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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】
(45)【発行日】
(54)【発明の名称】電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置
(51)【国際特許分類】
【ＦＩ】
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】
(22)【出願日】
(65)【公開番号】
(43)【公開日】
【審査請求日】
(73)【特許権者】
【識別番号】000001007
【氏名又は名称】キヤノン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100101498
【弁理士】
【氏名又は名称】越智 隆夫
(74)【代理人】
【識別番号】100136799
【弁理士】
【氏名又は名称】本田 亜希
(72)【発明者】
【氏名】山田 基也
(72)【発明者】
【氏名】高橋 孝治
(72)【発明者】
【氏名】小島 康夫
(72)【発明者】
【氏名】篠塚 正之
【審査官】川口 聖司
(56)【参考文献】
【文献】特開平０１－００４７５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１４３８２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１１１４０９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２２－１３２０７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２３－１６４３１１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｇ ５／００－５／１６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項】
円筒状の支持体、該支持体の直上に形成された下引き層、及び該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、該下引き層が、下記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は下記式（Ａ２）で示される化合物を含む組成物の硬化物を含有し、
該支持体の表面が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体表面のＡｌの集合組織の表面方向における該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
のいずれかに分類されるＡｌの結晶粒からなり、
該支持体の表面の全面積に対する該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１０％を超える、
ことを特徴とする電子写真感光体。
【化】
【化】
【化】
ａは、主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、炭素数１～６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、又はフェニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基を示し、これらのアルキレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。これらのアルキレン基の主鎖中のＣＨ２の１つはＯ又はＳで置換されていてもよい。あるいはこれらのアルキレン基の主鎖中のＣＨの１つはＮで置換されていてもよい。
ｂは、フェニレン基、炭素数１～６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、又はアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらのフェニレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
ｃは、水素原子、カルボキシ基、主鎖の炭素数が１～６のアルキル基、又は炭素数１～５のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキル基を示し、これらのアルキル基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。）
【請求項】
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１１％以上である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項】
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が５０％以上である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項】
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が７５％以上である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項】
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が５％以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項】
前記Ａｌ合金が、０．２質量％以上０．６質量％以下のＳｉ及び０．４５質量％以上０．９質量％以下のＭｇを含む、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項】
請求項１～４のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項】
請求項１～４のいずれか１項に記載の電子写真感光体、並びに、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を有する電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【】
本発明は電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ、及び該電子写真感光体を有する電子写真装置に関する。
【背景技術】
【】
近年、電子写真装置のユーザーの多様化が進み、出力される画像には従来よりも高画質であることが求められている。
【】
特許文献１には、感光体の帯電維持性を高める技術として、導電性基体上に配置された下引層が、特定のペリノン化合物と、ポリウレタンと、を含有する電子写真感光体が記載されている。
【】
特許文献２には、画像を繰り返し形成したときに生じる感光体の光感度の低下を抑制する技術として、特定のペリノン化合物と、特定のアクセプター化合物と、を含有する電子写真感光体が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【】
【文献】特開２０２０－４６６４０号公報
【文献】特開２０２０－４６６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【】
本発明者らの検討によると、特許文献１～２に記載の電子写真感光体では、高温高湿環境下に置かれた後の電位変動、特に短期使用における明部電位変動に改善の余地があることがわかった。
【】
したがって、本発明の目的は、高温高湿環境下に置かれた後の電子写真感光体において、明部電位の短期使用における変動を高度に抑制可能な電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【】
上記の目的は以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明の一態様に係る電子写真感光体は、円筒状の支持体、該支持体の直上に形成された下引き層、及び該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、下記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は下記式（Ａ２）で示される化合物を含む組成物の硬化物を含有し、
該支持体の表面が、Ａｌ及び又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体表面のＡｌの集合組織の表面方向における該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
のいずれかに分類されるＡｌの結晶粒からなり、
該支持体の表面の全面積に対する
該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１０％を超えることを特徴とする。
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式（Ａ１）及び式（Ａ２）中、Ｒ１０１～Ｒ１０６、Ｒ２０１～Ｒ２１０は、それぞれ独立に、下記式（Ｂ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、Ｒ１０１～Ｒ１０６の少なくとも１つ、及びＲ２０１～Ｒ２１０の少なくとも１つは、下記式（Ｂ）で示される１価の基である。該アルキル基のＣＨ２の１つはＯ又はＳで置換されていてもよい、あるいは該アルキル基のＣＨの１つはＮで置換されていてもよい。該置換のアルキル基の置換基は、アリール基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、及びヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。該置換のアリール基及び該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン基置換アルキル基、及びアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。
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式（Ｂ）中、ａ、ｂ、及びｃの少なくとも１つは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する。ｌ及びｍは、それぞれ独立に、０又は１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
ａは、主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、炭素数１～６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、又はフェニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基を示し、これらのアルキレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。これらのアルキレン基の主鎖中のＣＨ２の１つはＯ又はＳで置換されていてもよい、あるいはこれらのアルキレン基の主鎖中のＣＨの１つはＮで置換されていいてもよい。
ｂは、フェニレン基、炭素数１～６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、又はアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらのフェニレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
ｃは、水素原子、カルボキシ基、主鎖の炭素数が１～６のアルキル基、又は炭素数１～５のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキル基を示し、これらのアルキル基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
該下引き層が、下記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は下記式（Ａ２）で示される化合物を含む組成物の硬化物を含有し、
該支持体の表面が、Ａｌ及び又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体表面のＡｌの集合組織の表面方向における該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
のいずれかに分類されるＡｌの結晶粒からなり、
該支持体の表面の全面積に対する
該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１０％を超えることを特徴とする。
【化】
【化】
【化】
ａは、主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、炭素数１～６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、又はフェニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基を示し、これらのアルキレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。これらのアルキレン基の主鎖中のＣＨ２の１つはＯ又はＳで置換されていてもよい、あるいはこれらのアルキレン基の主鎖中のＣＨの１つはＮで置換されていいてもよい。
ｂは、フェニレン基、炭素数１～６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、又はアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらのフェニレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
ｃは、水素原子、カルボキシ基、主鎖の炭素数が１～６のアルキル基、又は炭素数１～５のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキル基を示し、これらのアルキル基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
【】
また、本発明の別の態様に係るプロセスカートリッジは、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であることを特徴とする。
【】
また、本発明のさらに別の態様に係る電子写真装置は、上記電子写真感光体、並びに、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【】
本発明によれば、高温高湿環境下に置かれた後の電子写真感光体において、明部電位の短期使用における変動を高度に抑制可能な電子写真感光体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【】
【図】Ａｌの結晶粒の分布を示す図である。
【図】支持体の表面のＡｌの結晶粒の測定位置を示す図である。
【図】電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【】
以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。
本発明者らが検討したところ、特許文献１～２に記載の技術では、電子写真感光体が高温高湿環境下に置かれたときに、支持体のＡｌ又はＡｌ合金の結晶が持つ特性により、支持体に水分が引き寄せられる場合があった。このため支持体の直上の下引き層で電子が滞留してしまう場合があった。電子輸送性の化合物を含有する下引き層の場合、支持体から下引き層へのホールの注入が極めて少なく、滞留した電子を取り除くことができにくいため、繰り返し使用すると明部電位の上昇につながってしまう可能性があることがわかった。
本発明者らが検討したところ、特許文献１～２に記載の技術では、電子写真感光体が高温高湿環境下に置かれたときに、支持体のＡｌ又はＡｌ合金の結晶が持つ特性により、支持体に水分が引き寄せられる場合があった。このため支持体の直上の下引き層で電子が滞留してしまう場合があった。電子輸送性の化合物を含有する下引き層の場合、支持体から下引き層へのホールの注入が極めて少なく、滞留した電子を取り除くことができにくいため、繰り返し使用すると明部電位の上昇につながってしまう可能性があることがわかった。
【】
従来技術で発生していた上記技術課題を解決するために、本発明者らはアルミニウム製支持体の表面の結晶方位について検討を行った。
【】
上記検討の結果、以下の本発明に係る電子写真感光体を用いることで、上記技術課題を解決することができることを見出した。
【】
すなわち、本発明に係る電子写真感光体は、円筒状の支持体、該支持体の直上に形成された下引き層、及び該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、下記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は下記式（Ａ２）で示される化合物を含む組成物の硬化物を含有し、
該支持体の表面が、Ａｌ及び又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体表面のＡｌの集合組織の表面方向における該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
のいずれかに分類されるＡｌの結晶粒からなり、
該支持体の表面の全面積に対する
該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１０％を超えることを特徴とする。
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式（Ａ１）及び式（Ａ２）中、Ｒ１０１～Ｒ１０６、Ｒ２０１～Ｒ２１０は、それぞれ独立に、下記式（Ｂ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換の複素環基を示す。ただし、Ｒ１０１～Ｒ１０６の少なくとも１つ、及びＲ２０１～Ｒ２１０の少なくとも１つは、下記式（Ｂ）で示される１価の基である。該アルキル基のＣＨ２の１つはＯ又はＳで置換されていてもよい、あるいは該アルキル基のＣＨの１つはＮで置換されていてもよい。該置換のアルキル基の置換基は、アリール基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、及びヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。該置換のアリール基及び該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン基置換アルキル基、及びアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。
該下引き層が、下記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は下記式（Ａ２）で示される化合物を含む組成物の硬化物を含有し、
該支持体の表面が、Ａｌ及び又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体表面のＡｌの集合組織の表面方向における該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
のいずれかに分類されるＡｌの結晶粒からなり、
該支持体の表面の全面積に対する
該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１０％を超えることを特徴とする。
【化】
【化】
【】
【化】
【】
ａは、主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、炭素数１～６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の炭素数１～６のアルキレン基、又はフェニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基を示し、これらのアルキレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。これらのアルキレン基の主鎖中のＣＨ２の１つはＯ又はＳで置換されていてもよい、あるいはこれらのアルキレン基の主鎖中のＣＨの１つはＮで置換されていてもよい。
【】
ｂは、フェニレン基、炭素数１～６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、又はアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらのフェニレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
【】
ｃは、水素原子、カルボキシ基、主鎖の炭素数が１～６のアルキル基、又は炭素数１～５のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキル基を示し、これらのアルキル基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
【】
ａ及びｂについては、主鎖は、上記式（Ａ１）又は上記式（Ａ２）の骨格構造の炭素原子又は窒素原子からｃまでを貫く炭素数が最小となる鎖を指す。ｃについては、主鎖は、ａ又はｂと結合する原子から末端までの炭素数が最大となる鎖を指す。なお、ａについての主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基及びｃについての主鎖の炭素数が１～６のアルキル基は、それぞれ直鎖のアルキレン基及び直鎖のアルキル基であり、置換基として有してもよいアルキル基は、上記直鎖に結合する側鎖となる。
【】
本発明の構成により、従来技術における上記技術課題を解決することができるメカニズムについて、本発明者らは以下のように考えている。
【】
アルミニウムの結晶方位は大きく分けて、｛１０１｝方位、｛００１｝方位、及び｛１１１｝方位の３つが存在する。「こべるにくす（［Ｎｏ．２８］Ｖｏｌ．１４ ２００５．ＯＣＴ）」に記載があるように、通常、例えば図１の（ａ）に示すように、それぞれの結晶方位を有する結晶粒はランダムに分布している。
【】
本発明では、上記３つの結晶方位を有する結晶粒について、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
と表記する。例えば（α）、つまり｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面とは、Ａｌの結晶における｛００１｝面から－１５°以上＋１５°未満の面のばらつきを持った結晶面のことを指す。同様に、（β）は、Ａｌの結晶における｛１０１｝面から－１５°以上＋１５°未満の面のばらつきを持った結晶面、（γ）は、Ａｌの結晶における｛１１１｝面から－１５°以上＋１５°未満の面のばらつきを持った結晶面のことを指す。
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
と表記する。例えば（α）、つまり｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面とは、Ａｌの結晶における｛００１｝面から－１５°以上＋１５°未満の面のばらつきを持った結晶面のことを指す。同様に、（β）は、Ａｌの結晶における｛１０１｝面から－１５°以上＋１５°未満の面のばらつきを持った結晶面、（γ）は、Ａｌの結晶における｛１１１｝面から－１５°以上＋１５°未満の面のばらつきを持った結晶面のことを指す。
【】
本発明者らは、結晶方位によって結晶粒の親水性が異なると推測している。具体的には、（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面を有する結晶粒は、（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面を有する結晶粒、及び（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面を有する結晶粒と比較して親水性が高い、と本発明者らは推測している。
【】
従来技術におけるアルミニウム製支持体では、３種類の結晶方位の結晶粒がランダムに存在するため、（β）を有する結晶粒の寄与により親水性が高い傾向にあったと考えられる。そのため、水分を引き寄せやすく、この水分をきっかけに支持体直上の下引き層で電子が滞留してしまい、感光体表面の明部電位が変動していたと考えられる。特に、電子輸送性材料を有する下引き層では、その特性から、支持体からのホールの注入が極めて少なく、上記の影響が顕著であったと考えられる。
【】
そこで、本発明においては、アルミニウム製支持体の表面において、例えば図１の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、親水性が高いと推測している（β）を有する結晶粒の割合を減らした状態で支持体を形成する。これにより、アルミニウム製支持体の表面に水分が引き寄せられにくくなり、直上の下引き層での電子の滞留も生じにくくなることで、感光体表面の明部電位の変動を低減できるようになったと考えられる。
【】
結晶方位によって結晶粒の親水性が異なる理由については以下のように考えている。
アルミニウムの結晶は、その方位によって表面自由エネルギーが異なる。表面自由エネルギーが大きい順に、（β）を有する結晶粒、（α）を有する結晶粒、（γ）を有する結晶粒の順となる。この表面自由エネルギーの違いにより、親水性が異なると考えている。よって、表面自由エネルギーの大きさからもっとも親水性が高いのは（β）を有する結晶粒であると予想できる。
アルミニウムの結晶は、その方位によって表面自由エネルギーが異なる。表面自由エネルギーが大きい順に、（β）を有する結晶粒、（α）を有する結晶粒、（γ）を有する結晶粒の順となる。この表面自由エネルギーの違いにより、親水性が異なると考えている。よって、表面自由エネルギーの大きさからもっとも親水性が高いのは（β）を有する結晶粒であると予想できる。
【】
一方、本発明者らは、結晶方位によって結晶粒の電子の流しやすさが異なり、（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面を有する結晶粒は、アルミニウムの結晶におけるすべり面でもあるため、（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面を有する結晶粒と比較して電子を流しにくいと推測している。
【】
そこで、アルミニウム製支持体の表面を、電子を流しやすいと推測している（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面を有する結晶粒がリッチな状態で形成する。これにより、アルミニウム製支持体をスムーズに電子が流れるようになり、直上の下引き層での電子の滞留も生じにくくなることで、感光体表面の明部電位の変動をさらに低減できるようになったと考えられる。
【】
このような思想から、上記技術課題は、次のようにして解決できることを本発明者らは見出した。すなわち、アルミニウム製支持体の表面において、表面自由エネルギーが大きく、もっとも親水性が高い（β）を有する結晶粒の割合を減らし、（α）を有する結晶粒、及び（γ）を有する結晶粒のうち、電子を流しやすいと推測している（α）を有する結晶粒の割合を高くする。
【】
以下、本発明に係る電子写真感光体の構成について、さらに具体的に説明する。
［電子写真感光体］
本発明に係る電子写真感光体は、円筒状の支持体、下引き層及び感光層を有する。
本発明に係る電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、及びリング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。
以下、支持体及び各層について説明する。
［電子写真感光体］
本発明に係る電子写真感光体は、円筒状の支持体、下引き層及び感光層を有する。
本発明に係る電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、及びリング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。
以下、支持体及び各層について説明する。
【】
＜支持体＞
本発明に係る電子写真感光体は、円筒状の支持体を有し、支持体の表面は、Ａｌ及びＡｌ合金から選ばれる少なくともいずれか１つで形成されている。また、支持体の表面は、温水処理や、ブラスト処理、切削処理などが施されていてもよい。
本発明に係る電子写真感光体は、円筒状の支持体を有し、支持体の表面は、Ａｌ及びＡｌ合金から選ばれる少なくともいずれか１つで形成されている。また、支持体の表面は、温水処理や、ブラスト処理、切削処理などが施されていてもよい。
【】
本発明において、該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
のいずれかに分類されるＡｌの結晶粒からなる。
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
のいずれかに分類されるＡｌの結晶粒からなる。
【】
本発明において、該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなる。
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなる。
【】
また、該支持体の表面の全面積に対して該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ、該支持体の表面の全面積に対して該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％を超え、１１％以上であることが好ましい。
【】
電子を流しやすい面を増やす観点から、支持体の表面の全面積に対して（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合は、５０％以上であることがより好ましい。特に（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が７５％以上であることで、本発明の効果をより良く得ることができる。
【】
また、親水性が高い面を減らすという観点から、支持体の表面の全面積に対して（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が５％以下であることが好ましい。
【】
（支持体の表面のＡｌの結晶粒が有する結晶方位の測定方法）
本発明において、支持体の表面のＡｌの結晶粒が有する結晶方位の測定は、例えば以下のように行うことができる。
まず、支持体の表面をバフ研磨及び水酸化ナトリウム水溶液などにより処理し、処理前の支持体の表面から２０μｍ以内の点について、Ａｌの結晶粒が有する結晶方位の測定を行う。結晶方位の測定はＳＥＭ－ＥＢＳＰ法によって行なうことが好ましい。
ＳＥＭ－ＥＢＳＰ法による測定には、ＥＢＳＰ（電子後方散乱パターン：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎ）検出器を備えたＦＥ－ＳＥＭ（電界放射型 走査型電子顕微鏡：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ－Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いる。ここで、ＳＥＭ－ＥＢＳＰ法とは、試験片表面に電子線を入射させたときに発生する反射電子から得られた菊池パターンを解析することにより、電子線入射位置の結晶方位を決定することができる方法のことである。また、菊池パターンとは、結晶に当たった電子線が散乱して回折された際に、白黒一対の平行線や帯状もしくはアレイ状に電子回折像の背後に現れるパターンのことを指す。
ＥＢＳＰ検出器を備えたＦＥ－ＳＥＭとしては、例えば、電界放出型走査電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ－６５００Ｆ、日本電子社製）を用いることができる。
本発明において、支持体の表面のＡｌの結晶粒が有する結晶方位の測定は、例えば以下のように行うことができる。
まず、支持体の表面をバフ研磨及び水酸化ナトリウム水溶液などにより処理し、処理前の支持体の表面から２０μｍ以内の点について、Ａｌの結晶粒が有する結晶方位の測定を行う。結晶方位の測定はＳＥＭ－ＥＢＳＰ法によって行なうことが好ましい。
ＳＥＭ－ＥＢＳＰ法による測定には、ＥＢＳＰ（電子後方散乱パターン：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎ）検出器を備えたＦＥ－ＳＥＭ（電界放射型 走査型電子顕微鏡：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ－Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いる。ここで、ＳＥＭ－ＥＢＳＰ法とは、試験片表面に電子線を入射させたときに発生する反射電子から得られた菊池パターンを解析することにより、電子線入射位置の結晶方位を決定することができる方法のことである。また、菊池パターンとは、結晶に当たった電子線が散乱して回折された際に、白黒一対の平行線や帯状もしくはアレイ状に電子回折像の背後に現れるパターンのことを指す。
ＥＢＳＰ検出器を備えたＦＥ－ＳＥＭとしては、例えば、電界放出型走査電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ－６５００Ｆ、日本電子社製）を用いることができる。
【】
（２）支持体の表面におけるＡｌの結晶粒の面積
本発明において、該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなる。また、該支持体の表面の全面積に対して該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ、該支持体の表面の全面積に対して該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％を超え、１１％以上である。
本発明において、該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなる。また、該支持体の表面の全面積に対して該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ、該支持体の表面の全面積に対して該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％を超え、１１％以上である。
【】
上記の各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合は、以下のようにして決定することができる。
図２に示すように、まず支持体のどちらか一方の端から軸方向に全長の１／８、２／８、３／８、４／８、５／８、６／８、７／８にあたる位置を決める。さらにそれぞれの位置において周方向に９０°ずつ４分割する。軸方向の分割線と周方向の分割線が交わる２８点それぞれにおいて、軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるように１００μｍ四方の領域を設定し、上記のＳＥＭ－ＥＢＳＰ法によって結晶方位の測定を行う。続いて、（α）、（β）、及び（γ）の結晶方位を有するＡｌの結晶粒について、それぞれの方位が占める面積を算出し、得られた値を１００００μｍ２で除することにより、各領域における各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合を決定する。最後に、２８の領域から得られたそれぞれの値の平均値を支持体の（α）、（β）、及び（γ）が占める面積の割合として決定する。
図２に示すように、まず支持体のどちらか一方の端から軸方向に全長の１／８、２／８、３／８、４／８、５／８、６／８、７／８にあたる位置を決める。さらにそれぞれの位置において周方向に９０°ずつ４分割する。軸方向の分割線と周方向の分割線が交わる２８点それぞれにおいて、軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるように１００μｍ四方の領域を設定し、上記のＳＥＭ－ＥＢＳＰ法によって結晶方位の測定を行う。続いて、（α）、（β）、及び（γ）の結晶方位を有するＡｌの結晶粒について、それぞれの方位が占める面積を算出し、得られた値を１００００μｍ２で除することにより、各領域における各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合を決定する。最後に、２８の領域から得られたそれぞれの値の平均値を支持体の（α）、（β）、及び（γ）が占める面積の割合として決定する。
【】
各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の算出は、付属のソフトを使用しても構わないし、例えば、測定により得られた方位を、ＨＳＶ色空間の色相ｈを用いて、（α）の範囲を０≦ｈ＜６０及び３００≦ｈ＜３６０、（β）の範囲を６０≦ｈ＜１８０、（γ）の範囲を１８０≦ｈ＜３００と定めて、各結晶方位を有するＡｌの結晶粒の領域の色相マッピングを行うことによって算出しても構わない。
【】
（３）支持体として用いるためのＡｌ合金
本発明における支持体は、Ａｌ及び／又はＡｌ合金であれば構わない。一般的に、電子写真感光体用の支持体には、ＪＩＳ呼称の３０００系、５０００系、６０００系の如き展伸材用のＡｌ合金が用いられる。
その中でも、結晶方位をコントロールする観点から、支持体の表面を形成するＡｌ合金は、０．２質量％以上０．６質量％以下のＳｉ及び０．４５質量％以上０．９質量％以下のＭｇを含むことが好ましい。このようなＡｌ合金としては、６０００系Ａｌ合金、例えばＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金を用いることが好ましい。ＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金は、具体的には０．２質量％以上０．６質量％以下のＳｉ、０．３５質量％以下のＦｅ、０．１質量％以下のＣｕ、０．１質量％以下のＭｎ、０．４５質量％以上０．９質量％以下のＭｇ、０．１質量％以下のＣｒ、０．１質量％以下のＺｎ、及び０．１質量％以下のＴｉを含むＡｌ合金である。
本発明における支持体は、Ａｌ及び／又はＡｌ合金であれば構わない。一般的に、電子写真感光体用の支持体には、ＪＩＳ呼称の３０００系、５０００系、６０００系の如き展伸材用のＡｌ合金が用いられる。
その中でも、結晶方位をコントロールする観点から、支持体の表面を形成するＡｌ合金は、０．２質量％以上０．６質量％以下のＳｉ及び０．４５質量％以上０．９質量％以下のＭｇを含むことが好ましい。このようなＡｌ合金としては、６０００系Ａｌ合金、例えばＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金を用いることが好ましい。ＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金は、具体的には０．２質量％以上０．６質量％以下のＳｉ、０．３５質量％以下のＦｅ、０．１質量％以下のＣｕ、０．１質量％以下のＭｎ、０．４５質量％以上０．９質量％以下のＭｇ、０．１質量％以下のＣｒ、０．１質量％以下のＺｎ、及び０．１質量％以下のＴｉを含むＡｌ合金である。
【】
（４）支持体の製造方法
支持体の製造方法は、本発明の要件を満たす支持体を製造することができる方法であれば、特に限定されるものではない。
支持体の製造方法は、本発明の要件を満たす支持体を製造することができる方法であれば、特に限定されるものではない。
【】
支持体を製造する方法としては、例えば、以下の４つの工程を含む方法が挙げられる。
（ｉ）特定のＡｌ合金を準備する工程と、熱間押し出し加工を行って成型体を得る第一の工程、
（ｉｉ）第一の工程で得た成型体に、冷間引き抜きを施す第二の工程、
（ｉｉｉ）第二の工程後に焼鈍しを行う第三の工程、及び
（ｉＶ）焼鈍しを行った後に表面を切削する第四の工程。
（ｉ）特定のＡｌ合金を準備する工程と、熱間押し出し加工を行って成型体を得る第一の工程、
（ｉｉ）第一の工程で得た成型体に、冷間引き抜きを施す第二の工程、
（ｉｉｉ）第二の工程後に焼鈍しを行う第三の工程、及び
（ｉＶ）焼鈍しを行った後に表面を切削する第四の工程。
【】
焼鈍しによって結晶方位をコントロールする場合、昇温速度、焼鈍し温度、維持時間、及び冷却速度（降温速度）を調整することによって結晶方位をコントロールすることが可能である。
特に焼鈍しの温度を４０５℃以上４５０℃以下とし、冷却速度を６℃／ｍｉｎ以上、２０℃／ｍｉｎ以下とすることで支持体の表面において、（β）を有する結晶粒が占める面積の割合が減少し、且つ（α）を有する結晶粒が占める面積の割合が増加する。
特に焼鈍しの温度を４０５℃以上４５０℃以下とし、冷却速度を６℃／ｍｉｎ以上、２０℃／ｍｉｎ以下とすることで支持体の表面において、（β）を有する結晶粒が占める面積の割合が減少し、且つ（α）を有する結晶粒が占める面積の割合が増加する。
【】
さらに、昇温速度及び維持時間によって、各結晶粒の割合を制御することができ、昇温速度を１０℃／ｍｉｎ以下、維持時間を２．５時間以下とすることが好ましい。
【】
また、結晶方位をコントロールするにあたり、熱履歴は重要であるため、上記の熱間押し出し加工を施す第一の工程及び冷間引き抜きを施す第二の工程を経たＡｌ合金を焼鈍しして使用することが好ましい。
【】
本実施形態の支持体の製造方法においては、上述した支持体の製造方法の各工程の前後、又は各工程間、さらには各工程中に、必要に応じて適宜他の工程を有していてもよい。例えば、寸法合わせや面取り・インロー形成、鏡面化・粗面化などをおこなう切削加工、ホーニング加工、ブラスト加工、研削加工などの処理工程が必要に応じて行なわれる。
【】
一般に電子写真感光体の回転軸は、円筒状の支持体の両端部にフランジ部材を嵌め、このフランジ部材に回転軸を取りつけることで確保される。一般的に、支持体の両端部の内径寸法は、ＪＩＳ Ｂ ０４０１－１９９９の嵌め合い公差のＨ８程度に設定される。また、支持体の両端部の内径の表面粗さは、嵌め合い公差の観点から小さいほうが好ましいが、製造コストの兼ね合いから、ＪＩＳ Ｂ ０６０１－２００１の算術平均粗さＲａを１．６μｍ以下、最大高さＲｚを６．３μｍ以下（旧ＪＩＳの仕上げ記号▽▽▽以上）程度に設定される。
【】
支持体の表面に切削油や粉塵が付着している場合には、洗浄を行ってもよい。支持体の洗浄方法としては、支持体表面の油分や異物などの付着物を除去する脱脂洗浄工程、脱脂洗浄剤を洗い流す濯ぎ工程、支持体に残留した水を乾燥し洗浄を完了させる乾燥工程を設けることが知られている。
【】
脱脂洗浄工程では、支持体を界面活性剤やアルカリ電解水などの脱脂洗浄剤が含まれる洗浄液に浸漬する。その際に、超音波を用いることや洗浄液の温度を高くすることが脱脂洗浄能力を高める上で有効である。超音波の周波数は、好ましくは１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下が効果的である。温度は３０℃以上６０℃以下が効果的である。
【】
濯ぎ工程では、支持体を濯ぎ液に浸漬する。濯ぎ液は市水でも純水でもよいが純水が好ましい。その際に、超音波を用いることや濯ぎ液の温度を高くすることがすすぎ洗浄能力を高める上で有効である。超音波の周波数は、好ましくは１０ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下が効果的である。温度は２０℃以上６０℃以下が効果的である。すすぎ洗浄槽は１槽でもよいし、複数槽あってもよい。浸漬後の引上げ時にシャワーを使うとより濯ぎ効果が高まる。
【】
乾燥工程は、温風乾燥、真空乾燥、温水乾燥などいずれの乾燥方法も有効であるが、ダスト低減のためには、温純水による引き上げ乾燥が好ましい。温純水の水温の範囲は、３０℃以上９９℃以下であればよい。
【】
＜下引き層＞
下引き層は支持体の直上に形成され、上記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は上記式（Ａ２）で示される化合物を含む組成物の硬化物を含有する。
すなわち、上記式（Ａ１）で示される化合物及び上記式（Ａ２）で示される化合物は、置換基として式（Ｂ）で示される構造を有し、上記硬化物を形成するための重合反応は、式（Ｂ）で示される構造が有する重合性官能基の反応を含む。
下引き層は支持体の直上に形成され、上記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は上記式（Ａ２）で示される化合物を含む組成物の硬化物を含有する。
すなわち、上記式（Ａ１）で示される化合物及び上記式（Ａ２）で示される化合物は、置換基として式（Ｂ）で示される構造を有し、上記硬化物を形成するための重合反応は、式（Ｂ）で示される構造が有する重合性官能基の反応を含む。
【】
上記組成物には、重合性官能基を有するモノマーを含有させ、上記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は上記式（Ａ２）で示される化合物と共に共重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。また、下引き層は、さらに樹脂を含有してもよい。
【】
重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素－炭素二重結合基などが挙げられる。
【】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などを含んでもよい。
【】
また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子などをさらに含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが好ましい。
【】
電子輸送物質として、表１－１～表１－６に、上記式（Ａ１）で示される化合物の具体例を、表２－１～表２－２に、上記式（Ａ２）で示される化合物の具体例を示す。
【】
表１－１～表１－６、及び表２－１～表２－２中、ｃについて「（Ｈ）」と記載している場合は、ｃはａ又はｂの欄に示す構造中の水素原子であることを示し、式（Ｂ）の構造はａ又はｂの欄に示す構造であることを意味する。ａ又はｂの欄が（－）である場合はｌ又はｍが０であることを示す。
【】
下記は具体例であり、本発明の効果は下記具体例にのみによってもたらされるものではない。これらの化合物は単体で使用しても構わないし、複数を混合して用いても構わない。
【】
【表】
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【表】
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【表】
【】
【表】
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【表】
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【表】
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【表】
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【表】
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金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミニウムなどが挙げられる。
また、下引き層は、添加剤をさらに含有してもよい。
また、下引き層は、添加剤をさらに含有してもよい。
【】
下引き層の膜厚は、０．１μｍ以上２．５μｍ以下であることが特に好ましい。
下引き層は、上述の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を支持体上に形成し、乾燥及び、又は硬化させることで形成することができる。下引き層用塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
下引き層は、上述の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を支持体上に形成し、乾燥及び、又は硬化させることで形成することができる。下引き層用塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
【】
＜感光層＞
電子写真感光体の感光層は、主に、（１）積層型感光層と、（２）単層型感光層とに分類される。（１）積層型感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、を有する。（２）単層型感光層は、電荷発生物質と電荷輸送物質を共に含有する感光層を有する。
電子写真感光体の感光層は、主に、（１）積層型感光層と、（２）単層型感光層とに分類される。（１）積層型感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、を有する。（２）単層型感光層は、電荷発生物質と電荷輸送物質を共に含有する感光層を有する。
【】
（１）積層型感光層
積層型感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層と、を有する。
積層型感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層と、を有する。
【】
（１－１）電荷発生層
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
【】
電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、フタロシアニン顔料などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン顔料、クロロガリウムフタロシアニン顔料、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が好ましい。
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。
【】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。
【】
また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤をさらに含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、などが挙げられる。
【】
電荷発生層の膜厚は、０．１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、０．１５μｍ以上０．４μｍ以下であることがより好ましい。
【】
電荷発生層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を下引き層上に形成し、乾燥させることで形成することができる。電荷発生層用塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
【】
（１－２）電荷輸送層
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
【】
電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。
【】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０～２０：１０が好ましく、５：１０～１２：１０がより好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０～２０：１０が好ましく、５：１０～１２：１０がより好ましい。
【】
また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
【】
電荷輸送層の膜厚は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【】
電荷輸送層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を電荷発生層上に形成し、乾燥させることで形成することができる。電荷輸送層用塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤又は芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。
【】
（２）単層型感光層
単層型感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂及び溶剤を含有する感光層用塗布液を調製し、この塗膜を支持体又は下引き層上に形成し、乾燥させることで形成することができる。電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂としては、上記「（１）積層型感光層」における材料の例示と同様である。
単層型感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂及び溶剤を含有する感光層用塗布液を調製し、この塗膜を支持体又は下引き層上に形成し、乾燥させることで形成することができる。電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂としては、上記「（１）積層型感光層」における材料の例示と同様である。
【】
＜保護層＞
本発明において、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子及び／又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。
本発明において、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子及び／又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。
【】
導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。
【】
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
【】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
【】
また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、アクリロイル基、メタクリロイル基などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。
【】
保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
【】
保護層の膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。
【】
保護層は、上述の各材料及び溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。
【】
［プロセスカートリッジ、電子写真装置］
本発明に係るプロセスカートリッジは、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であることを特徴とする。
本発明に係るプロセスカートリッジは、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であることを特徴とする。
【】
また、本発明に係る電子写真装置は、これまで述べてきた電子写真感光体、並びに、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を有することを特徴とする。
【】
図３に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。
円筒状の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、帯電手段３により、正又は負の所定電位に帯電される。
円筒状の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、帯電手段３により、正又は負の所定電位に帯電される。
【】
なお、図３においては、ローラー型帯電部材によるローラー帯電方式を示しているが、コロナ帯電方式、近接帯電方式、注入帯電方式などの帯電方式を採用してもよい。
【】
帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写される。トナー像が転写された転写材７は、定着手段８へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。
【】
電子写真装置は、転写後の電子写真感光体１の表面に残ったトナーなどの付着物を除去するための、クリーニング手段９を有していてもよい。また、クリーニング手段９を別途設けず、上記付着物を現像手段５などで除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。
【】
電子写真装置は、電子写真感光体１の表面を、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、本発明に係るプロセスカートリッジ１１を電子写真装置の本体に着脱するために、レールなどの案内手段１２を設けてもよい。
【】
本発明に係る電子写真感光体は、レーザービームプリンター、ＬＥＤプリンター、複写機、ファクシミリ、及び、これらの複合機などに用いることができる。
【実施例】
【】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、その要旨を超えない限り、下記の実施例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例の記載において、「部」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。
【】
［支持体の製造］
以下の方法で、支持体の製造を行った。
以下の方法で、支持体の製造を行った。
【】
（支持体Ａ－１の製造例）
ＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８ｍｍ、長さ３７１ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度５℃／ｍｉｎで昇温後、４５０℃で１時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで６℃／ｍｉｎで冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に切削加工を行うことにより、外径３０．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍ、両端部に内径２８．５ｍｍ、深さ２０ｍｍのインロー部を有する「支持体Ａ－１」を得た。支持体Ａ－１の製造条件を表３に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行ったところ、０．４質量％のＳｉ、０．３質量％のＦｅ、０．０６質量％のＣｕ、０．０８質量％以下のＭｎ、０．６５質量％のＭｇ、０．０５質量％のＣｒ、０．０７質量％のＺｎ、及び０．０６質量％のＴｉを含むＡｌ合金であった。
ＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８ｍｍ、長さ３７１ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度５℃／ｍｉｎで昇温後、４５０℃で１時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで６℃／ｍｉｎで冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に切削加工を行うことにより、外径３０．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍ、両端部に内径２８．５ｍｍ、深さ２０ｍｍのインロー部を有する「支持体Ａ－１」を得た。支持体Ａ－１の製造条件を表３に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行ったところ、０．４質量％のＳｉ、０．３質量％のＦｅ、０．０６質量％のＣｕ、０．０８質量％以下のＭｎ、０．６５質量％のＭｇ、０．０５質量％のＣｒ、０．０７質量％のＺｎ、及び０．０６質量％のＴｉを含むＡｌ合金であった。
【】
（支持体Ａ－２～Ａ－９の製造例）
支持体Ａ－１の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表３に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ａ－２～支持体Ａ－９」とする。支持体Ａ－２～Ａ－９の製造条件を表３に示す。
支持体Ａ－１の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表３に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ａ－２～支持体Ａ－９」とする。支持体Ａ－２～Ａ－９の製造条件を表３に示す。
【】
（支持体Ａ－１０の製造例）
ＪＩＳ呼称Ａ３００３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８ｍｍ、長さ３７１ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで昇温後、４５０℃で２．５時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで１５℃／ｍｉｎで冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に切削加工を行うことにより、支持体Ａ－１と同寸法の「支持体Ａ－１０」を得た。支持体Ａ－１０の製造条件を表３に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行ったところ、０．２質量％のＳｉ、０．３質量％のＦｅ、０．０９質量％のＣｕ、１．３質量％のＭｎ、及び０．０２質量％のＺｎ、を含むＡｌ合金であった。
ＪＩＳ呼称Ａ３００３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８ｍｍ、長さ３７１ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで昇温後、４５０℃で２．５時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで１５℃／ｍｉｎで冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に切削加工を行うことにより、支持体Ａ－１と同寸法の「支持体Ａ－１０」を得た。支持体Ａ－１０の製造条件を表３に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行ったところ、０．２質量％のＳｉ、０．３質量％のＦｅ、０．０９質量％のＣｕ、１．３質量％のＭｎ、及び０．０２質量％のＺｎ、を含むＡｌ合金であった。
【】
（支持体Ｂ－１の製造例）
支持体Ａ－１の製造例において、表３に示すように焼鈍し条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｂ－１」とする。支持体Ｂ－１の製造条件を表３に示す。
支持体Ａ－１の製造例において、表３に示すように焼鈍し条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｂ－１」とする。支持体Ｂ－１の製造条件を表３に示す。
【】
（支持体Ｂ－２～Ｂ－１０の製造例）
支持体Ｂ－１の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表３に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ｂ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｂ－２～支持体Ｂ－１０」とする。支持体Ｂ－２～支持体Ｂ－１０の製造条件を表３に示す。
支持体Ｂ－１の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表３に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ｂ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｂ－２～支持体Ｂ－１０」とする。支持体Ｂ－２～支持体Ｂ－１０の製造条件を表３に示す。
【】
（支持体Ｂ－１１及び支持体Ｂ－１２の製造例）
マグネシウムを２．５質量％の割合で含有したＡｌ－Ｍｇ合金からなる外径３０．８ｍｍ、内径２８ｍｍ、長さ３７１ｍｍの引き抜き管を用い、表３に示す条件で焼鈍しを行った。焼鈍し後に切削加工を行うことにより、支持体Ａ－１と同寸法の「支持体Ｂ－１１及び支持体Ｂ－１２」を得た。支持体Ｂ－１１及び支持体Ｂ－１２の製造条件を表３に示す。
マグネシウムを２．５質量％の割合で含有したＡｌ－Ｍｇ合金からなる外径３０．８ｍｍ、内径２８ｍｍ、長さ３７１ｍｍの引き抜き管を用い、表３に示す条件で焼鈍しを行った。焼鈍し後に切削加工を行うことにより、支持体Ａ－１と同寸法の「支持体Ｂ－１１及び支持体Ｂ－１２」を得た。支持体Ｂ－１１及び支持体Ｂ－１２の製造条件を表３に示す。
【】
（支持体Ｂ－１３の製造例）
ＪＩＳ呼称Ａ３００３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８ｍｍ、長さ３７１ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度５℃／ｍｉｎで昇温後、４０５℃で１時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで３０℃／ｍｉｎで冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に切削加工を行うことにより、支持体Ａ－１と同寸法の「支持体Ｂ－１３」を得た。支持体Ｂ－１３の製造条件を表３に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行ったところ、０．２質量％のＳｉ、０．３質量％のＦｅ、０．０７質量％のＣｕ、１．２質量％のＭｎ、及び０．０２質量％のＺｎ、を含むＡｌ合金であった。
ＪＩＳ呼称Ａ３００３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８ｍｍ、長さ３７１ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度５℃／ｍｉｎで昇温後、４０５℃で１時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで３０℃／ｍｉｎで冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に切削加工を行うことにより、支持体Ａ－１と同寸法の「支持体Ｂ－１３」を得た。支持体Ｂ－１３の製造条件を表３に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行ったところ、０．２質量％のＳｉ、０．３質量％のＦｅ、０．０７質量％のＣｕ、１．２質量％のＭｎ、及び０．０２質量％のＺｎ、を含むＡｌ合金であった。
【】
（支持体Ｂ－１４の製造例）
支持体Ｂ－１３の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表３に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ｂ－１３の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｂ－１４」とする。支持体Ｂ－１４の製造条件を表３に示す。
支持体Ｂ－１３の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表３に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ｂ－１３の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｂ－１４」とする。支持体Ｂ－１４の製造条件を表３に示す。
【】
【表】
【】
［上記式（Ａ１）で示される化合物、及び上記式（Ａ２）で示される化合物の製造例］
上記式（Ａ１）で示される構造を有する誘導体（電子輸送物質の誘導体）は、例えば、米国特許第４４４２１９３号公報、米国特許第４９９２３４９号公報、米国特許第５４６８５８３号公報、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．１１，２７０３－２７０５（２００７）に記載の公知の合成方法を用いて合成することが可能である。また、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）及びジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することができる。
上記式（Ａ１）で示される構造を有する誘導体（電子輸送物質の誘導体）は、例えば、米国特許第４４４２１９３号公報、米国特許第４９９２３４９号公報、米国特許第５４６８５８３号公報、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．１１，２７０３－２７０５（２００７）に記載の公知の合成方法を用いて合成することが可能である。また、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）及びジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することができる。
【】
式（Ａ１）で示される化合物には、イソシアネート化合物のイソシアネート基と重合することが可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基）を有する。式（Ａ１）で示される構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、式（Ａ１）で示される構造を有する誘導体に直接重合性官能基を導入する方法、前記重合性官能基又は、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、例えばナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法がある。また、例えばナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法がある。さらに、例えばナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法などがある。ナフチルイミド誘導体を合成する際の原料として、前記重合性官能基又は、重合性官能基の前駆体と成りうる官能基を有するナフタレンテトラカルボン酸二無水物誘導体又はモノアミン誘導体を用いる方法がある。
【】
式（Ａ２）で示される構造を有する誘導体は、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１２９，Ｎｏ．４９，１５２５９－７８ （２００７）に記載の公知の合成方法を用いて合成することができる。また、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から試薬として購入可能なペリレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することができる。
【】
式（Ａ２）で示される化合物は、イソシアネート化合物のイソシアネート基と重合可能な官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシル基）を有する。式（Ａ２）で示される構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、式（Ａ２）で示される構造を有する誘導体に直接重合性官能基を導入する方法のほか、前記重合性官能基、又は、重合性官能基の前駆体と成りうる官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、例えばペリレンイミド誘導体のハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用いる方法、例えばペリレンイミド誘導体のハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用いる方法などがある。また、ペリレンイミド誘導体を合成する際の原料として、前記重合性官能基又は、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有するペリレンテトラカルボン酸二無水物誘導体又はモノアミン誘導体を用いる方法がある。
【】
（合成例１）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部及び２－メチル６－エチルアニリン４部、２－アミノ１－ブタノール３部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、化合物Ａ１０１を１．０部得た。
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部及び２－メチル６－エチルアニリン４部、２－アミノ１－ブタノール３部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、化合物Ａ１０１を１．０部得た。
【】
（合成例２）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部及び４－ヘプチルアミン４部、２－アミノ－１，３－プロパンジオール３部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒酢酸エチル／トルエン）で分離した後、目的物を含有するフラクションを濃縮した。その濃縮物を酢酸エチル／トルエン混合溶液で再結晶を行い、化合物Ａ１５４を２．０部得た。
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部及び４－ヘプチルアミン４部、２－アミノ－１，３－プロパンジオール３部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒酢酸エチル／トルエン）で分離した後、目的物を含有するフラクションを濃縮した。その濃縮物を酢酸エチル／トルエン混合溶液で再結晶を行い、化合物Ａ１５４を２．０部得た。
【】
（合成例３）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ペリレンテトラカルボン酸二無水物（東京化成工業（株）製）７．４部、及び２，６－ジエチルアニリン（東京化成工業（株）製）４部、２－アミノフェニルエタノール４部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、化合物Ａ２０３を５．０部得た。
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ペリレンテトラカルボン酸二無水物（東京化成工業（株）製）７．４部、及び２，６－ジエチルアニリン（東京化成工業（株）製）４部、２－アミノフェニルエタノール４部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、化合物Ａ２０３を５．０部得た。
【】
＜電子写真感光体の製造＞
（感光体１の製造例）
支持体Ａ－１を支持体として用いた。
（感光体１の製造例）
支持体Ａ－１を支持体として用いた。
【】
次に、例示化合物（Ａ１０１）４部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：ＢＸ－１、積水化学工業（株）製）１．５部、触媒としてのオクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．０００５部を、ジメチルアセトアミド１００部とテトラヒドロフラン１００部の混合溶媒に溶解した。この溶液に、固形分６部相当のブロックイソシアネート（商品名：ＢＬ３１７５、住化バイエル製）を加え、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を３０分間１６５℃で加熱硬化させることによって、膜厚が０．８μｍの下引き層を形成した。
【】
次に、以下の材料を用意した。
・ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°及び２８．２°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）２０部
・下記式（Ｃ）で示されるカリックスアレーン化合物０．２部、
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・ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業（株）製）１０部
・シクロヘキサノン６００部
これらを、直径１ｍｍガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１５分間８０℃で乾燥させることによって、膜厚０．１７μｍの電荷発生層を形成した。
・ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°及び２８．２°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）２０部
・下記式（Ｃ）で示されるカリックスアレーン化合物０．２部、
【化】
・シクロヘキサノン６００部
これらを、直径１ｍｍガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１５分間８０℃で乾燥させることによって、膜厚０．１７μｍの電荷発生層を形成した。
【】
次に、以下の材料を用意した。
・下記式（Ｄ）で示される化合物３０部（電荷輸送物質）
・下記式（Ｅ）で示される化合物６０部（電荷輸送物質）
・下記式（Ｆ）で示される化合物１０部（電荷輸送物質）
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・ポリカーボネート樹脂（商品名：ユーピロンＺ４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製、ビスフェノールＺ型のポリカーボネート）１００部
・下記構造式（Ｇ－１）と下記構造式（Ｇ－２）の共重合ユニットを有するポリカーボネート樹脂０．０２部（ｘ／ｙ=０．９５／０．０５：粘度平均分子量Ｍｖ＝２００００）
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![]()
これらを、混合キシレン６００部及びジメトキシメタン２００部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を上記電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を３０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚１８μｍの第一電荷輸送層を形成した。
・下記式（Ｄ）で示される化合物３０部（電荷輸送物質）
・下記式（Ｅ）で示される化合物６０部（電荷輸送物質）
・下記式（Ｆ）で示される化合物１０部（電荷輸送物質）
【化】
・下記構造式（Ｇ－１）と下記構造式（Ｇ－２）の共重合ユニットを有するポリカーボネート樹脂０．０２部（ｘ／ｙ=０．９５／０．０５：粘度平均分子量Ｍｖ＝２００００）
【化】
【化】
【】
次に、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン（商品名：ゼオローラＨ、日本ゼオン（株）製）２０部／１－プロパノール２０部の混合溶剤を、ポリフロンフィルター（商品名：ＰＦ－０４０、アドバンテック東洋（株）製）で濾過した。
また、以下の材料を用意した。
・下記式（Ｈ）で示される正孔輸送性化合物９０部
![]()
・１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン７０部
・１－プロパノール７０部
これらを上記混合溶剤に加えた。これをポリフロンフィルター（商品名：ＰＦ－０２０、アドバンテック東洋製）で濾過することによって、第二電荷輸送層（保護層）用塗布液を調製した。この第二電荷輸送層用塗布液を第一電荷輸送層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を大気中において６分間５０℃で乾燥させた。その後、窒素中において、支持体（被照射体）を２００ｒｐｍで回転させながら、加速電圧７０ｋＶ、吸収線量８０００Ｇｙの条件で１．６秒間、電子線を塗膜に照射した。引き続いて、窒素中において２５℃から１２５℃まで３０秒かけて昇温させ、塗膜の加熱を行った。電子線照射及びその後の加熱時の雰囲気の酸素濃度は１５ｐｐｍであった。次に、大気中において３０分間１００℃で加熱処理を行うことによって、電子線により硬化された膜厚５μｍの第二電荷輸送層（保護層）を形成した。
また、以下の材料を用意した。
・下記式（Ｈ）で示される正孔輸送性化合物９０部
【化】
・１－プロパノール７０部
これらを上記混合溶剤に加えた。これをポリフロンフィルター（商品名：ＰＦ－０２０、アドバンテック東洋製）で濾過することによって、第二電荷輸送層（保護層）用塗布液を調製した。この第二電荷輸送層用塗布液を第一電荷輸送層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を大気中において６分間５０℃で乾燥させた。その後、窒素中において、支持体（被照射体）を２００ｒｐｍで回転させながら、加速電圧７０ｋＶ、吸収線量８０００Ｇｙの条件で１．６秒間、電子線を塗膜に照射した。引き続いて、窒素中において２５℃から１２５℃まで３０秒かけて昇温させ、塗膜の加熱を行った。電子線照射及びその後の加熱時の雰囲気の酸素濃度は１５ｐｐｍであった。次に、大気中において３０分間１００℃で加熱処理を行うことによって、電子線により硬化された膜厚５μｍの第二電荷輸送層（保護層）を形成した。
【】
次に、研磨シート（商品名：ＧＣ３０００、理研コランダム製）を用いて保護層の表面に線状溝を形成した。研磨シートの送りスピードは４０ｍｍ／分とし、被加工物の回転数は２４０ｒｐｍとし、被加工物に対する研磨シート押し当て圧は７．５Ｎ／ｍ２とした。研磨シートの送り方向と被加工物の回転方向は同方向とした。また、外径４０ｃｍ、アスカーＣ硬度４０のバックアップローラーを用いた。これらの条件で、１０秒間かけて、被加工物の周面に線状溝を形成した。
このようにして、感光体１を製造した。
このようにして、感光体１を製造した。
【】
（感光体２～感光体１０、感光体１０１～１１４の製造例）
表４に示す支持体を用いた以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体２～感光体１０、感光体１０１～感光体１１４」とした。
表４に示す支持体を用いた以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体２～感光体１０、感光体１０１～感光体１１４」とした。
【】
（感光体１１～感光体２０の製造例）
表４に示す支持体を用い、例示化合物（Ａ１０１）を例示化合物（Ａ１５４）に変更した以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体１１～感光体２０」とする。
表４に示す支持体を用い、例示化合物（Ａ１０１）を例示化合物（Ａ１５４）に変更した以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体１１～感光体２０」とする。
【】
（感光体２１～感光体３０の製造例）
表４に示す支持体を用い、例示化合物（Ａ１０１）を例示化合物（Ａ２０３）に変更し、下引き層の膜厚を１．０μｍに変更した以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体２１～感光体３０」とする。
表４に示す支持体を用い、例示化合物（Ａ１０１）を例示化合物（Ａ２０３）に変更し、下引き層の膜厚を１．０μｍに変更した以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体２１～感光体３０」とする。
【】
（感光体３１～感光体４０の製造例）
表４に示す支持体を用い、例示化合物（Ａ１０１）を例示化合物（Ａ２０５）に変更し、下引き層の膜厚を１．０μｍに変更した以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体３１～感光体４０」とする。
表４に示す支持体を用い、例示化合物（Ａ１０１）を例示化合物（Ａ２０５）に変更し、下引き層の膜厚を１．０μｍに変更した以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体３１～感光体４０」とする。
【】
（感光体４１～感光体５０の製造例）
表４に示す支持体、例示化合物を用い、膜厚を表４に示したように変更した以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体４１～感光体５０」とする。
表４に示す支持体、例示化合物を用い、膜厚を表４に示したように変更した以外はすべて感光体１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体４１～感光体５０」とする。
【】
（感光体１１５の製造例）
ブロック化イソシアネート（スミジュールＢＬ３１７５、住化バイエルウレタン社製、固形分７５質量％）２０部とブチラール樹脂（エスレックＢＬ-１、積水化学工業社製）７．５部とを、メチルエチルケトン１５０部に溶解した。次に、ピグメントオレンジ４３（東京化成工業株式会社製）３４部を前記溶解液に混合した後にサンドミルにて１０時間分散して分散液を得た。この分散液に、カルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２部を添加して下引き層用塗布液を得た。この塗布液を支持体Ｂ－１上に浸漬塗布して１６０℃で６０分間置くことで硬化させ、厚さ７μｍの下引き層を形成した。
続いて電荷発生層、第一電荷輸送層及び第二電荷輸送層（保護層）は感光体１とすべて同様に形成した。
得られた電子写真感光体を「感光体１１５」とする。
ブロック化イソシアネート（スミジュールＢＬ３１７５、住化バイエルウレタン社製、固形分７５質量％）２０部とブチラール樹脂（エスレックＢＬ-１、積水化学工業社製）７．５部とを、メチルエチルケトン１５０部に溶解した。次に、ピグメントオレンジ４３（東京化成工業株式会社製）３４部を前記溶解液に混合した後にサンドミルにて１０時間分散して分散液を得た。この分散液に、カルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２部を添加して下引き層用塗布液を得た。この塗布液を支持体Ｂ－１上に浸漬塗布して１６０℃で６０分間置くことで硬化させ、厚さ７μｍの下引き層を形成した。
続いて電荷発生層、第一電荷輸送層及び第二電荷輸送層（保護層）は感光体１とすべて同様に形成した。
得られた電子写真感光体を「感光体１１５」とする。
【】
（感光体１１６の製造例）
ブロック化イソシアネート（スミジュールＢＬ３１７５、住化バイエルウレタン社製、固形分７５質量％）２０部とブチラール樹脂（エスレックＢＬ-１、積水化学工業社製）７．５部とを、メチルエチルケトン１５０部に溶解した。次に、ピグメントオレンジ４３（東京化成工業株式会社製）３４部とアントラキノン（東京化成工業株式会社製）１０部を前記溶解液に混合した後にサンドミルにて１０時間分散して分散液を得た。この分散液に、カルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２部を添加して下引き層用塗布液を得た。この塗布液を支持体Ｂ－１上に浸漬塗布して１６０℃で６０分間置くことで硬化させ、厚さ７μｍの下引き層を形成した。続いて電荷発生層、第一電荷輸送層及び第二電荷輸送層（保護層）は感光体１とすべて同様に形成した。
得られた電子写真感光体を「感光体１１６」とする。
ブロック化イソシアネート（スミジュールＢＬ３１７５、住化バイエルウレタン社製、固形分７５質量％）２０部とブチラール樹脂（エスレックＢＬ-１、積水化学工業社製）７．５部とを、メチルエチルケトン１５０部に溶解した。次に、ピグメントオレンジ４３（東京化成工業株式会社製）３４部とアントラキノン（東京化成工業株式会社製）１０部を前記溶解液に混合した後にサンドミルにて１０時間分散して分散液を得た。この分散液に、カルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２部を添加して下引き層用塗布液を得た。この塗布液を支持体Ｂ－１上に浸漬塗布して１６０℃で６０分間置くことで硬化させ、厚さ７μｍの下引き層を形成した。続いて電荷発生層、第一電荷輸送層及び第二電荷輸送層（保護層）は感光体１とすべて同様に形成した。
得られた電子写真感光体を「感光体１１６」とする。
【】
【表】
【】
（実施例１～５０、及び比較例１～１６）
上記で製造した電子写真感光体１～５０、電子写真感光体１０１～１１６を用いて、短期電位変動、残留電位変動、及び結晶方位の評価を、以下のように行った。
上記で製造した電子写真感光体１～５０、電子写真感光体１０１～１１６を用いて、短期電位変動、残留電位変動、及び結晶方位の評価を、以下のように行った。
【】
［評価］
まず、各感光体を、５０℃／９５％ＲＨの高温高湿環境下で７日間保管した。その後、２３℃／５０％ＲＨの常温常湿環境下に各感光体を移し、下記の方法で電位変動評価を行った。
まず、各感光体を、５０℃／９５％ＲＨの高温高湿環境下で７日間保管した。その後、２３℃／５０％ＲＨの常温常湿環境下に各感光体を移し、下記の方法で電位変動評価を行った。
【】
＜短期電位変動評価＞
各感光体の評価は、評価装置である電子写真装置（複写機）（商品名：ｉｍａｇｅＰＲＥＳＳ Ｃ９１０、キヤノン（株）製）のシアンステーションに装着して行った。
感光体の表面電位の測定は、評価装置から現像用カートリッジを抜き取り、そこに電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ－８、トレック社製）をセットし、表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック社製）を使用して行った。
各感光体の評価は、評価装置である電子写真装置（複写機）（商品名：ｉｍａｇｅＰＲＥＳＳ Ｃ９１０、キヤノン（株）製）のシアンステーションに装着して行った。
感光体の表面電位の測定は、評価装置から現像用カートリッジを抜き取り、そこに電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ－８、トレック社製）をセットし、表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック社製）を使用して行った。
【】
初めに、評価に用いる感光体の暗部電位（Ｖｄ）が－６１０Ｖになるように調整した。次に、露光装置の露光光量を調整して感光体の明部電位（Ｖｌ）が－３８０Ｖになるように調整した。
明部電位の測定は、感光体の軸方向の中央位置、及び感光体の両端から４０ｍｍの位置で、周方向３０度ごとに１２点（合計：軸方向３点×周方向１２点＝３６点）について行った。その後、各軸方向の位置ごとに感光体１周中の平均値を算出し、これを各軸方向の位置の初期電位とした。
次に、現像用カートリッジを元に戻し、２０枚通紙を行った。その後、再び電位プローブをセットし、上記と同様に各軸方向の位置ごとに感光体１周中の平均値を算出し、これを各軸方向の位置の２０枚通紙後電位とした。
最後に、各軸方向の位置で初期電位と２０枚通紙後電位の差分の絶対値を算出し、得られた値の平均値を短期電位変動値として算出した。
明部電位の測定は、感光体の軸方向の中央位置、及び感光体の両端から４０ｍｍの位置で、周方向３０度ごとに１２点（合計：軸方向３点×周方向１２点＝３６点）について行った。その後、各軸方向の位置ごとに感光体１周中の平均値を算出し、これを各軸方向の位置の初期電位とした。
次に、現像用カートリッジを元に戻し、２０枚通紙を行った。その後、再び電位プローブをセットし、上記と同様に各軸方向の位置ごとに感光体１周中の平均値を算出し、これを各軸方向の位置の２０枚通紙後電位とした。
最後に、各軸方向の位置で初期電位と２０枚通紙後電位の差分の絶対値を算出し、得られた値の平均値を短期電位変動値として算出した。
【】
得られた値に応じて、以下に示すランクで評価した。評価結果を表５及び表６に示す。
なお、以下のランクにおいて、ランクＡ～Ｄであれば、感光体は本発明の効果を得られる。一方、ランクＥは従来技術の感光体と同レベルの短期電位変動値の評価となる。
Ａ…２．０Ｖ未満
Ｂ…２．０Ｖ以上２．５Ｖ未満
Ｃ…２．５Ｖ以上３．０Ｖ未満
Ｄ…３．０Ｖ以上３．５Ｖ未満
Ｅ…３．５Ｖ以上
なお、以下のランクにおいて、ランクＡ～Ｄであれば、感光体は本発明の効果を得られる。一方、ランクＥは従来技術の感光体と同レベルの短期電位変動値の評価となる。
Ａ…２．０Ｖ未満
Ｂ…２．０Ｖ以上２．５Ｖ未満
Ｃ…２．５Ｖ以上３．０Ｖ未満
Ｄ…３．０Ｖ以上３．５Ｖ未満
Ｅ…３．５Ｖ以上
【】
＜残留電位変動評価＞
残留電位の測定は、明部電位の測定を行った後の帯電が切れた位置から感光体が１周した時点で測定を開始し、感光体１周分測定した。また、残留電位の測定も明部電位の測定と同様に周方向３０度ごとに１２点について行った。その後、感光体１周中の平均値を算出し、これを初期残留電位とした。
２０枚通紙後の残留電位についても同様の方法で行い、感光体１周中の平均値を算出し、これを２０枚通紙後残留電位とした。
最後に、初期残留電位と２０枚通紙後残留電位の差分の絶対値を算出し、得られた値の平均値を残留電位変動値とした。評価結果を表５及び表６に示す。
得られた値はすべての感光体で同レベルであった。
残留電位の測定は、明部電位の測定を行った後の帯電が切れた位置から感光体が１周した時点で測定を開始し、感光体１周分測定した。また、残留電位の測定も明部電位の測定と同様に周方向３０度ごとに１２点について行った。その後、感光体１周中の平均値を算出し、これを初期残留電位とした。
２０枚通紙後の残留電位についても同様の方法で行い、感光体１周中の平均値を算出し、これを２０枚通紙後残留電位とした。
最後に、初期残留電位と２０枚通紙後残留電位の差分の絶対値を算出し、得られた値の平均値を残留電位変動値とした。評価結果を表５及び表６に示す。
得られた値はすべての感光体で同レベルであった。
【】
［結晶方位評価］
上記で製造した各電子写真感光体を用いて、次のようにして結晶方位の評価を行った。
まず、支持体のどちらか一方の端から軸方向に全長の１／８、２／８、３／８、４／８、５／８、６／８、７／８にあたる位置を決めた。さらにそれぞれの位置において周方向に９０°ずつ４分割する。軸方向の分割線と周方向の分割線が交わる２８点それぞれにおいて、軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるように１０ｍｍ四方の断片を切り出す。研磨シートで保護層を除去した後、メチルエチルケトンを用いて感光層を除去した。その後、バフ研磨によって支持体表面の露出、鏡面仕上げを行った。次に水酸化ナトリウム水溶液に１分浸漬させて処理して結晶方位観察用のサンプルを得た。
得られたサンプルの表面の中央つまり、前記した支持体の軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるようにした１００μｍ四方の領域について、ＳＥＭ－ＥＢＳＰ法により観察した。観察結果より、各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合及びＡｌの結晶粒の平均面積を算出した。結果を表５及び表６に示す。
上記で製造した各電子写真感光体を用いて、次のようにして結晶方位の評価を行った。
まず、支持体のどちらか一方の端から軸方向に全長の１／８、２／８、３／８、４／８、５／８、６／８、７／８にあたる位置を決めた。さらにそれぞれの位置において周方向に９０°ずつ４分割する。軸方向の分割線と周方向の分割線が交わる２８点それぞれにおいて、軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるように１０ｍｍ四方の断片を切り出す。研磨シートで保護層を除去した後、メチルエチルケトンを用いて感光層を除去した。その後、バフ研磨によって支持体表面の露出、鏡面仕上げを行った。次に水酸化ナトリウム水溶液に１分浸漬させて処理して結晶方位観察用のサンプルを得た。
得られたサンプルの表面の中央つまり、前記した支持体の軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるようにした１００μｍ四方の領域について、ＳＥＭ－ＥＢＳＰ法により観察した。観察結果より、各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合及びＡｌの結晶粒の平均面積を算出した。結果を表５及び表６に示す。
【】
【表】
【】
【表】
【】
本発明の実施形態は以下の構成を含む。
（構成１）
円筒状の支持体、該支持体の直上に形成された下引き層、及び該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、下記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は下記式（Ａ２）で示される化合物を含む組成物の硬化物を含有し、
該支持体の表面が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体表面のＡｌの集合組織の表面方向における該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
のいずれかに分類されるＡｌの結晶粒からなり、
該支持体の表面の全面積に対する該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１０％を超える、
ことを特徴とする電子写真感光体。
![]()
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（式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｒ１０１～Ｒ１０６、Ｒ２０１～Ｒ２１０は、それぞれ独立に、下記式（Ｂ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換の複素環基を示す。ただし、Ｒ１０１～Ｒ１０６の少なくとも１つ、及びＲ２０１～Ｒ２１０の少なくとも１つは、下記式（Ｂ）で示される１価の基である。該アルキル基のＣＨ２の１つは、Ｏ又はＳで置換されていてもよい、あるいは該アルキル基のＣＨの１つはＮで置換されていてもよい。該置換のアルキル基の置換基は、アリール基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、及びヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。該置換のアリール基及び該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン基置換アルキル基、及びアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。）
![]()
（式（Ｂ）中、ａ、ｂ、及びｃの少なくとも１つは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する。ｌ及びｍは、それぞれ独立に、０又は１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
ａは、主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、炭素数１～６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、又はフェニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基を示し、これらのアルキレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。これらのアルキレン基の主鎖中のＣＨ２の１つはＯ又はＳで置換されていてもよい。あるいはこれらのアルキレン基の主鎖中のＣＨの１つはＮで置換されていてもよい。
ｂは、フェニレン基、炭素数１～６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、又はアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらのフェニレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
ｃは、水素原子、カルボキシ基、主鎖の炭素数が１～６のアルキル基、又は炭素数１～５のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキル基を示し、これらのアルキル基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。）
（構成２）
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１１％以上である、構成１に記載の電子写真感光体。
（構成３）
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が５０％以上である、構成１又は２に記載の電子写真感光体。
（構成４）
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が７５％以上である、構成１から３のいずれかに記載の電子写真感光体。
（構成５）
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が５％以下である、構成１から４のいずれかに記載の電子写真感光体。
（構成６）
前記Ａｌ合金が、０．２質量％以上０．６質量％以下のＳｉ及び０．４５質量％以上０．９質量％以下のＭｇを含む、構成１から５のいずれかに記載の電子写真感光体。
（構成７）
構成１から６のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
（構成８）
構成１から６のいずれかに記載の電子写真感光体、並びに、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を有する電子写真装置。
（構成１）
円筒状の支持体、該支持体の直上に形成された下引き層、及び該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、下記式（Ａ１）で示される化合物及び／又は下記式（Ａ２）で示される化合物を含む組成物の硬化物を含有し、
該支持体の表面が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体表面のＡｌの集合組織の表面方向における該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
のいずれかに分類されるＡｌの結晶粒からなり、
該支持体の表面の全面積に対する該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１０％を超える、
ことを特徴とする電子写真感光体。
【化】
【化】
【化】
ａは、主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、炭素数１～６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基、又はフェニル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキレン基を示し、これらのアルキレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。これらのアルキレン基の主鎖中のＣＨ２の１つはＯ又はＳで置換されていてもよい。あるいはこれらのアルキレン基の主鎖中のＣＨの１つはＮで置換されていてもよい。
ｂは、フェニレン基、炭素数１～６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、又はアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらのフェニレン基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
ｃは、水素原子、カルボキシ基、主鎖の炭素数が１～６のアルキル基、又は炭素数１～５のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１～６のアルキル基を示し、これらのアルキル基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。）
（構成２）
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が１１％以上である、構成１に記載の電子写真感光体。
（構成３）
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が５０％以上である、構成１又は２に記載の電子写真感光体。
（構成４）
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が７５％以上である、構成１から３のいずれかに記載の電子写真感光体。
（構成５）
前記支持体の表面の全面積に対する、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積が５％以下である、構成１から４のいずれかに記載の電子写真感光体。
（構成６）
前記Ａｌ合金が、０．２質量％以上０．６質量％以下のＳｉ及び０．４５質量％以上０．９質量％以下のＭｇを含む、構成１から５のいずれかに記載の電子写真感光体。
（構成７）
構成１から６のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
（構成８）
構成１から６のいずれかに記載の電子写真感光体、並びに、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を有する電子写真装置。
【符号の説明】
【】
１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段
【図】
【図】
【図】