特許 7750313 電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-09-29

(45)【発行日】2025-10-07

(54)【発明の名称】電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/40 20060101AFI20250930BHJP

   H01F 27/00 20060101ALI20250930BHJP

   H03H 7/01 20060101ALI20250930BHJP

【ＦＩ】

H01G4/40 321A

H01F27/00 S

H03H7/01 A

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2023578491

(86)(22)【出願日】2023-01-24

(86)【国際出願番号】 JP2023002074

(87)【国際公開番号】W WO2023149279

(87)【国際公開日】2023-08-10

【審査請求日】2024-04-03

(31)【優先権主張番号】P 2022016416

(32)【優先日】2022-02-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】立花 真也

【審査官】田中 晃洋

(56)【参考文献】

【文献】特開平０５－３０８０２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／０６４１３３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－１１１７９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／００３７２３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】実開平０３－０３９８２４（ＪＰ，Ｕ）

【文献】特開２０１１－１２４８８０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ ４／４０

Ｈ０１Ｆ ２７／００

Ｈ０３Ｈ ７／０１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに対向する１対の主面と前記主面間を結ぶ側面とを有する絶縁体と、
前記絶縁体内において少なくとも１つの第１導体パターンにより構成された第１インダクタと、
前記絶縁体内において少なくとも１つの第２導体パターンにより構成された第２インダクタと、
前記主面のうち一方の面側から平面視した場合に、前記第１導体パターンの一部と重なる前記絶縁体内の位置に設けられるキャパシタと、
前記第１インダクタと電気的に接続される第１外部電極と、
前記キャパシタと電気的に接続され、前記絶縁体の対向する前記側面のそれぞれに設けられる第２外部電極と、を備え、
前記第１インダクタおよび前記キャパシタは、ＬＣ直列回路を構成し、
前記第２インダクタは、前記ＬＣ直列回路に対して並列接続して、前記第１インダクタと磁気結合し、
前記キャパシタは、
前記第１インダクタと電気的に接続される第１電極パターンと、
各々の前記第２外部電極と少なくとも１つの配線パターンで電気的に接続される第２電極パターンと、を含み、
少なくとも１つの前記配線パターンは前記第１導体パターンの一部と平行である、電子部品。

【請求項2】

前記キャパシタの前記第２電極パターンと各々の前記第２外部電極とは、直線状に並んだ２つの前記配線パターンで電気的に接続されている、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記主面のうち一方の面側から平面視した場合に、前記キャパシタと重なる前記第１導体パターンの一部は、前記第２外部電極が対向する前記絶縁体の一辺と平行である、請求項１または請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記配線パターンは、前記主面のうち一方の面側から平面視した場合に、前記第１導体パターンと一部重なる、請求項１または請求項２に記載の電子部品。

【請求項5】

各々の前記第２外部電極は、同電位である、請求項１または請求項２に記載の電子部品。

【請求項6】

前記主面に垂直方向に前記キャパシタ、前記第１インダクタ、前記第２インダクタの順に積層されている、請求項１または請求項２に記載の電子部品。

【請求項7】

前記第２外部電極は、前記側面のうち対向する第１側面および第２側面と、前記第１側面と前記第２側面とに挟まれる第３側面とに形成され、
２つ以上の形成された前記配線パターンのうち１つの前記配線パターンが、前記第３側面の前記第２外部電極と電気的に接続される、請求項１に記載の電子部品。

【請求項8】

前記キャパシタと前記第１インダクタとの積層方向の距離は、前記第１インダクタと前記第２インダクタの積層方向の距離よりも長い、請求項７に記載の電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

複数の絶縁体層を積層した絶縁体の内部にインダクタ（コイル）とキャパシタ（コンデンサ）とを設け、一体化したフィルタ装置である電子部品が知られている。フィルタ装置の一例として、特開２０１３－２１４４９号公報（特許文献１）には、外部電極を形成した絶縁体に、インダクタ、およびキャパシタを内蔵するフィルタ装置が記載されている。当該フィルタ装置では、絶縁体を天面側から平面視した場合に、キャパシタの上にインダクタが積層されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－２１４４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

フィルタ装置を小型部品で実現する場合、絶縁体の外枠いっぱいにインダクタの導体パターンを形成して設計値のインダクタンス値を確保する必要があるので絶縁体の側面に外部電極を形成し、インダクタのパターンやキャパシタのパターンと側面の外部電極とを配線パターンで接続する。このとき、キャパシタと外部電極とを接続する配線パターンに寄生インダクタンス（等価直列インダクタンス（ESL：Equivalent Series Inductance））が生じる。フィルタ装置では、生じた寄生インダクタンスによりフィルタ特性が設計値からずれる虞があった。

【0005】

そこで、本開示の目的は、寄生インダクタンスの影響を小さくすることができる電子部品を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一形態に係る電子部品は、絶縁体と、第１インダクタと、第２インダクタと、キャパシタと、第１外部電極と、第２外部電極と、を備える。絶縁体は、互いに対向する１対の主面と主面間を結ぶ側面とを有する。第１インダクタは、絶縁体内において少なくとも１つの第１導体パターンにより構成される。第２インダクタは、絶縁体内において少なくとも１つの第２導体パターンにより構成される。キャパシタは、主面のうち一方の面側から平面視した場合に、第１導体パターンの一部と重なる絶縁体内の位置に設けられる。第１外部電極は、第１インダクタと電気的に接続される。第２外部電極は、キャパシタと電気的に接続され、前記絶縁体の対向する前記側面のそれぞれに設けられる。第１インダクタおよびキャパシタは、ＬＣ直列回路を構成する。第２インダクタは、ＬＣ直列回路に対して並列接続して、第１インダクタと磁気結合する。キャパシタは、第１インダクタと電気的に接続される第１電極パターンと、各々の第２外部電極と少なくとも１つの配線パターンで電気的に接続される第２電極パターンと、を含み、少なくとも１つの配線パターンは第１導体パターンの一部と平行である。

【発明の効果】

【0007】

本開示の一形態によれば、キャパシタが第１導体パターンの一部と重なる絶縁体内の位置に設けられ、キャパシタの第２電極パターンが、各々の第２外部電極と少なくとも１つの配線パターンで電気的に接続されるので、寄生インダクタンスの影響を小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施の形態１に係るフィルタ装置の斜視図である。

【図2】実施の形態１に係るフィルタ装置の回路図である。

【図3】実施の形態１に係るフィルタ装置の構成を示す分解平面図である。

【図4】実施の形態１に係るフィルタ装置の構成において一方の方向に積みズレが生じた場合の分解平面図である。

【図5】実施の形態１に係るフィルタ装置の構成において他方の方向に積みズレが生じた場合の分解平面図である。

【図6】実施の形態１に係るフィルタ装置の変形例の構成を示す分解平面図である。

【図7】実施の形態１に係るフィルタ装置の別の変形例の構成を示す分解平面図である。

【図8】実施の形態２に係るフィルタ装置の斜視図である。

【図9】実施の形態２に係るフィルタ装置の回路図である。

【図10】実施の形態２に係るフィルタ装置の構成を示す分解平面図である。

【図11】実施の形態２に係るフィルタ装置の変形例の構成を示す分解平面図である。

【図12】実施の形態２に係るフィルタ装置の別の変形例の構成を示す断面図である。

【図13】変形例１に係るフィルタ装置の構成を示す分解平面図である。

【図14】変形例２に係るフィルタ装置の構成を示す分解平面図である。

【図15】変形例３に係るフィルタ装置の構成を示す分解平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、実施の形態に係る電子部品の一例としてフィルタ装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。また、実施の形態に係る電子部品は、フィルタ装置に限定されない。

【0010】

（実施の形態１）
［フィルタ装置の構造］
まず、実施の形態１に係るフィルタ装置について図面を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１に係るフィルタ装置１００の斜視図である。ここで、図１では、フィルタ装置１００の短辺方向をＸ方向、長辺方向をＹ方向、高さ方向をＺ方向としている。

【0011】

フィルタ装置１００は、１つのインダクタと１つのキャパシタとをＺ方向に積層した直方体状のチップ部品である。フィルタ装置１００は、図１に示すようにインダクタＬの導体パターンおよびキャパシタＣの電極パターンを形成した絶縁基板（絶縁体層）が複数枚積層された絶縁体３で構成される。なお、絶縁基板の積層方向はＺ方向で、矢印の向きが上層方向を示している。また、絶縁基板は、例えば、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁材料や、アルミナ、ジルコニア、ポリイミド樹脂等の絶縁樹脂などの材料からなる。さらに、絶縁体３は、焼成や硬化等の処理によって、複数の絶縁基板の界面が明確となっていない場合がある。

【0012】

また、フィルタ装置１００は、Ｙ方向に２箇所、図１に示すような外部電極４ａ（第１外部電極）、および外部電極４ｂ（第２外部電極）が絶縁体３に形成されている。なお、絶縁体３は、互いに対向する１対の主面を有しており、図１の下側の主面が実装面であり、この面が回路基板に対向する。本実施の形態１では、図１の下側の主面を底面、図１の上側の主面を天面ともいう。

【0013】

外部電極４ａおよび外部電極４ｂは、絶縁体３の底面だけに電極パターンが形成されているだけでなく、絶縁体３の主面間を結ぶ側面にも電極パターンが形成されている。絶縁体３を短辺側の側面（ＸＺ面）から見た場合、外部電極４ａおよび外部電極４ｂはＵ字形状をしている。そのため、絶縁体３の対向する側面のそれぞれに設けられる外部電極４ａは、絶縁体３の底面に設けた電極パターンにより同電位である。同様に、絶縁体３の対向する側面のそれぞれに設けられる外部電極４ｂは、絶縁体３の底面に設けた電極パターンにより同電位である。

【0014】

外部電極４ａおよび外部電極４ｂは、ともに絶縁体３の対向する側面にも電極パターンが設けられていると説明した。しかし、少なくとも外部電極４ｂのみ絶縁体３の対向する側面にも電極パターンが設けられている構成であれば、外部電極４ａは、絶縁体３の対向する側面の両方に電極パターンが設けられていなくてもよいし、その場合、外部電極４ａが形成されるのは外部電極４ｂと同じ面でなく短辺側の側面でもよい。

【0015】

インダクタＬの導体パターン１ａ（第１導体パターン）と外部電極４ａとは、配線パターン１１ａを介して絶縁体３の側面で電気的に接続されている。一方、キャパシタＣの電極パターン５ｂ（第２電極パターン）と外部電極４ｂとは、配線パターン５１ａ（図３参照）および配線パターン５１ｂを介して絶縁体３の側面で電気的に接続されている。

【0016】

インダクタＬは、絶縁体３の主面に対して平行に、複数の導体パターン１ａ，１ｂが積み重ねられ、各々の導体パターン１ａ，１ｂをビア導体３１，３２等で電気的に接続されている。また、キャパシタＣは、インダクタＬの下層に複数の電極パターン５ａ，５ｂが絶縁層を介して積み重ねられている。キャパシタＣは、主面のうち一方の面（天面）側から平面視した場合、導体パターン１ａ，１ｂの一部と重なる絶縁体３内の位置に設けられる。また、インダクタＬとキャパシタＣとは、絶縁体３内で直列に接続されＬＣ直列回路を構成している。

【0017】

図２は、実施の形態１に係るフィルタ装置１００の回路図である。フィルタ装置１００は、第１端子Ｐ１と、第１端子Ｐ１と接続されるインダクタＬと、インダクタＬと直列に接続されるキャパシタＣと、キャパシタＣと接続される第２端子Ｐ２と、を含む。なお、第１端子Ｐ１は、図１に示す外部電極４ａに対応し、第２端子Ｐ２は、図１に示す外部電極４ｂに対応する。

【0018】

図２に示すフィルタ装置１００の回路図では、キャパシタＣと第２端子Ｐ２との間に寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２が図示されている。寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２は、キャパシタＣの電極パターン５ｂと外部電極４ｂとを接続するための配線パターン５１ａおよび配線パターン５１ｂで生じる。

【0019】

［フィルタ装置の分解平面図］
次に、分解平面図を用いて各層の構成について説明する。図３は、実施の形態１に係るフィルタ装置１００の構成を示す分解平面図である。まず、図３に示すように、導体パターン１ａ，１ｂ、配線パターン１１ａ，５１ａ，５１ｂ、および電極パターン５ａ，５ｂの各々は、絶縁基板３ａ～３ｄに印刷工法で形成される。

【0020】

絶縁基板３ａには、インダクタＬの一部を構成する導体パターン１ａが形成されている。導体パターン１ａは、絶縁基板３ａの図中左上側から右回りに約３／４周するように形成されている。導体パターン１ａの始端は、配線パターン１１ａを介して外部電極４ａと電気的に接続される。導体パターン１ａの終端の近傍には、ビア導体３１と接続する接続部３１ａおよびビア導体３２と接続する接続部３２ａが設けられている。

【0021】

絶縁基板３ｂには、インダクタＬの一部を構成する導体パターン１ｂが形成されている。導体パターン１ｂは、絶縁基板３ｂの図中下側から右回りに約３／４周するように形成されている。導体パターン１ｂの始端の近傍には、ビア導体３１と接続する接続部３１ｂおよびビア導体３２と接続する接続部３２ｂが設けられている。導体パターン１ｂの終端の近傍には、ビア導体３３と接続する接続部３３ｂが設けられている。インダクタＬは、導体パターン１ａ，１ｂを直列接続させて、約１．５巻きのコイルを構成している。

【0022】

絶縁基板３ｃには、キャパシタＣの一方の電極を構成する電極パターン５ａ（第１電極パターン）が形成されている。電極パターン５ａは、天面側から平面視した場合に、導体パターン１ａ，１ｂの一部と重なる絶縁体３内の位置に設けられる。つまり、電極パターン５ａは、導体パターン１ａ，１ｂで構成されるインダクタＬの開口部とできるだけ重ならない位置に設けられる。電極パターン５ａは、ビア導体３３と接続する接続部３３ｃを有している。

【0023】

絶縁基板３ｄには、キャパシタＣの他方の電極を構成する電極パターン５ｂが形成されている。電極パターン５ｂは、天面側から平面視した場合に、電極パターン５ａと対向する絶縁体３内の位置に設けられる。電極パターン５ｂは、配線パターン５１ａ，５１ｂを介して外部電極４ｂと電気的に接続される。なお、配線パターン５１ａ，５１ｂは、それぞれ１本の配線として図示してあるが、複数本の配線で構成してもよい。

【0024】

外部電極４ｂは、図１に示すように絶縁体３の対向する側面のそれぞれに設けられている。配線パターン５１ａ，５１ｂは、各々の外部電極４ｂと電極パターン５ｂとを電気的に接続している。各々の外部電極４ｂが同電位であるため、配線パターン５１ａ，５１ｂは、図２に示す回路図のように第２端子Ｐ２（外部電極４ｂ）とキャパシタＣ（電極パターン５ｂ）との間で並列接続される。その結果、配線パターン５１ａ，５１ｂによって生じる寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２は並列になるので、実質的に寄生インダクタンスの値を下げることができる。

【0025】

さらに、天面側から平面視した場合に、キャパシタＣと重なる導体パターン１ｂの一部は、外部電極４ｂが対向する絶縁体３の一辺（短辺）と平行となる部分を有している。図３では、図中右側のＸ方向に形成されている導体パターン１ｂの部分が、外部電極４ｂが対向する絶縁体３の一辺（短辺）と平行になっている。そのため、導体パターン１ｂは、配線パターン５１ａ，５１ｂの方向と同じ方向になる部分を含むことになるので、配線パターン５１ａ、５１ｂと導体パターン１ｂは強め合う方向にも弱め合う方向にも結合し合う。そのため、フィルタ装置１００のフィルタ特性値の調整が容易になる。配線パターン５１ａ、５１ｂと結合するのは導体パターン１ｂだけでなく導体パターン１ａも含んでよいし、導体パターン１ｂと配線パターン５１ａ、５１ｂが結合しない位置関係にある場合は導体パターン１ａとのみ結合してもよい。

【0026】

また、電極パターン５ａ、５ｂは、導体パターン１ａ，１ｂで構成されるインダクタＬの開口部とできるだけ重ならない位置に設けられることで、インダクタＬで作る磁界を邪魔せず、小型部品でフィルタ装置１００を実現できる。

【0027】

さらに、配線パターン５１ａ，５１ｂは、絶縁体３の対向する側面のそれぞれに設けられた外部電極４ｂと接続するため、図３に示すように電極パターン５ｂの２方向から引き出されている。そのため、配線パターン５１ａ，５１ｂが絶縁体３の短辺方向にずれて絶縁基板が積層されても（積みズレ）、寄生インダクタンスの変動を抑えることができる。そのため、フィルタ装置としての特性のばらつきを抑制することができる。

【0028】

具体的に、図面を用いて説明する。図４は、実施の形態１に係るフィルタ装置１００の構成において一方の方向に積みズレが生じた場合の分解平面図である。図５は、実施の形態１に係るフィルタ装置１００の構成において他方の方向に積みズレが生じた場合の分解平面図である。図４および図５では、絶縁基板３ｄに形成される電極パターン５ｂの位置がずれている以外、図３に示す分解平面図と同じであるため、同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。

【0029】

図４に示すフィルタ装置１００では、絶縁基板３ｄに形成される電極パターン５ｂの位置がＸ方向の正方向（矢印の方向）にずれている。そのため、図中上側の外部電極４ｂと電極パターン５ｂとの距離が近づき、配線パターン５１ａの長さが短くなる。逆に、図中下側の外部電極４ｂと電極パターン５ｂとの距離が遠ざかり、配線パターン５１ｂの長さが長くなる。

【0030】

図５に示すフィルタ装置１００では、絶縁基板３ｄに形成される電極パターン５ｂの位置がＸ方向の負方向（矢印の逆方向）にずれている。そのため、図中下側の外部電極４ｂと電極パターン５ｂとの距離が近づき、配線パターン５１ｂの長さが短くなる。逆に、図中上側の外部電極４ｂと電極パターン５ｂとの距離が遠ざかり、配線パターン５１ａの長さが長くなる。

【0031】

一例として、配線パターン５１ａに生じる寄生インダクタンスＥＳＬ１が０．１０ｎＨ、配線パターン５１ｂに生じる寄生インダクタンスＥＳＬ２が０．１５ｎＨとし、並列接続した寄生インダクタンスＥＳＬ１、ＥＳＬ２の合計が０．０６ｎＨとする。このとき、積みズレによる寄生インダクタンスの増減が例えば±０．０５ｎＨとすると、図４に示すフィルタ装置１００は、寄生インダクタンスＥＳＬ１が０．０５ｎＨ、寄生インダクタンスＥＳＬ２が０．２０ｎＨとなり、並列接続した寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２の合計が０．０４ｎＨとなる。

【0032】

図５に示すフィルタ装置１００は、寄生インダクタンスＥＳＬ１が０．１５ｎＨ、寄生インダクタンスＥＳＬ２が０．１０ｎＨとなり、並列接続した寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２の合計が０．０６ｎＨとなる。つまり、フィルタ装置１００は、積みズレによる寄生インダクタンスの増減が±０．０５ｎＨの場合、並列接続した寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２の合計が０．０４ｎＨ～０．０６ｎＨの間で変動する。

【0033】

一方、配線パターン５１ａを設けずに配線パターン５１ｂのみで、外部電極４ｂと電極パターン５ｂとを電気的に接続した場合、寄生インダクタンスＥＳＬ２は、０．１０ｎＨ～０．２０ｎＨの間で変動する。そのため、フィルタ装置１００は、配線パターン５１ａ、５１ｂを並列接続することで、積みズレの加工ばらつきによる寄生インダクタンスの変動を低減することができる。

【0034】

次に、キャパシタの電極パターン５ｂの１方向から配線パターンを引き出すことで、インダクタンス値を調整することができるフィルタ装置について説明する。図６は、実施の形態１に係るフィルタ装置の変形例の構成を示す分解平面図である。図６に示すフィルタ装置１００Ａでは、配線パターン５１ａを設けずに配線パターン５１ｂのみで、外部電極４ｂと電極パターン５ｂとを電気的に接続した構成である。なお、図６において、絶縁基板３ｄの配線パターン５１ａが設けられていない点以外、図３に示す分解平面図と同じであるため、同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。

【0035】

絶縁基板３ｄの配線パターン５１ｂは、絶縁基板３ｂの導体パターン１ｂにおいて接続部３３ｂに向かって流れる電流Ｉ１の方向と略平行で、かつ同方向となる電流Ｉ２が流れる。そのため、図６に示すフィルタ装置１００Ａは、導体パターン１ｂと同じ向きに電流が流れる配線パターン５１ｂを有するので、インダクタＬの自己誘導を妨げず、合計リアクタンスを高くできる。

【0036】

また、図７は、実施の形態１に係るフィルタ装置の別の変形例の構成を示す分解平面図である。図７に示すフィルタ装置１００Ｂでは、配線パターン５１ｂを設けずに配線パターン５１ａのみで、外部電極４ｂと電極パターン５ｂとを電気的に接続した構成である。なお、図７において、絶縁基板３ｄの配線パターン５１ｂが設けられていない点以外、図３に示す分解平面図と同じであるため、同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。

【0037】

絶縁基板３ｄの配線パターン５１ａは、絶縁基板３ｂの導体パターン１ｂにおいて接続部３３ｂに向かって流れる電流Ｉ１の方向と略平行で、かつ逆方向となる電流Ｉ３が流れる。そのため、図７に示すフィルタ装置１００Ｂでは、導体パターン１ｂと逆向きに電流が流れる配線パターン５１ａを有するので、インダクタＬの自己誘導を妨げ、合計リアクタンスを低くできる。

【0038】

図６に示すフィルタ装置１００Ａ、および図７に示すフィルタ装置１００Ｂで説明したように、外部電極４ｂと電極パターン５ｂとを電気的に接続する配線を配線パターン５１ａ，５１ｂの２本ではなく、配線パターン５１ａまたは配線パターン５１ｂの１本とすることでも、インダクタＬのインダクタンス値を調整することができる。

【0039】

以上のように、実施の形態１に係るフィルタ装置１００は、絶縁体３と、インダクタＬと、キャパシタＣと、外部電極４ａと、外部電極４ｂと、を備える。絶縁体３は、互いに対向する１対の主面と主面間を結ぶ側面とを有する。インダクタＬは、絶縁体３内において少なくとも１つの導体パターン１ａ，１ｂにより構成される。キャパシタＣは、主面のうち一方の面側から平面視した場合に、導体パターン１ａ，１ｂの一部と重なる絶縁体３内の位置に設けられる。外部電極４ａは、インダクタＬと電気的に接続される。外部電極４ｂは、キャパシタＣと電気的に接続され、絶縁体３の対向する側面のそれぞれに設けられる。キャパシタＣは、インダクタＬと電気的に接続される電極パターン５ａと、各々の外部電極４ｂと少なくとも１つの配線パターン５１ａ，５１ｂで電気的に接続される電極パターン５ｂと、を含む。少なくとも１つの配線パターン５１ａ，５１ｂは導体パターン１ａ，１ｂの一部と平行である。

【0040】

これにより、実施の形態１に係るフィルタ装置１００は、キャパシタＣの電極パターン５ｂが、各々の外部電極４ｂと少なくとも１つの配線パターン５１ａ，５１ｂで電気的に接続されるので、フィルタ装置１００に生じる寄生インダクタンスの影響を小さくすることができる。

【0041】

フィルタ装置を小型部品で実現する場合、絶縁体の外枠いっぱいにインダクタの導体パターンを形成して設計値のインダクタンス値を確保する必要があるので、キャパシタの上にインダクタを積層させる必要がある。しかし、絶縁体の外枠いっぱいにインダクタの導体パターンを形成すると、絶縁体を天面側から平面視した場合に、キャパシタの形状、インダクタとの配置関係によっては、キャパシタの電極内で渦電流が発生して十分なＱ値が得られない虞がある。しかし、フィルタ装置１００では、インダクタＬとキャパシタＣと重なる部分を導体パターン１ａ，１ｂの一部に留めることで、電極パターン５ａ，５ｂ内で渦電流が発生してＱ値が低下することを抑制することができる。

【0042】

キャパシタＣの電極パターン５ｂと各々の外部電極４ｂとは、直線状に並んだ２つの配線パターン５１ａ，５１ｂで電気的に接続されていることが好ましい。また、主面のうち一方の面（天面）側から平面視した場合に、キャパシタＣと重なる導体パターン１ａ，１ｂの一部は、外部電極４ｂが対向する絶縁体３の一辺と平行であることが好ましい。さらに、配線パターン５１ａ，５１ｂは、主面のうち一方の面（天面）側から平面視した場合に、導体パターン１ａ，１ｂと一部重なることが好ましい。これにより、フィルタ装置１００のフィルタ設計の調整が容易になる。

【0043】

各々の外部電極４ｂは、同電位である。これにより、寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２が生じる配線パターン５１ａ，５１ｂが並列接続となる。

【0044】

インダクタＬおよびキャパシタＣは、ＬＣ直列回路を構成する。これにより、ＬＣ直列回路を有するフィルタ装置１００となる。ＬＣ直列回路を使用したフィルタでは直列共振周波数を通過域として使用するため、寄生インダクタンスによって共振周波数がずれ、通過フィルタとして性能の劣化に繋がりうる。そのため、キャパシタＣの配線パターンによる寄生インダクタンスのばらつきを抑制することは特にＬＣ直列回路では重要である。

【0045】

（実施の形態２）
実施の形態１では、フィルタ装置１００は、インダクタＬおよびキャパシタＣがＺ方向に積層した直方体状のチップ部品であると説明した。実施の形態２では、さらにインダクタを追加したフィルタ装置について説明する。

【0046】

［フィルタ装置の構造］
まず、実施の形態２に係るフィルタ装置２００について図面を参照しながら説明する。図８は、実施の形態２に係るフィルタ装置２００の斜視図である。ここで、図８では、フィルタ装置２００の短辺方向をＸ方向、長辺方向をＹ方向、高さ方向をＺ方向としている。なお、図８に示すフィルタ装置２００において、図１に示すフィルタ装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。

【0047】

フィルタ装置２００は、２つのインダクタと１つのキャパシタとをＺ方向に積層した直方体状のチップ部品である。なお、フィルタ装置２００は、互いに対向する１対の主面を有しており、図８の下側の主面が実装面であり、この面が回路基板に対向する。本実施の形態２では、図８の下側の主面を底面、図８の上側の主面を天面ともいう。

【0048】

フィルタ装置２００は、図８に示すように第１インダクタＬ１の第１導体パターン、第２インダクタＬ２の第２導体パターン、およびキャパシタＣの電極パターンを形成した絶縁基板（絶縁体層）が複数枚積層された絶縁体３で構成される。なお、絶縁基板の積層方向はＺ方向で、矢印の向きが上層方向を示している。フィルタ装置２００は、Ｚ方向にキャパシタＣ、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２の順で積層されている。

【0049】

フィルタ装置２００は、Ｙ方向の２箇所、図８に示すように外部電極４ａ（第１外部電極）、および外部電極４ｂ（第２外部電極）が絶縁体３に形成されている。第１インダクタＬ１の第１導体パターン１Ｅ，１Ｆと外部電極４ａとは、配線パターン１１Ｅ，１１Ｆを介して絶縁体３の側面で電気的に接続されている。同様に、第２インダクタＬ２の第２導体パターン２Ａ，２Ｂと外部電極４ｂとは、配線パターン１２Ａ，１２Ｂを介して絶縁体３の側面で電気的に接続されている。第２インダクタＬ２の第２導体パターン２Ｃ，２Ｄと外部電極４ａとは、配線パターン１２Ｃ，１２Ｄを介して絶縁体３の側面で電気的に接続されている。キャパシタＣの電極パターン５ｂ（第２電極パターン）と外部電極４ｂとは、配線パターン５１ａ（図１０参照）および配線パターン５１ｂを介して絶縁体３の側面で電気的に接続されている。

【0050】

第１インダクタＬ１は、絶縁体３の主面に対して平行に、複数の第１導体パターン１Ｅ～１Ｈが積み重ね、各々の第１導体パターン１Ｅ～１Ｈをビア導体３１，３２等で電気的に接続されている。第２インダクタＬ２は、絶縁体３の主面に対して平行に、複数の第２導体パターン２Ａ～２Ｄが積み重ね、各々の第２導体パターン２Ａ～２Ｄをビア導体３４で電気的に接続されている。また、キャパシタＣは、第１インダクタＬ１の下層に複数の電極パターン５ａ，５ｂが絶縁層を介して積み重ねられている。キャパシタＣは、主面のうち一方の面（天面）側から平面視した場合に、第１導体パターン１Ｇ，１Ｈの一部と重なる絶縁体３内の位置に設けられる。フィルタ装置２００は、絶縁体３内で第１インダクタＬ１とキャパシタＣとが直列に接続され、第１インダクタＬ１およびキャパシタＣに対して第２インダクタＬ２が並列に接続された回路を構成している。

【0051】

図９は、実施の形態２に係るフィルタ装置２００の回路図である。フィルタ装置２００は、第１端子Ｐ１と、第１端子Ｐ１と接続される第１インダクタＬ１と、第１インダクタＬ１と直列に接続されるキャパシタＣと、キャパシタＣと接続される第２端子Ｐ２と、を含む。さらに、フィルタ装置２００は、直列に接続された第１インダクタＬ１およびキャパシタＣに対して、並列に接続される第２インダクタＬ２、を含む。なお、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２とは、互いに磁気結合（結合係数ｋ）をしている。これにより、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２との間に、相互インダクタンスＭが発生する。図９では、発生する相互インダクタンスＭを考慮して、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２の各々に相互インダクタンス＋Ｍを、第１端子Ｐ１に相互インダクタンス－Ｍを追加した等価回路として図示してある。もちろん、フィルタ装置２００は、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２とが互いに磁気結合している場合に限定されず、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２とが互いに磁気結合していない構成であってもよい。

【0052】

第１端子Ｐ１は、図８に示す外部電極４ａに対応し、第２端子Ｐ２は、図８に示す外部電極４ｂに対応する。図９に示すフィルタ装置２００の回路図では、キャパシタＣと第２端子Ｐ２との間に寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２が図示されている。寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２は、キャパシタＣの電極パターン５ｂと外部電極４ｂとを接続するための配線パターン５１ａおよび配線パターン５１ｂで生じる。

【0053】

［フィルタ装置の分解平面図］
次に、分解平面図を用いて各層の構成について説明する。図１０は、実施の形態２に係るフィルタ装置２００の構成を示す分解平面図である。まず、図１０に示すように、第１導体パターン１Ｅ～１Ｈ、第２導体パターン２Ａ～２Ｄ、配線パターン１２Ａ～１２Ｄ，１１Ｅ，１１Ｆ，５１ａ，５１ｂ、および電極パターン５ａ，５ｂの各々は、絶縁基板３Ａ～３Ｊに印刷工法で形成される。

【0054】

絶縁基板３Ａには、第２インダクタＬ２の一部を構成する第２導体パターン２Ａが形成されている。第２導体パターン２Ａは、絶縁基板３Ａの図中右上側から右回りに約１周するように形成されている。第２導体パターン２Ａの始端は、配線パターン１２Ａを介して外部電極４ｂと電気的に接続される。第２導体パターン２Ａの終端には、ビア導体３４と接続する接続部３４Ａが設けられている。

【0055】

絶縁基板３Ｂには、第２インダクタＬ２の一部を構成する第２導体パターン２Ｂが形成されている。第２導体パターン２Ｂは、絶縁基板３Ｂの図中右上側から右回りに約１周するように形成されている。第２導体パターン２Ｂの始端は、配線パターン１２Ｂを介して外部電極４ｂと電気的に接続される。第２導体パターン２Ｂの終端には、ビア導体３４と接続する接続部３４Ｂが設けられている。

【0056】

絶縁基板３Ｃには、第２インダクタＬ２の一部を構成する第２導体パターン２Ｃが形成されている。第２導体パターン２Ｃは、絶縁基板３Ｃの図中上側から右回りに約１周するように形成されている。第２導体パターン２Ｃの始端は、ビア導体３４と接続する接続部３４Ｃが設けられている。第２導体パターン２Ｃの終端には、配線パターン１２Ｃを介して外部電極４ａと電気的に接続される。

【0057】

絶縁基板３Ｄには、第２インダクタＬ２の一部を構成する第２導体パターン２Ｄが形成されている。第２導体パターン２Ｄは、絶縁基板３Ｄの図中上側から右回りに約１周するように形成されている。第２導体パターン２Ｄの始端は、ビア導体３４と接続する接続部３４Ｄが設けられている。第２導体パターン２Ｄの終端には、配線パターン１２Ｄを介して外部電極４ａと電気的に接続される。

【0058】

第２インダクタＬ２は、第２導体パターン２Ａ，２Ｂ、および第２導体パターン２Ｃ，２Ｄがそれぞれ並列接続され、並列接続された第２導体パターン２Ａ，２Ｂと並列接続された第２導体パターン２Ｃ，２Ｄとが直列接続して、約２巻きのコイルを構成している。

【0059】

絶縁基板３Ｅには、第１インダクタＬ１の一部を構成する第１導体パターン１Ｅが形成されている。第１導体パターン１Ｅは、絶縁基板３Ｅの図中左上側から右回りに約３／４周するように形成されている。第１導体パターン１Ｅの始端は、配線パターン１１Ｅを介して外部電極４ａと電気的に接続される。第１導体パターン１Ｅの終端の近傍には、ビア導体３１と接続する接続部３１Ｅおよびビア導体３２と接続する接続部３２Ｅが設けられている。

【0060】

絶縁基板３Ｆには、第１インダクタＬ１の一部を構成する第１導体パターン１Ｆが形成されている。第１導体パターン１Ｆは、絶縁基板３Ｆの図中左上側から右回りに約３／４周するように形成されている。第１導体パターン１Ｆの始端は、配線パターン１１Ｆを介して外部電極４ａと電気的に接続される。第１導体パターン１Ｆの終端の近傍には、ビア導体３１と接続する接続部３１Ｆおよびビア導体３２と接続する接続部３２Ｆが設けられている。

【0061】

絶縁基板３Ｇには、第１インダクタＬ１の一部を構成する第１導体パターン１Ｇが形成されている。第１導体パターン１Ｇは、絶縁基板３Ｇの図中下側から右回りに約３／４周するように形成されている。第１導体パターン１Ｇの始端の近傍には、ビア導体３１と接続する接続部３１Ｇおよびビア導体３２と接続する接続部３２Ｇが設けられている。第１導体パターン１Ｇの終端の近傍には、ビア導体３３と接続する接続部３３Ｇが設けられている。

【0062】

絶縁基板３Ｈには、第１インダクタＬ１の一部を構成する第１導体パターン１Ｈが形成されている。第１導体パターン１Ｈは、絶縁基板３Ｈの図中下側から右回りに約３／４周するように形成されている。第１導体パターン１Ｈの始端の近傍には、ビア導体３１と接続する接続部３１Ｈおよびビア導体３２と接続する接続部３２Ｈが設けられている。第１導体パターン１Ｈの終端の近傍には、ビア導体３３と接続する接続部３３Ｈが設けられている。

【0063】

第１インダクタＬ１は、第１導体パターン１Ｅ，１Ｆ、および第１導体パターン１Ｇ，１Ｈがそれぞれ並列接続され、並列接続された第１導体パターン１Ｅ，１Ｆと並列接続された第１導体パターン１Ｇ，１Ｈとが直列接続して、約１．５巻きのコイルを構成している。

【0064】

絶縁基板３Ｉには、キャパシタＣの一方の電極を構成する電極パターン５ａ（第１電極パターン）が形成されている。電極パターン５ａは、天面側から平面視した場合に、第１導体パターン１Ｇ，１Ｈの一部と重なる絶縁体３内の位置に設けられる。つまり、電極パターン５ａは、第１導体パターン１Ｇ，１Ｈで構成される第１インダクタＬ１の開口部とできるだけ重ならない位置に設けられる。電極パターン５ａは、ビア導体３３と接続する接続部３３Ｉを有している。

【0065】

絶縁基板３Ｊには、キャパシタＣの他方の電極を構成する電極パターン５ｂが形成されている。電極パターン５ｂは、天面側から平面視した場合に、電極パターン５ａと対向する絶縁体３内の位置に設けられる。電極パターン５ｂは、配線パターン５１ａ，５１ｂを介して外部電極４ｂと電気的に接続される。なお、配線パターン５１ａ，５１ｂは、それぞれ１本の配線として図示してあるが、複数本の配線で構成してもよい。

【0066】

外部電極４ｂは、図８に示すように絶縁体３の対向する側面のそれぞれに設けられている。配線パターン５１ａ，５１ｂは、各々の外部電極４ｂと電極パターン５ｂとを電気的に接続している。各々の外部電極４ｂが底面に形成されたパターンで電気的に接続されていると、外部電極４ｂは同電位となる。つまり、配線パターン５１ａ，５１ｂは、図９に示す回路図のように第２端子Ｐ２（外部電極４ｂ）とキャパシタＣ（電極パターン５ｂ）との間で並列接続される。その結果、配線パターン５１ａ，５１ｂによって生じる寄生インダクタンスＥＳＬ１，ＥＳＬ２は並列になるので、実質的に寄生インダクタンスの値を下げることができる。さらに、フィルタ装置２００は、実施の形態１で説明したフィルタ装置１００と同等の効果を有している。

【0067】

次に、外部電極の形状を変更したフィルタ装置２００の変形例について説明する。図８に示した外部電極４ａ，４ｂは、絶縁体３を短辺側の側面（ＸＺ面）から見た場合、Ｕ字形状をしており、絶縁体３の短辺側の側面（ＸＺ面）には電極が設けられていない。しかし、外部電極の形状はこれに限定されず、絶縁体３の短辺側の側面（ＸＺ面）にも電極が設けられているドッグボーン状の外部電極であってもよい。

【0068】

図１１は、実施の形態２に係るフィルタ装置の変形例の構成を示す分解平面図である。図１１に示すフィルタ装置２００Ａでは、ドッグボーン状の外部電極４ｃ，４ｄとし、当該外部電極４ｃ，４ｄと、第１導体パターン１Ｅ，１Ｆおよび第２導体パターン２Ａ～２Ｄとを接続するための配線パターン２２Ａ～２２Ｄ，２１Ｅ，２１Ｆに変更している。なお、図１１において、外部電極４ｃ，４ｄおよび配線パターン２２Ａ～２２Ｄ，２１Ｅ，２１Ｆを変更している点以外、図１０に示す分解平面図と同じであるため、同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。

【0069】

絶縁基板３Ａの第２導体パターン２Ａは、図中右側の絶縁基板３Ａの短辺で配線パターン２２Ａを介して外部電極４ｄと電気的に接続される。同様に、絶縁基板３Ｂの第２導体パターン２Ｂは、図中右側の絶縁基板３Ｂの短辺で配線パターン２２Ｂを介して外部電極４ｄと電気的に接続される。

【0070】

絶縁基板３Ｃの第２導体パターン２Ｃは、図中左側の絶縁基板３Ｃの短辺で配線パターン２２Ｃを介して外部電極４ｃと電気的に接続される。同様に、絶縁基板３Ｄの第２導体パターン２Ｄは、図中左側の絶縁基板３Ｄの短辺で配線パターン２２Ｄを介して外部電極４ｃと電気的に接続される。

【0071】

絶縁基板３Ｅの第１導体パターン１Ｅは、図中左側の絶縁基板３Ｅの短辺で配線パターン２１Ｅを介して外部電極４ｃと電気的に接続される。同様に、絶縁基板３Ｆの第１導体パターン１Ｆは、図中左側の絶縁基板３Ｆの短辺で配線パターン２１Ｆを介して外部電極４ｃと電気的に接続される。

【0072】

絶縁基板３Ｇの第１導体パターン１Ｇは、ビア導体３１，３２を介して第１導体パターン１Ｅ，１Ｆと電気的に接続される。同様に絶縁基板３Ｈの第１導体パターン１Ｈは、ビア導体３１，３２を介して第１導体パターン１Ｅ，１Ｆ、および１Ｇと電気的に接続される。

【0073】

絶縁基板３Ｉの電極パターン５ａ（第１電極パターン）は、キャパシタＣの一方の電極を構成し、ビア導体３３と接続する接続部３３Ｉを有している。

【0074】

絶縁基板３Ｊの電極パターン５ｂ（第２電極パターン）は、キャパシタＣの他方の電極を構成し、第１導体パターン１Ｇ，１Ｈの一部と平行に配線パターン５１ａ、５１ｂを介して外部電極４ｄのうち、対向する側面で電気的に接続している。またさらに、配線パターン５１ａ，５１ｂと異なる方向で外部電極４ｄと接続する配線パターン５１ｃを持っていてもよい。

【0075】

フィルタ装置２００Ａで説明したドッグボーン状の外部電極４ｃ，４ｄは、実施の形態１に係るフィルタ装置１００，１００Ａ，１００Ｂに対しても同様に適用することができる。

【0076】

以上のように、実施の形態２に係るフィルタ装置２００は、絶縁体３内において少なくとも１つの第２導体パターンにより構成された第２インダクタＬ２をさらに備える。これにより、絶縁体３内に２つのインダクタと１つのキャパシタとを有するフィルタ装置を実現することができる。このようなフィルタ装置において、キャパシタの配線パターンの寄生インダクタンスの変動を抑制することにより、ＬＣ直列共振周波数の変動を減らしフィルタ装置として通過特性を確保でき、また、ＬＣ並列共振周波数の変動も同時に減らすことでフィルタ装置としての減衰特性を満たすことができる。

【0077】

第２インダクタＬ２は、第１インダクタＬ１に対して並列接続していることが好ましい。また、第２インダクタＬ２は、第１インダクタＬ１と磁気結合していることが好ましい。フィルタ装置２００Ａでは各導体パターンを２層ずつ並列接続した例を示したが、１層ずつの導体パターンでもよいし、３層以上を並列接続してもよい。

【0078】

図１０では、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）の５ＧＨｚ帯の信号を通過し、第５世代でのｎ７８（３．７ＧＨｚ帯）やｎ７９（４．５ＧＨｚ帯）の信号を遮断するバンドパスフィルタとして機能するフィルタ装置２００について説明した。以下の変形例では、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯の信号を通過し、ＧＰＳ帯（１．１～１．６ＧＨｚ）の信号を遮断するバンドパスフィルタとして機能するフィルタ装置について説明する。図１２は、実施の形態２に係るフィルタ装置の別の変形例の構成を示す断面図である。図１２に示すフィルタ装置２００Ｂでは、Ｚ方向にキャパシタＣ１、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２の順で積層され、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２とが磁気結合している。

【0079】

具体的に、第２インダクタＬ２は、絶縁体３の主面に対して平行に、３層の第２導体パターン２が積み重ね、各々の第２導体パターン２をビア導体３０で電気的に接続している。第１インダクタＬ１は、絶縁体３の主面に対して平行に、４層の第１導体パターン１が積み重ね、各々の第１導体パターン１をビア導体３０で電気的に接続されている。また、キャパシタＣ１は、第１インダクタＬ１の下層に複数の電極パターン５が絶縁層を介して積み重ねられている。

【0080】

図１２に示すフィルタ装置２００Ｂは、図１０に示したフィルタ装置２００に比べ低い周波数帯の信号を扱うため、キャパシタＣ１の大きくなる。キャパシタＣ１が大きくなると電極パターン５の面積が広くなり、当該電極パターン５が、天面側から平面視した場合、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２の開口と半分超重なる。そこで、フィルタ装置２００Ｂでは、第１インダクタＬ１とキャパシタＣ１との間に接続層Ｓを設けて、第１インダクタＬ１とキャパシタＣ１との積層方向の距離を確保している。たとえば、第１インダクタＬ１とキャパシタＣ１との積層方向の距離を、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２との積層方向の距離より長くする。接続層Ｓは、複数の導電パターンＳ１とビア導体Ｓ２で構成されている。このように接続層Ｓを設けることで、第１インダクタＬ１や第２インダクタＬ２により発生する磁界が通りやすくなりインダクタンス値の低下やＱ値の劣化を抑制することができる。なお、フィルタ装置２００Ｂは、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２との積層順が逆でもよい。また、接続層Ｓの構成は、他の実施の形態においても適用することができる。

【0081】

［変形例］
これまで説明したインダクタＬ、第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２の導電パターンの形状は、矩形状である。フィルタ装置を小型部品で実現する場合、絶縁体３の外枠いっぱいに導体パターンを形成して高いインダクタンス値を確保することができるため、矩形状の導体パターンを採用している。しかし、導電パターンの形状は、矩形状に限定されず、八角形などの多角形状、楕円などの曲線形状などであってもよい。

【0082】

図１３は、変形例１に係るフィルタ装置１００Ｃの構成を示す分解平面図である。フィルタ装置１００Ｃは、１つのインダクタと１つのキャパシタとをＺ方向に積層した直方体状のチップ部品である。フィルタ装置１００Ｃは、図１３に示すようにインダクタＬの導体パターンおよびキャパシタＣの電極パターンを形成した複数の絶縁基板３ａ～３ｄが積層された絶縁体３で構成される。なお、図１３において、図３に示す分解平面図と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。

【0083】

絶縁基板３ａには、インダクタＬの一部を構成する導体パターン１ａが形成されている。導体パターン１ａは、矩形状ではなく八角形である。キャパシタＣと重なる導体パターン１ａの一部は、外部電極４ｂが対向する絶縁体３の一辺（短辺）と平行となる部分を有している。そのため、図１３に示すように、導体パターン１ａの一部の方向Ｄａと、絶縁基板３ｄの配線パターン５１ａ，５１ｂの配線方向Ｄｄとは、略平行となっている。

【0084】

絶縁基板３ｂには、インダクタＬの一部を構成する導体パターン１ｂが形成されている。導体パターン１ｂは、矩形状ではなく八角形である。キャパシタＣと重なる導体パターン１ｂの一部は、外部電極４ｂが対向する絶縁体３の一辺（短辺）と平行となる部分を有している。そのため、図１３に示すように、導体パターン１ｂの一部の方向Ｄｂと、絶縁基板３ｄの配線パターン５１ａ，５１ｂの配線方向Ｄｄとは、略平行となっている。

【0085】

次に、図１４は、変形例２に係るフィルタ装置１００Ｄの構成を示す分解平面図である。フィルタ装置１００Ｄは、１つのインダクタと１つのキャパシタとをＺ方向に積層した直方体状のチップ部品である。フィルタ装置１００Ｄは、図１４に示すようにインダクタＬの導体パターンおよびキャパシタＣの電極パターンを形成した複数の絶縁基板３ａ～３ｄが積層された絶縁体３で構成される。なお、図１４において、図３に示す分解平面図と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。

【0086】

絶縁基板３ａには、インダクタＬの一部を構成する導体パターン１ａが形成されている。導体パターン１ａは、矩形状ではなく六角形である。キャパシタＣと重なる導体パターン１ａの一部は、外部電極４ｂが対向する絶縁体３の一辺（短辺）と平行となる部分を有している。そのため、図１４に示すように、導体パターン１ａの一部の方向Ｄａと、絶縁基板３ｄの配線パターン５１ａ，５１ｂの配線方向Ｄｄとは、略平行となっている。

【0087】

絶縁基板３ｂには、インダクタＬの一部を構成する導体パターン１ｂが形成されている。導体パターン１ｂは、矩形状ではなく六角形である。キャパシタＣと重なる導体パターン１ｂの一部は、外部電極４ｂが対向する絶縁体３の一辺（短辺）と平行となる部分を有している。そのため、図１４に示すように、導体パターン１ｂの一部の方向Ｄｂと、絶縁基板３ｄの配線パターン５１ａ，５１ｂの配線方向Ｄｄとは、略平行となっている。

【0088】

さらに、図１５は、変形例３に係るフィルタ装置１００Ｅの構成を示す分解平面図である。フィルタ装置１００Ｅは、１つのインダクタと１つのキャパシタとをＺ方向に積層した直方体状のチップ部品である。フィルタ装置１００Ｅは、図１４に示すようにインダクタＬの導体パターンおよびキャパシタＣの電極パターンを形成した複数の絶縁基板３ａ～３ｄが積層された絶縁体３で構成される。なお、図１５において、図３に示す分解平面図と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。

【0089】

絶縁基板３ａには、インダクタＬの一部を構成する導体パターン１ａが形成されている。導体パターン１ａは、矩形状ではなく楕円状である。キャパシタＣと重なる導体パターン１ａの一部は、外部電極４ｂが対向する絶縁体３の一辺（短辺）と平行となる部分を有している。そのため、図１５に示すように、導体パターン１ａの一部の方向Ｄａと、絶縁基板３ｄの配線パターン５１ａ，５１ｂの配線方向Ｄｄとは、略平行となっている。

【0090】

絶縁基板３ｂには、インダクタＬの一部を構成する導体パターン１ｂが形成されている。導体パターン１ｂは、矩形状ではなく楕円状である。キャパシタＣと重なる導体パターン１ｂの一部は、外部電極４ｂが対向する絶縁体３の一辺（短辺）と平行となる部分を有している。そのため、図１５に示すように、導体パターン１ｂの一部の方向Ｄｂと、絶縁基板３ｄの配線パターン５１ａ，５１ｂの配線方向Ｄｄとは、略平行となっている。

【0091】

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0092】

３ 絶縁体、４ａ～４ｄ 外部電極、１０ 回路基板、１００，１００Ａ～Ｅ，２００，２００Ａ フィルタ装置、Ｃ キャパシタ、Ｌ１ 第１コイル、Ｌ２ 第２コイル。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】