016 Optical Fiber Communications Conference and Exhibition (OFC)，IEEE，2016年03月20日，pages.1-3

【文献】KANAZAWA, Shigeru et al.，High Output Power SOA Assisted Extended Reach EADFB Laser (AXEL) TOSA for 400-Gbit/s 40-km Fiber-Amp，Journal of Lightwave Technology，IEEE，2020年10月29日，Vol.39, Issue.4，pages.1089-1095

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０４Ｂ １０／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

外部からの高周波電気信号を受ける配線板と、
光変調器を含む光源チップと、
前記配線板および前記光源チップを搭載するサブキャリアと、
第１の面に、前記配線板の信号線および前記光源チップの変調入力端子との間を接続する伝送路を有し、当該伝送路の変調入力側の一端に終端抵抗器を有する、接続基板と
を備え、
前記接続基板に、前記終端抵抗器に直列にグランドへ接続されたキャパシタをさらに備えた光回路。

【請求項2】

前記キャパシタは、高インピーダンス線路を介して、前記終端抵抗器と同一の前記第１の面に搭載されている請求項１に記載の光回路。

【請求項3】

前記キャパシタは、前記終端抵抗器から前記接続基板の側面を経て前記第１の面と反対側の第２の面に延びた高インピーダンス線路を介して接続され、前記第２の面に搭載されている請求項１に記載の光回路。

【請求項4】

前記光源チップはＩｎＰ基板を用いており、
前記接続基板の材質は窒化アルミであって、厚みが０．１５ｍｍ以上である請求項１乃至３いずれかに記載の光回路。

【請求項5】

前記光源チップは、電界吸収型光変調器またはマッハツェンダー干渉型光変調器である請求項１乃至４いずれかに記載の光回路。

【請求項6】

前記信号線と前記伝送路との間、および、前記伝送路と前記変調入力端子との間は、それぞれバンプにより接続されている請求項１乃至５いずれかに記載の光回路。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ネットワークで使用される装置に関する。具体的には、高速イーサネット等に利用可能な光回路に関する。

【背景技術】

【0002】

近年のモバイル、クラウドサービスの普及に伴う旺盛な帯域需要に対応するため、ネットワークの高速大容量化の検討が活発である。無線通信は５Ｇの時代を迎え、広く利用されているイーサネットの伝送速度は既に４００Ｇｂｐｓが実用化され、Beyond４００Ｇイーサネットも検討されている。光ファイバ伝送のための光送受信モジュールなどの光回路では、性能向上、小型化およびコストダウンが求められている。

【0003】

イーサネット規格では、小型化されたトランシーバ（光送受信器）が標準化されており、光変調器を含む光回路が重要なデバイスとなっている。光送信器を高速伝送に適合させるため、高速動作に適した実装構造として、光チップおよび高周波信号基板を含むフリップチップ実装が提案されている。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0004】

【文献】S. kanazawa et. al., “Flip-Chip Interconnection Lumped-Electrode EADFB Laser for 100-Gb/s/λ Transmitter,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 27, no. 16, pp. 1699-1701, 2015

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

従来技術のフリップチップ実装を利用した、光変調器を含む光回路では、バイアス電圧印可のために必要なキャパシタの実装が、光回路の小型化や信頼性の上で問題であった。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の１つの実施態様は、外部からの高周波電気信号を受ける配線板と、光変調器を含む光源チップと、前記配線板および前記光源チップを搭載するサブキャリアと、第１の面に、前記配線板の信号線および前記光源チップの変調入力端子との間を接続する伝送路を有し、当該伝送路の変調入力側の一端に終端抵抗器を有する、接続基板とを備え、前記接続基板に、前記終端抵抗器に直列にグランドへ接続されたキャパシタをさらに備えた光回路である。

【発明の効果】

【0007】

高速動作に適し、小型化および高信頼性化された光変調器を含む光回路を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】光変調光源チップを含む従来技術のサブアセンブリの構成を示す図である。

【図2】光変調光源チップを含む実施例１の光回路の構成を示す図である。

【図3】本開示の光回路における接続基板の構成をより詳細に説明する図である。

【図4】実施例１と従来技術の光回路で変調周波数特性を比較して示した図である。

【図5】異なる基板厚さの接続基板を持つ光回路の変調周波数特性を示す図である。

【図6】光変調器チップと別の接続基板を含む実施例２の光回路を示す図である。

【図7】実施例２と従来技術の光回路で変調周波数特性を比較して示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本開示の光回路は、光変調器を含む光チップ、高周波電気信号を供給する配線板、これら間を接続する接続基板を備えた光回路で、バイアス電圧を遮断するためのキャパシタの新規な実装形態を提供する。以下の説明では、まず従来技術のフリップチップ実装の構造による光回路における、キャパシタの実装上の問題について述べる。次に、本開示の光変調器を含む光回路における、キャパシタ実装のための新規な構成について説明する。

【0010】

図１は、光変調光源チップを含む、従来技術の光回路の構成を示す図である。図１の光回路１は、イーサネットにおいて標準化されているトランシーバに搭載可能なモジュール形態の部品であって、電界吸収型光変調器集積レーザ（ＥＭＬ: Electro-absorption Modulator integrated with DFB Laser）である光変調光源チップ４０を含む。サブキャリア１０の上に、配線板２０および光変調光源チップ４０が搭載され、配線板２０および光変調光源チップ４０は接続基板３０によって接続されている。

【0011】

図１では、（ａ）に光回路１の全体の上面図（ｘ－ｙ面）を、（ｃ）に光回路１をＣ－Ｃ´線で切った断面図（ｘ－ｚ面）を、（ｂ）に光回路１に搭載されている接続基板３０の裏面（ｘ－ｙ面）を示した。図１の（ａ）は、光変調光源チップ４０との接続形態を示すため、接続基板３０との間にある４つの金バンプおよび接続基板３０の外形（２点鎖線）のみ示している。実際の光回路１では、図１の（ａ）の上面図における接続基板３０は、伝送路の形式に応じて、基板面またはグランド面だけが見えていることに注意されたい。

【0012】

光変調光源チップ４０は、光半導体に構成された光導波路構造４２を利用したレーザ部と、電界吸収型光変調器部を備えている。変調信号である高周波電気信号が、配線板２０、接続基板３０を経由して、光変調光源チップ４０の変調電極４１に対して供給される。配線板２０は、基板上に構成された信号線２１およびその両側のグランド面２２ａ、２２ｂを含み、伝送路を構成する。配線板２０は、外部からの高周波電気信号を受け入れ、損失無く伝送する、高周波配線板として機能する。

【0013】

図１の（ｂ）を参照すれば、接続基板３０は、金バンプによって接続される側の面（接続面）上に、伝送路３１およびその周囲を囲むグランド面３５を含む。伝送路としてコプレーナ線路を用いる場合、接続面の反対側、すなわち図１の（ａ）の上面は、基板材料がそのまま現れた状態となる。伝送路としてグランデッドコプレーナ線路を用いる場合、接続面の反対側は、グランド面となる。

【0014】

伝送路３１の一方の端部で、金バンプ３２ａを介して、配線板２０の信号線２１に接続される。また、伝送路３１の他方の端部で、金バンプ３２ｂを介して、光変調光源チップ４０の変調入力電極４１に接続される。高周波電気信号である変調信号は、図１の（ａ）の上方の、光回路１の外部から、配線板２０の信号線２１および接続基板３０の伝送路３１を経由して、矢印の向きで、変調入力電極４１へ入力される。また、配線板２０および接続基板３０のグランド面間も、金バンプ３２ａの両側において、２つの金バンプによって電気的・機構的に接続される。向かい合わせの接続基板３０とバンプを利用して、異なる２つの基板間２０、４０を電気的・構造的に接続するこのような実装形態は、フリップチップ実装として知られている。接続基板３０を用いたフリップチップ実装による構造は、配線板２０と光変調光源チップ４０との間の接続にワイヤを必要としないため、光変調特性の広帯域化に役立つ。

【0015】

しかしながら、図１の光変調光源チップ４０を含む従来技術の光回路では、効率的な動作のために本来は必要なバイアス電圧遮断用のキャパシタが省略され、簡素化された回路構成となっていた。図１の（ｂ）を再び参照すれば、接続基板３０の伝送路３１の変調入力電極４１側の端部には、変調入力端子に対して並列回路となるように、グランド面３５との間に終端抵抗器３４が実装されている。通常、光変調光源チップ４０の変調入力端子４１にはバイアス電圧を印可する必要がある。光変調光源チップ４０にバイアス電圧を印可すると、終端抵抗器３４にも同時にバイアス電圧が印可されるため、終端抵抗器３４を通って流れる直流電流分だけ、光回路の消費電力は定常的に増えてしまう。

【0016】

通常は、電気回路におけるバイアス電圧による直流電力消費を抑えるためには、直流遮断用のキャパシタによってバイアス経路を直流的に遮断すれば良い。具体的には、サブキャリア１０上にキャパシタを搭載して終端抵抗器３４とキャパシタをワイヤボンディング等で電気的に接続し、終端抵抗器３４に流れる電流を遮断できる。しかしながら、光変調光源チップを含む光回路においては既に非常に小型化が進んでおり、サブキャリア１０上での空きスペースは既に限られている。キャパシタを搭載するための場所をサブキャリア上に確保すれば、サブアセンブリとしての光回路のサイズが増えてしまい、光回路の小型化の要請に逆行することになる。また、キャパシタとの接続のために接続基板３０に直接ワイヤボンディングを行う工程は、ボンディングツールによる物理的な衝撃によって、接続基板３０と金バンプ３２ａ、３２ｂとの接続が破断する問題が生じる。

【0017】

以下に説明する本開示の光回路は、上述の光変調回路における直流消費電力を抑えるとともに、小型化と信頼性の要請も同時に満たす、新規なキャパシタの実装構造を提供する。本開示の光回路では、直流遮断用のキャパシタを接続基板上に搭載する。この構成により、キャパシタおよび終端抵抗器の間をワイヤボンディング等で接続する必要がなく、金バンプを介した電気接続の破損も起こらない。

【0018】

図２は、光変調光源チップを含む本開示の光回路の構成を示す図である。図２の光回路１００は、例えばイーサネットのトランシーバ、光送信装置などの基板上に搭載可能なサブアセンブリの形態を持っている。図２では、（ａ）に光回路１００全体の上面図（ｘ－ｙ面）を、（ｃ）に光回路１００をＣ－Ｃ´線で切った断面図（ｘ－ｚ面）を、（ｂ）に光回路上に搭載されている接続基板５０の裏面（ｘ－ｙ面）を示した。光回路１００は、図１に示した従来技術の光回路１と同様に、サブキャリア１０の上に、配線板２０および光変調光源チップ４０が搭載されている。配線板２０および光変調光源チップ４０が、接続基板５０によって接続され、光回路１００の外部から高周波電気信号が変調入力電極４１へ入力される点も、光回路１と同様である。また配線板２０、接続基板５０を経由して光源チップ４０へ至る伝送路（信号線）およびグランドにおける相互の接続形態も、図１と同じである。

【0019】

図１に示した従来技術構造の光回路１との相違点は、図２の（ｂ）および（ｃ）に示した接続基板５０の構成にある。接続基板５０は、金バンプ５２ａ、５２ｂ、５３によって２つの基板２０、４０と接続される第１の面に、終端抵抗器５４を備える。終端抵抗器４３の一方の電極は、伝送路５１の変調入力電極４１側の端部に接続されている。終端抵抗器５４の他方の電極は、高インピーダンス線路５５ａに接続されている。高インピーダンス線路５５ａは、接続基板５０の側面を経て、第１の面の裏面である第２の面上に続いており形成されており、キャパシタ５７に接続されている。

【0020】

図３は、本開示の光回路における接続基板の構成をより詳細に説明する図である。図３の（ａ）は、接続基板５０の第２の面の上面図（ｘ－ｙ面）を、（ｂ）は接続基板５０の第１の面（接続面）（ｘ－ｙ面）を、（ｃ）は接続基板の短い辺の側面を（ｙ－ｚ面）示している。図３の（ｂ）を参照すれば、伝送路５１の変調入力電極４１側の端部において終端抵抗器５４の一方の電極が接続されている。終端抵抗器５４の他方の電極には、伝送路５１と比べ両側のグランド面までの距離が大きくなっている高インピーダンス線路５５ａが接続されている。高インピーダンス線路５５ａは、（ｃ）に示した側面で高インピーダンス線路５５ｂへ、さらに（ｂ）に示した第２の面の高インピーダンス線路５５ｃへと延びてキャパシタの電極パッドと繋がっている。接続基板５０の第２の面上にキャパシタ５７が搭載されており、一方の電極パッドはグランドに接続されている。

【0021】

上述の接続基板５０において、終端抵抗器５４、高インピーダンス線路５５ａ～５５ｃ、キャパシタ５７は直列に接続されており、電気回路として、この直列回路が変調入力端子とグランドとの間に挿入されている。この構成とすることで、光変調光源チップ４０にバイアス電圧を印可した際に、終端抵抗器５４に直列なキャパシタ５７によって、電流を遮断することが可能となる。終端抵抗器を流れるバイアス電流による直流電力消費を抑えることができる。また、接続基板５０上にキャパシタ５７を搭載するため、キャパシタ５７および終端抵抗器５４をワイヤボンディング等で接続する必要が無い。ボインディングツールによる衝撃で、金バンプを介した形成された電気接続部の破損も起こらない。

【0022】

上述の接続基板の構成のさらなる特徴は、終端抵抗器５４とキャパシタ５７の間に高インピーダンス線路５５ａ～５５ｃが配置されているところである。高インピーダンス線路５５ａ～５５ｃは、グランド面との距離が大きくとられており、伝送路５１および光回路１００の特性インピーダンスよりも高いインピーダンスを持つ。したがって、インダクティブな線路とキャパシタ５７との間で直列共振を生じ、これにより変調周波数応答特性に所望のピーキングを発生させることができる。キャパシタ５７および高インピーダンス線路５５ａ～５５ｃは、接続基板５０において三次元的に配置が可能となり、光回路の小型化にも寄与できる。

【0023】

したがって本開示の光回路は、外部からの高周波電気信号を受ける配線板と、光変調器を含む光源チップと、前記配線板および前記光源チップを搭載するサブキャリアと、第１の面に、前記配線板の信号線および前記光源チップの変調入力端子との間を接続する伝送路を有し、当該伝送路の変調入力側の一端に終端抵抗器を有する、接続基板とを備え、前記接続基板に、前記終端抵抗器に直列にグランドへ接続されたキャパシタをさらに備えた光回路として実施できる。

【0024】

接続基板５０は、一般的に変調光源チップ４０で用いられるＩｎＰ基板の熱膨張係数と同じ値を有する窒化アルミを用いている。このため、環境温度変動によって生じる応力がチップの接続部に掛からない構造となっている。以下、本開示の光回路の実施例１として、具体的な構成例を示す。

【実施例1】

【0025】

図２および図３に示した接続基板の構造に従って、光変調光源チップ（光源チップ）を含む実施例１の光回路を作成した。この光回路１００は、図３に詳細を示した接続基板５０を有し、例えばイーサネットのトランシーバなどの基板上に搭載可能なサブアセンブリの形態を持っている。光変調光源チップ４０は、光導波路構造を含む光半導体変調器を集積した電界吸収型光変調器集積レーザとし、電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器）の電極長は７５μｍとした。光変調光源チップ４０はＩｎＰ基板を用いている。接続基板の材質は窒化アルミとし、接続基板３０の伝送路３１の幅を０．０８ｍｍとし、伝送路３１の長さ方向に沿った中心線からグラウンド電極３５まで距離ｄを０．０８ｍｍとした。接続基板３０の厚さＴは、伝送路３１の特性インピーダンスが５０Ωの場合に、特性インピーダンスに影響を与えない様に、０．１５ｍｍ以上とした。

【0026】

搭載したキャパシタ５７の静電容量は１００ｎＦとした。変調特性を比較するために、図１に示した従来技術の構成による光回路も作成した。光変調光源チップ４０のレーザ部のバイアス電流を８０ｍＡ、ＥＡ変調器のバイアス電圧を－１．４Ｖとした。作成したすべての光回路において、接続基板５０と、配線板２０および光変調光源チップ４０との間の接続に使用する金バンプ３２ａ、３２ｂ、３３の構成は、直径を６０μｍ、高さを３０μｍとした。

【0027】

図４は、実施例１と従来技術の各構成の光回路で変調周波数特性を比較して示した図である。横軸に変調周波数（ＧＨｚ）を、縦軸に変調出力特性の周波数応答を直流付近でのレベルで規格化してｄＢで示した。従来技術構成による光回路では、３ｄＢ帯域が５４ＧＨｚであったのに対して、実施例１の構成による光回路でも５４ＧＨｚの同等の３ｄＢ帯域が得られた。加えて、実施例１の構成による変調周波数特性では、従来技術の構成の場合よりもピーキングレベルを最大１ｄＢ大きくとれている。従来型の光回路では、ＥＡバイアスの電流値が－３９ｍＡ、全体消費電力は０．０５４６Ｗであったのに対して、実施例１の光回路ではＥＡバイアス電流が－１１ｍＡ、全体消費電力は０．０１５４Ｗであった。従来技術のキャパシタを省略した場合と比べ、消費電力を１／３以下に減らすことができた。

【0028】

図４の変調周波数特性より、実施例１の構成の光回路は、従来技術の構成とほぼ同程度の帯域幅と、より大きなピーキングを得ることができており、光変調光源の広帯域化に有効であることが確認できた。また、サブキャリア上にキャパシタを搭載しないため光回路の小型化の傾向に合致しており、かつ消費電力を抑制するためにも有用である。次の実施例２では、ＥＡ変調器の代わりに、マッハツェンダー光干渉型変調器（ＭＺ変調器）を含む別の光源チップを含む光回路に対して、接続基板上にキャパシタを搭載した別の構成例を示す。

【実施例2】

【0029】

図５は、光変調光源チップを含む本開示の光回路の実施例２の構成を示す図である。実施例２の光回路は、例えばイーサネットのトランシーバ内や光送信装置などのパッケージ上に搭載可能なサブアセンブリ２００の形態を持っている。図５では、（ａ）に光回路２００の全体の上面図（ｘ－ｙ面）を、（ｃ）に光回路２００をＣ－Ｃ´線で切った断面図（ｘ－ｚ面）を、（ｂ）に光回路２００上に搭載されているキャパシタが実装された接続基板６０の裏面（ｘ－ｙ面）を示した。実施例２の光回路２００は、実施例１の光変調光源チップ４０の代わりに、光源を含まずにマッハツェンダー光干渉型変調器（ＭＺ変調器）５３のみを含む光変調器チップ（光源チップ）５０としている。

【0030】

光変調器チップ５０に構成されたＭＺ変調器５３は、図５の（ｃ）の断面図からも分かるように、２本のアーム導波路構造を持っている。一方のアーム導波路上に、高周波電気信号の入力端子である変調入力電極５２（Ｐ側電極）が、他方のアーム導波路上に、位相調整用のＰ側電極５１が、それぞれ構成されている。

【0031】

サブキャリア１０に搭載された配線板２０および光変調器チップ５０が、接続基板６０によって接続され、光回路２００の外部から高周波電気信号が変調入力電極５２へ入力される。配線板２０、接続基板６０を経由して光変調器チップ５０へ至る伝送路（信号線）およびグランドの基板、チップにおける接続形態は、実施例１と同様である。

【0032】

図３に示したように実施例１の接続基板５０では、キャパシタ５７は、伝送路が形成された第１の面（接続面）とは反対側の第２の面に搭載されていた。実施例２では実施例１と異なり、接続基板６０のキャパシタ６６は、金バンプ６２ａ、６２ｂ、６３によって配線板２０および光変調器チップ５０と接続される第１の面（接続面）に搭載されている。

【0033】

接続基板６０では、終端抵抗器６４、高インピーダンス線路６５、キャパシタ６６は直列に接続されており、電気回路として、この直列回路が変調入力端子とグランドとの間に挿入されている。このような構成とすることで、光変調器チップ５０にバイアス電圧を印可した際に、終端抵抗器６４に直列なキャパシタ６６によって、バイアス電流を遮断することが可能となる。

【0034】

実施例２の光回路の変調周波数特性を従来技術の構成と対比するため、図１に示したようにキャパシタを省略した従来技術構成の光変調器チップを用いた光回路を作成した。図６は、ＭＺ変調器を用いた従来技術構成の光回路の構成を示した図である。図６では、（ａ）に光回路２の全体の上面図（ｘ－ｙ面）を、（ｃ）に光回路をＣ－Ｃ´線で切った断面図（ｘ－ｚ面）を、（ｂ）に光回路上に搭載されている接続基板３０の裏面（ｘ－ｙ面）を示した。図５の実施例２の構成と比較して、接続基板３０では終端抵抗器３４は、グランド３５に直接接続されており、変調入力電極５２に印可されるバイアス電圧により終端抵抗器３４を経由して電流が定常的に流れる。

【0035】

図５および図６の光変調器チップ５０は、マッハツェンダー変調器（ＭＺ変調器）とし、ＭＺ変調器の電極長を１００μｍとした。光変調器チップ５０はＩｎＰ基板を用いている。図５の実施例２の光回路で搭載したキャパシタ６６の容量は１０ｎＦとした。図５および図６の光変調器チップ５０への入力光パワーを＋８ｄＢｍ、ＭＺ変調器のバイアス電圧を－１．５Ｖとした。

【0036】

接続基板６０の材質は窒化アルミとし、接続基板６０の伝送路３１の幅を０．０８ｍｍとし、伝送路６１の長さ方向に沿った中心線からグラウンド電極３５まで距離ｄを０．０８ｍｍとした。接続基板６０の厚さＴは、伝送路６１の特性インピーダンスが５０Ωの場合として、特性インピーダンスに影響を与えない様に、０．１５ｍｍ以上とした。

【0037】

図７は、実施例２と従来技術の各構成の光回路で変調周波数特性を比較して示した図である。横軸に変調周波数（ＧＨｚ）を、縦軸に変調出力特性の周波数応答を直流付近でのレベルで規格化してｄＢで示した。図６に示した従来技術構成の光回路２では、３ｄＢ帯域が５７ＧＨｚであったのに対して、図５に示した実施例２の構成による光回路２００でも、５７ＧＨｚの同等の３ｄＢ帯域が得られた。加えて、実施例２の構成の光回路２００による変調周波数特性では、従来技術の構成の場合よりもピーキングレベルを１ｄＢ以上大きくとれている。

【0038】

従来技術構成の光回路２では、ＭＺ変調器のバイアスの電流値が－３５ｍＡ、全体消費電力は０．０５２５Ｗであったのに対して、実施例２の光回路２００ではＭＺ変調器のバイアス電流が－５ｍＡ、全体消費電力は０．００７５Ｗであった。従来技術のキャパシタを省略した構成の光回路の場合と比べ、バイアス電流による消費電力を１／７に減らすことができた。

【0039】

図７の変調周波数特性より、実施例２の構成の光回路でも、従来技術の構成とほぼ同程度の帯域幅と、より大きなピーキングを得ることができており、光変調光源の広帯域化に有効であることが確認できた。また、サブキャリア上にキャパシタを搭載しないため光回路の小型化の傾向に合致しており、かつ消費電力を抑制することもできる。

【0040】

以上に述べたように本開示の光回路によって、高速動作に適し、小型化および高信頼性化された光変調器を含む光回路を実現する。

【産業上の利用可能性】

【0041】

本発明は、光通信のためのネットワーク装置に利用できる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】