特表 2024-504595 フィンキャパシタ設計によるキャパシタンス微調整

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-01

(54)【発明の名称】フィンキャパシタ設計によるキャパシタンス微調整

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/822 20060101AFI20240125BHJP

【ＦＩ】

H01L27/04 C

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023541801

(86)(22)【出願日】2021-11-30

(85)【翻訳文提出日】2023-07-10

(86)【国際出願番号】 US2021061266

(87)【国際公開番号】W WO2022154878

(87)【国際公開日】2022-07-21

(31)【優先権主張番号】17/149,006

(32)【優先日】2021-01-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】507364838

【氏名又は名称】クアルコム，インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100163522

【弁理士】

【氏名又は名称】黒田 晋平

(72)【発明者】

【氏名】ノスン・パク

(72)【発明者】

【氏名】チャンハン・ホビー・ユン

(72)【発明者】

【氏名】ダニエル・デイク・キム

(72)【発明者】

【氏名】サミール・スニル・ヴァダヴカル

(72)【発明者】

【氏名】パラグクマル・アジャイバイ・タデサル

【テーマコード（参考）】

5F038

【Ｆターム（参考）】

5F038AC03

5F038AC05

5F038AC10

5F038AC15

5F038CA10

5F038CD13

5F038DF02

(57)【要約】

デバイスは、第１の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層の第１のプレートと、第１のプレート上の主絶縁体層と、主絶縁体層上の第２のプレートとで構成された主キャパシタを含む。第２のプレートは、第２のＢＥＯＬメタライゼーション層で構成される。デバイスは、第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して主キャパシタの第１のプレートに結合された第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の第１の同調キャパシタを含む。第１の同調キャパシタは、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の表面および側壁上の第１の絶縁体層で構成される。第１の同調キャパシタは、第１の絶縁体層の表面および側壁上の第２のＢＥＯＬ相互接続トレースを含む。デバイスは、第１の同調キャパシタの第２のＢＥＯＬ相互接続トレースによって結合された第１のビアキャプチャパッドを含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層で構成された第１のプレートと、前記第１のプレート上の主絶縁体層と、第２のＢＥＯＬメタライゼーション層で構成された、前記主絶縁体層上の第２のプレートとを備える主キャパシタと、
第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して前記主キャパシタの前記第１のプレートに結合された第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分と、前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第１の部分の表面および側壁上の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層の表面および側壁上の第２のＢＥＯＬ相互接続トレースとを備える第１の同調キャパシタと、
前記第１の同調キャパシタの前記第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合された第１のビアキャプチャパッドとを備えるデバイス。

【請求項2】

前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースは、前記第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに直交する、請求項１に記載のデバイス。

【請求項3】

前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースは、前記第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して前記主キャパシタの前記第１のプレートの一側面に結合される、請求項１に記載のデバイス。

【請求項4】

前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分と、前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第２の部分の表面および側壁上の第２の絶縁体層と、前記第２の絶縁体層の表面および側壁上の第３のＢＥＯＬ相互接続トレースとを備える第２の同調キャパシタと、
前記第２の同調キャパシタの前記第３のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合された第２のビアキャプチャパッドとをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。

【請求項5】

前記第２の同調キャパシタの前記第３のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅は、前記第１の同調キャパシタの前記第２のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅よりも大きい、請求項４に記載のデバイス。

【請求項6】

前記第２の同調キャパシタの前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第２の部分の幅は、前記第１の同調キャパシタの前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第１の部分の幅よりも大きい、請求項４に記載のデバイス。

【請求項7】

前記主キャパシタの前記第２のプレートに結合された第１のビアと、
前記第２のビアキャプチャパッドに結合された第２のビアと、
前記第１のビアおよび前記第２のビア上の第３のＢＥＯＬメタライゼーション層とをさらに備える、請求項４に記載のデバイス。

【請求項8】

前記主キャパシタの前記第２のプレートに結合された第１のビアと、
前記第１のビアキャプチャパッドに結合された第２のビアと、
前記第１のビアおよび前記第２のビア上の第３のＢＥＯＬメタライゼーション層とをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。

【請求項9】

前記第１の絶縁体層の第１の幅は、前記第１の同調キャパシタの前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第１の部分の幅よりも大きく、前記第１の絶縁体層の第２の幅は、前記第１の同調キャパシタの前記第２のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅よりも大きい、請求項１に記載のデバイス。

【請求項10】

前記デバイスは、集積回路（ＩＣ）を備える、請求項１に記載のデバイス。

【請求項11】

前記デバイスは、集積受動デバイス（ＩＰＤ）を備える、請求項１に記載のデバイス。

【請求項12】

前記集積受動デバイス（ＩＰＤ）は、無線周波数（ＲＦ）フィルタを備える、請求項１１に記載のデバイス。

【請求項13】

前記ＩＰＤは、無線周波数（ＲＦ）モジュールに組み込まれる、請求項１１に記載のデバイス。

【請求項14】

同調キャパシタに結合された主キャパシタを製造するための方法であって、
第１の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層で構成された前記主キャパシタの第１のプレートを形成するステップと、
第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して前記主キャパシタの前記第１のプレートに結合された第１のＢＥＯＬ相互接続トレースを堆積させて、前記同調キャパシタの第１のプレートを形成するステップと、
前記主キャパシタの前記第１のプレートおよび前記同調キャパシタの前記第１のプレート上に絶縁体層を堆積させるステップと、
前記絶縁体層上に第２のＢＥＯＬメタライゼーション層を堆積させて前記主キャパシタの第２のプレートを形成し、前記絶縁体層上に第２のＢＥＯＬ相互接続トレースを堆積させて前記同調キャパシタの第２のプレートを形成するステップと、
前記主キャパシタの前記第２のプレートに結合された第１のビアおよび前記第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合されたビアキャプチャパッドに結合された第２のビアを形成するステップとを含む方法。

【請求項15】

前記同調キャパシタは、
前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分と、前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第１の部分の表面および側壁上の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層の表面および側壁上の第２のＢＥＯＬ相互接続トレースとを備える第１の同調キャパシタと、
前記第１の同調キャパシタの前記第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合された第１のビアキャプチャパッドと、
前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分と、前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第２の部分の表面および側壁上の第２の絶縁体層と、前記第２の絶縁体層の表面および側壁上の第３のＢＥＯＬ相互接続トレースとを備える第２の同調キャパシタと、
前記第２の同調キャパシタの前記第３のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合された第２のビアキャプチャパッドとを備える、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記第２の同調キャパシタの前記第３のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅は、前記第１の同調キャパシタの前記第２のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅よりも大きい、請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

前記第２の同調キャパシタの前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第２の部分の幅は、前記第１の同調キャパシタの前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第１の部分の幅よりも大きい、請求項１５に記載の方法。

【請求項18】

前記主キャパシタの前記第２のプレートに結合された第１のビアを形成するステップと、
第１のビアキャパシタパッドに結合された第２のビアを形成するステップと、
前記第１のビアおよび前記第２のビア上の第３のＢＥＯＬメタライゼーション層を形成するステップとをさらに含む、請求項１５に記載の方法。

【請求項19】

前記主キャパシタの前記第２のプレートに結合された第１のビアを形成するステップと、
前記第２のビアキャプチャパッドに結合された第２のビアを形成するステップと、
前記第１のビアおよび前記第２のビア上の第３のＢＥＯＬメタライゼーション層を形成するステップとをさらに含む、請求項１５に記載の方法。

【請求項20】

前記第１の絶縁体層の第１の幅は、前記第１の同調キャパシタの前記第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの前記第１の部分の幅よりも大きく、前記第１の絶縁体層の第２の幅は、前記第１の同調キャパシタの前記第２のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅よりも大きい、請求項１５に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、その開示が参照により内容全体が本明細書に組み込まれる、２０２１年１月１４日出願の「ＣＡＰＡＣＩＴＡＮＣＥ ＦＩＮＥ ＴＵＮＩＮＧ ＢＹ ＦＩＮ ＣＡＰＡＣＩＴＯＲ ＤＥＳＩＧＮ」と題する米国特許出願第１７／１４９，００６号の優先権を主張する。

【0002】

本開示の態様は、半導体デバイスに関し、より詳細には、フィンキャパシタ設計を使用するキャパシタンス調整に関する。

【背景技術】

【0003】

モバイル無線周波数（ＲＦ）チップ（たとえば、モバイルＲＦトランシーバ）は、コストおよび電力消費量の問題に起因してディープサブミクロンプロセスノードに移行している。モバイルＲＦトランシーバの設計は、第５世代（５Ｇ）新無線（ＮＲ）通信システムなどの、通信拡張をサポートするための付加された回路機能によってさらに複雑化されている。モバイルＲＦトランシーバに関するさらなる設計課題には、受動デバイスを使用することが含まれ、このことは、不適合、ノイズ、および性能面のその他の問題を含むアナログ／ＲＦ性能面の問題に直接影響を及ぼす。

【0004】

受動デバイスは、高性能キャパシタ構成要素を含むことがある。たとえば、アナログ集積回路は、集積キャパシタなどの様々なタイプの受動デバイスを使用する。たとえば、受動デバイスは、集積受動デバイス（ＩＰＤ）であってもよい。このような集積キャパシタは、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）キャパシタ、ｐ－ｎ接合キャパシタ、金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタ、ポリポリキャパシタ、金属酸化物金属（ＭＯＭ）キャパシタ、および他の同様のキャパシタ構造を含んでもよい。

【0005】

モバイル無線周波数（ＲＦ）トランシーバの設計には、金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタを含めてもよい。残念ながら、動作中に、ＭＩＭキャパシタのキャパシタンス値は、ＲＦトランシーバなどのＲＦ製品内で変動することがある。高精度アプリケーションのために低減されたキャパシタンス調整間隔をサポートする同調キャパシタが必要とされている。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0006】

デバイスは、配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層の第１のプレートと、第１のプレート上の主絶縁体層と、主絶縁体層上の第２のプレートとで構成された主キャパシタを含む。第２のプレートは、第２のＢＥＯＬメタライゼーション層で構成される。デバイスは、第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して主キャパシタの第１のプレートに結合された第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の第１の同調キャパシタを含む。第１の同調キャパシタは、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の表面および側壁上の第１の絶縁体層で構成される。第１の同調キャパシタは、第１の絶縁体層の表面および側壁上の第２のＢＥＯＬ相互接続トレースを含む。デバイスは、第１の同調キャパシタの第２のＢＥＯＬ相互接続トレースによって結合された第１のビアキャプチャパッドを含む。

【0007】

同調キャパシタに結合された主キャパシタを製造するための方法について説明する。この方法は、第１の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層で構成された主キャパシタの第１のプレートを形成するステップを含む。この方法はまた、第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して主キャパシタの第１のプレートに結合された第１のＢＥＯＬ相互接続トレースを堆積させて、同調キャパシタの第１のプレートを形成するステップを含む。この方法は、主キャパシタの第１のプレートおよび同調キャパシタの第１のプレート上に絶縁体層を堆積させるステップをさらに含む。この方法はまた、絶縁体層上に第２のＢＥＯＬメタライゼーション層を堆積させて主キャパシタの第２のプレートを形成し、絶縁体層上に第２のＢＥＯＬ相互接続トレースを堆積させて同調キャパシタの第２のプレートを形成するステップを含む。この方法は、主キャパシタの第２のプレートに結合された第１のビアおよび第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合されたビアキャプチャパッドに結合された第２のビアを形成するステップをさらに含む。

【0008】

上記では、後続の詳細な説明をよりよく理解することができるように、本開示の特徴および技術的利点について、かなり大まかに概説してきた。本開示の追加の特徴および利点について、以下で説明する。本開示が、本開示と同じ目的を果たすための他の構造を変更または設計するための基礎として容易に利用できることを、当業者は理解されたい。そのような同等な構成は、添付の特許請求の範囲に記載される本開示の教示から逸脱しないことも当業者は認識されたい。本開示の構成と動作方法の両方に関して本開示の特徴と考えられる新規の特徴は、さらなる目的と利点とともに、以下の説明が添付の図面に関連して検討されればよりよく理解されよう。しかしながら、図の各々は、例示および説明のみの目的で提供されたものであり、本開示の限度を定めるものではないことを明確に理解されたい。

【0009】

本開示のより完全な理解が得られるように、ここで、添付の図面と併せて以下の説明が参照される。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】受動デバイスを使用する無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールの概略図である。

【図2】チップセットに受動デバイスを使用する無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールの概略図である。

【図3】本開示の態様による、主キャパシタと同調キャパシタとを含む集積回路（ＩＣ）デバイスの断面図を示すブロック図である。

【図4A】本開示の態様による、フィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを示すブロック図である。

【図4B】本開示の態様による、フィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを示すブロック図である。

【図4C】本開示の態様による、フィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを示すブロック図である。

【図5A】本開示の態様による、フィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを示す平面図である。

【図5B】本開示の態様による、フィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを示す平面図である。

【図6A】本開示の態様による、フィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを示す平面図である。

【図6B】本開示の態様による、フィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを示す平面図である。

【図7A】本開示の態様による、ビア形成を使用して主キャパシタの同調キャパシタンスを調整することを可能にされる主キャパシタとフィン型同調キャパシタとを含む、図４Ａ～図４Ｃの無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを製造するプロセスを示す図である。

【図7B】本開示の態様による、ビア形成を使用して主キャパシタの同調キャパシタンスを調整することを可能にされる主キャパシタとフィン型同調キャパシタとを含む、図４Ａ～図４Ｃの無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを製造するプロセスを示す図である。

【図7C】本開示の態様による、ビア形成を使用して主キャパシタの同調キャパシタンスを調整することを可能にされる主キャパシタとフィン型同調キャパシタとを含む、図４Ａ～図４Ｃの無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを製造するプロセスを示す図である。

【図7D】本開示の態様による、ビア形成を使用して主キャパシタの同調キャパシタンスを調整することを可能にされる主キャパシタとフィン型同調キャパシタとを含む、図４Ａ～図４Ｃの無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを製造するプロセスを示す図である。

【図7E】本開示の態様による、ビア形成を使用して主キャパシタの同調キャパシタンスを調整することを可能にされる主キャパシタとフィン型同調キャパシタとを含む、図４Ａ～図４Ｃの無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを製造するプロセスを示す図である。

【図7F】本開示の態様による、ビア形成を使用して主キャパシタの同調キャパシタンスを調整することを可能にされる主キャパシタとフィン型同調キャパシタとを含む、図４Ａ～図４Ｃの無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを製造するプロセスを示す図である。

【図8】本開示の一態様による、同調キャパシタに結合された主キャパシタを製造するための方法を示すプロセスフロー図である。

【図9】本開示の構成が有利に利用される場合がある例示的なワイヤレス通信システムを示すブロック図である。

【図10】一構成による、半導体構成要素の回路設計、レイアウト設計、および論理設計に使用される、設計用ワークステーションを示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

添付の図面に関して以下に記載される詳細な説明は、様々な構成の説明として意図され、本明細書で説明される概念が実践される場合がある唯一の構成を表すものではない。詳細な説明は、様々な概念の完全な理解を与えるための具体的な詳細を含む。しかしながら、これらの概念は、これらの特定の詳細なしに実践され得ることが当業者には明らかであろう。いくつかの事例では、よく知られている構造および構成要素は、そのような概念を不明瞭にすることを避けるためにブロック図の形で示される。

【0012】

本明細書において説明されるときに、「および／または」という用語の使用は、「包含的論理和」を表すことが意図されており、「または」という用語の使用は、「排他的論理和」を表すことが意図されている。本明細書で説明するとき、本説明全体を通して使用されている「例示的」という用語は、「例、事例、または例証としての役割を果たす」ことを意味しており、必ずしも他の例示的な構成に優る好ましい、または有利なものとして解釈してはならない。本明細書で説明するとき、本説明全体を通して使用されている「結合される」という用語は、「電気的、機械的、またはそれ以外の介在接続（たとえば、スイッチ）を介して直接または間接に接続される」ことを意味し、必ずしも物理的接続に限定されるとは限らない。加えて、接続は、対象物が永続的に接続されてもよく、または解放可能に接続されてもよい。接続は、スイッチを介することができる。本明細書で説明するとき、本説明全体を通して使用されている「近接した」という用語は、「隣接した、極めて近い、隣の、または近くの」を意味する。本明細書で説明するとき、本説明全体を通して使用されている「上に」という用語は、いくつかの構成においては「直接的に上に」を意味し、他の構成においては「間接的に上に」を意味する。

【0013】

モバイル無線周波数（ＲＦ）チップ（たとえば、モバイルＲＦトランシーバ）は、コストおよび電力消費量の問題に起因してディープサブミクロンプロセスノードに移行している。モバイルＲＦトランシーバの設計は、第５世代（５Ｇ）新無線（ＮＲ）通信システムなどの、通信拡張をサポートするための付加された回路機能によってさらに複雑化されている。モバイルＲＦトランシーバに関するさらなる設計課題には、受動デバイスを使用することが含まれ、このことは、不適合、ノイズ、および性能面のその他の問題を含むアナログ／ＲＦ性能面の問題に直接影響を及ぼす。

【0014】

モバイル無線周波数（ＲＦ）トランシーバにおける受動デバイスは、高性能キャパシタ構成要素を含んでもよい。たとえば、アナログ集積回路は、集積キャパシタなどの様々なタイプの受動デバイスを使用する。このような集積キャパシタは、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）キャパシタ、ｐ－ｎ接合キャパシタ、金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタ、ポリポリキャパシタ、金属酸化物金属（ＭＯＭ）キャパシタ、および他の同様のキャパシタ構造を含んでもよい。キャパシタは一般に、電荷を蓄積するために集積回路内で使用される受動素子である。たとえば、平行板キャパシタは、導電性があるプレートまたは構造を使用して、プレート間に絶縁材料を挟んで作られることが多い。

【0015】

所与のキャパシタ用の蓄積の量、すなわち、キャパシタンスは、それらのプレートおよび絶縁体を作るために使用される材料、プレートの面積、およびプレート間の間隔に依存する。絶縁材料は誘電材料であることが多い。プレートおよび誘電材料を調整することによって、平行板キャパシタは、指定されたキャパシタンスレベルを示すように製造され得る。この平行板キャパシタは、半導体チップ上に製造され、多くの設計では、チップの基板上にキャパシタが配置される。金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタなどの平行板キャパシタは、能動デバイス、または集積受動デバイス（ＩＰＤ）などの受動デバイス内に製造されてもよい。残念ながら、集積回路（ＩＣ）または受動構成要素無線周波数（ＲＦ）フィルタ製造プロセス中にキャパシタンスの変動が生じることがある。

【0016】

ＩＣまたは受動構成要素ＲＦフィルタ製造プロセスの間のキャパシタンスの変動は、ＲＦプロセスの特性に起因して生じる。すなわち、ＲＦフィルタ製造プロセスに起因して、実際のキャパシタンス値がある数値範囲間で変動する（たとえば、製造ロット間変動、および／またはウエハ内変動）。同調キャパシタは、キャパシタンスの変動を指定されたキャパシタンス値により近い値に整合するように補償してもよい。この同調キャパシタがビアキャプチャパッドを使用して製造されるとき、金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタンスの最小調整は、最小キャプチャパッドサイズによって制限され、最小キャプチャパッドサイズは、非常に雑である場合があるビア形成プロセス（たとえば、フォトプロセス）によって指定される。

【0017】

本開示の様々な態様は、フィンキャパシタ設計を使用して金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタンス調整を行う。フィンキャパシタ設計を製造するためのプロセスフローは、基板工程（ＦＥＯＬ）プロセス、中間工程（ＭＯＬ）プロセス、および配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスを含んでもよい。「層」という用語は、膜を含み、別段述べられていない限り、垂直厚または水平厚を示すものと解釈されないことが理解されよう。説明されるように、「基板」という用語は、ダイシングされたウエハの基板を指す場合があるか、または、ダイシングされていないウエハの基板を指す場合がある。同様に、チップおよびダイという用語は、互換的に使用され得る。

【0018】

説明されるように、配線工程相互接続層は、集積回路の基板工程能動デバイスに電気的に結合するための導電相互接続層（たとえば、第１の相互接続層（Ｍ１）または金属１（Ｍ１）、金属２（Ｍ２）、金属３（Ｍ３）、金属４（Ｍ４）など）を指すことがある。様々なＢＥＯＬ相互接続層は、対応するＢＥＯＬ相互接続層において形成され、下方のＢＥＯＬ相互接続層は、上方のＢＥＯＬ相互接続層に対してより薄い金属層を使用する。ＢＥＯＬ相互接続層は、中間工程（ＭＯＬ）相互接続層に電気的に結合して、たとえば、Ｍ１を集積回路の酸化物拡散（ＯＤ）層に接続してもよい。ＭＯＬ相互接続層は、Ｍ１を集積回路の能動デバイス層に接続するためのゼロ相互接続層（Ｍ０）を含んでもよい。ＢＥＯＬ第１ビア（Ｖ２）は、ＢＥＯＬ相互接続層のＭ３またはその他にＭ２を接続してよい。

【0019】

本開示の態様によれば、集積回路は、フィン型キャパシタ設計に従って構成された同調キャパシタを備える。一構成では、集積回路は、金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタを含む。ＭＩＭキャパシタは、第１の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層で構成された第１のプレートと、第１のプレート上のＭＩＭ誘電体層と、ＭＩＭ誘導体層上の第２のＢＥＯＬメタライゼーション層で構成された第２のプレートとを含む。集積回路はまた、第１の同調キャパシタを含む。

【0020】

一構成では、同調キャパシタは、金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタの第１のプレートに結合された第１の配線工程（ＢＥＯＬ）層で構成される。同調キャパシタは、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分上の第１の誘電体層と、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の側壁とを含む。同調キャパシタは、第１の誘電体層の表面および側壁上の第２のＢＥＯＬ相互接続トレースをさらに含む。集積回路は、第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合された第１のビアキャプチャパッドをさらに含む。第１のビアキャプチャパッドは、第１の同調キャパシタの第１のキャパシタ領域およびＭＩＭキャパシタの外側に配置される。ターゲットキャパシタンスは、第１のビアキャプチャパッドをビアを介して第３のＢＥＯＬメタライゼーション層に結合することによって決定される。

【0021】

本開示の態様によれば、同調キャパシタのフィン型キャパシタ設計は、有効キャパシタンス領域を縮小することができ、それによって、微細なキャパシタンス調整が可能になる。有効キャパシタンス領域は、第１の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層（Ｍ１）、第２のＢＥＯＬメタライゼーション層Ｍ２上のフィン幅によって画定され、最小フィン幅は、集積回路デバイスの再配線層（ＲＤＬ）機能によって決定される。一構成では、同調キャパシタは、５マイクロメートル（μｍ）設計によって提供される同調キャパシタンスステップをサポートするように構成され、同調キャパシタンスステップは約０．００７８ピコファラド（ｐＦ）である（たとえば、２．５８ｐＦターゲットキャパシタンスを仮定すると０．３％）。

【0022】

図１は、キャパシタ１１６（たとえば、フィン型金属絶縁体金属（ＭＩＭ）同調キャパシタ）を含む受動デバイスを使用する無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール１００の概略図である。ＲＦＦＥモジュール１００は、電力増幅器１０２と、デュプレクサ／フィルタ１０４と、無線周波数（ＲＦ）スイッチモジュール１０６とを含む。電力増幅器１０２は、信号を送信のための特定の電力レベルに増幅する。デュプレクサ／フィルタ１０４は、周波数、挿入損失、拒絶、または他の同様のパラメータを含む様々な異なるパラメータに応じて入出力信号をフィルタ処理する。さらに、ＲＦスイッチモジュール１０６は、ＲＦＦＥモジュール１００の残りの部分に渡す入力信号の特定の部分を選択してもよい。

【0023】

無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール１００はまた、チューナー回路１１２（たとえば、第１のチューナー回路１１２Ａおよび第２のチューナー回路１１２Ｂ）と、ダイプレクサ１９０と、キャパシタ１１６と、インダクタ１１８と、接地端子１１５と、アンテナ１１４とを含む。チューナー回路１１２（たとえば、第１のチューナー回路１１２Ａおよび第２のチューナー回路１１２Ｂ）は、チューナー、ポータブルデータ入力端末（ＰＤＥＴ）、およびハウスキーピングアナログデジタル変換器（ＨＫＡＤＣ）などの構成要素を含む。チューナー回路１１２は、アンテナ１１４についてのインピーダンス同調（たとえば、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）最適化）を実行し得る。ＲＦＦＥモジュール１００は、ワイヤレストランシーバ（ＷＴＲ）１２０に結合された受動コンバイナ１０８も含む。受動コンバイナ１０８は、第１のチューナー回路１１２Ａおよび第２のチューナー回路１１２Ｂからの検出された電力を組み合わせる。ワイヤレストランシーバ１２０は、受動コンバイナ１０８からの情報を処理し、この情報をモデム１３０（たとえば、移動局モデム（ＭＳＭ））に提供する。モデム１３０は、デジタル信号をアプリケーションプロセッサ（ＡＰ）１４０に与える。

【0024】

図１に示すように、ダイプレクサ１９０は、チューナー回路１１２のチューナー構成要素とキャパシタ１１６（たとえば、フィン型金属絶縁体金属（ＭＩＭ）同調キャパシタ）、インダクタ１１８、およびアンテナ１１４との間に位置する。ダイプレクサ１９０は、アンテナ１１４とチューナー回路１１２との間に配置され、無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール１００から、ワイヤレストランシーバ１２０と、モデム１３０と、アプリケーションプロセッサ１４０とを含むチップセットへ高システム性能を提供することができる。ダイプレクサ１９０は、ハイバンド周波数とローバンド周波数の両方に対して周波数ドメイン多重化も実行する。ダイプレクサ１９０が、入力信号に対してダイプレクサ１９０の周波数多重化機能を実行した後、ダイプレクサ１９０の出力が、キャパシタ１１６とインダクタ１１８とを含む任意のインダクタ／キャパシタ（ＬＣ）ネットワークに送られる。ＬＣネットワークは、必要に応じて、アンテナ１１４の追加のインピーダンス整合構成要素を構成してもよい。その場合、特定の周波数を有する信号がアンテナ１１４によって送信または受信される。単一のキャパシタおよびインダクタが示されているが、複数の構成要素も企図される。

【0025】

図２は、チップセット１６０のために、第１のダイプレクサ１９０－１を含むワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）（たとえば、Ｗｉ－Ｆｉ）モジュール１７０と、第２のダイプレクサ１９０－２を含む無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール１５０とを有し、フィン型金属絶縁体金属（ＭＩＭ）同調キャパシタを含む、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ２００の概略図である。Ｗｉ－Ｆｉモジュール１７０は、アンテナ１９２をワイヤレスローカルエリアネットワークモジュール（たとえば、ＷＬＡＮモジュール１７２）に通信可能に結合する第１のダイプレクサ１９０－１を含む。ＲＦＦＥモジュール１５０は、アンテナ１９４をデュプレクサ１８０を介してワイヤレストランシーバ（ＷＴＲ）１２０に通信可能に結合する第２のダイプレクサ１９０－２を含む。ワイヤレストランシーバ１２０およびＷｉ－Ｆｉモジュール１７０のＷＬＡＮモジュール１７２は、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）１５６を介して電源１５２によって電力を供給されるモデム（移動局モデム（ＭＳＭ）、たとえばベースバンドモデム）１３０に結合される。チップセット１６０は、信号完全性を実現するためにキャパシタ１６２および１６４ならびにインダクタ１６６も含む。

【0026】

電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）１５６、モデム１３０、ワイヤレストランシーバ１２０、およびワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）モジュール１７２の各々は、キャパシタ（たとえば、１５８、１３２、１２２、および１７４）を含み、クロック１５４に従って動作する。さらに、インダクタ１６６は、モデム１３０をＰＭＩＣ１５６に結合する。無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ２００の設計は、本開示の態様による、フィン型ＭＩＭ同調キャパシタを備える金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタを含む。

【0027】

図３は、本開示の態様による、主キャパシタ３１０と同調キャパシタ３２０とを含む集積回路（ＩＣ）デバイス３００の断面図を示すブロック図である。一構成では、主キャパシタ３１０および同調キャパシタ３２０は、半導体基板（たとえば、ダイシングされたシリコンウエハ）上に複数の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、．．．、Ｍｎ）を含むＩＣデバイス３００の相互接続スタックから形成される。たとえば、主キャパシタ３１０および同調キャパシタ３２０は、金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタである。この例では、主キャパシタ３１０および同調キャパシタ３２０は、メタライゼーション層Ｍ３の下方にＭ１およびＭ２メタライゼーション層のプレートを使用して形成される。

【0028】

一構成では、主キャパシタ３１０は、第１のプレート３１２と、第１のプレート３１２上の絶縁体３１４と、絶縁体３１４上の第２のプレート３１６とを含む。第１のプレート３１２は、メタライゼーション層Ｍ１から形成され、第２のプレート３１６は、メタライゼーション層Ｍ２から形成される。同調キャパシタ３２０は、第１のプレート３２２と、第１のプレート３２２上の絶縁体３２４と、絶縁体３２４上の第２のプレート３２６とを含む。主キャパシタ３１０と同様に、第１のプレート３２２は、メタライゼーション層Ｍ１から形成され、第２のプレート３２６は、メタライゼーション層Ｍ２から形成される。詳細には、主キャパシタ３１０と同調キャパシタ３２０とは、メタライゼーション層Ｍ１を第１のプレート（たとえば、３１２／３２２）として共有し、それぞれ第１のビア３０２および第２のビア３４０を介してメタライゼーション層Ｍ３ ３５０に結合される。

【0029】

本開示の態様によれば、同調キャパシタ３２０の第２のプレート３２６は、ビアキャプチャパッドとして動作するように構成され、ビアキャプチャパッドとして動作するような寸法を有する。残念ながら、メタライゼーション層Ｍ２におけるビアキャプチャパッドとして構成された第２のプレート３２６の最小サイズは、方形のパッドの辺ごとに約３０ミクロンである。この構成では、第２のプレート３２６のビアエッジとパッドエッジとの間の５ミクロン幅が、（たとえば、フォトプロセスを使用して）最小ビアサイズを約２０ミクロンに制限する。第２のプレート３２６のこの構成（たとえば、３０×３０ミクロンパッド）に基づいて、同調キャパシタ３２０から利用可能な最小同調キャパシタンスは事前に決定される（たとえば、０．２８ピコファラド（ｐＦ））。さらに、主キャパシタ３１０は、所定のターゲットキャパシタンス（たとえば、２．６９ギガヘルツ（ＧＨｚ）： ２．５８ｐＦ）を伴って製造される。主キャパシタ３１０のこの所定のターゲットキャパシタンスに基づいて、同調キャパシタ３２０の所定の最小同調キャパシタンスは、約１１％であり、このキャパシタンスは、図２の無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ２００などの無線周波数（ＲＦ）製品には過度に雑で不十分である場合がある。

【0030】

図４Ａ、図４Ｂ、および図４Ｃは、本開示の態様による、フィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ４００を示すブロック図である。典型的に、ＲＦＩＣチップ４００は、ビア形成を使用して、主キャパシタ４１０の同調キャパシタンスを調整することを選択的に可能にされる主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０を含む。たとえば、主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０は、金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタである。この例では、主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０は、メタライゼーション層Ｍ３の下方にＭ１およびＭ２メタライゼーション層のプレートを使用して形成される。

【0031】

本開示の態様では、同調キャパシタ４２０は、第１のＢＥＯＬサイドライントレース４２８を介して主キャパシタ４１０の第１のプレート４１２に結合された第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８で構成されたフィン型同調キャパシタとして構成される。図４Ｂは、第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８の第１の部分上に第１の絶縁体層４２４を含む、図４Ａの第１の同調キャパシタ４２０－１の分解図を示す。第１の同調キャパシタ４２０－１は、第１の絶縁体層４２４上の第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２－１をさらに含む。この構成では、第１の同調キャパシタ４２０－１の断面図は、第１のプレート４２２と、第１のプレート４２２上の第１の絶縁体層４２４と、第１のプレート４２２の側壁とを含む。第１の同調キャパシタ４２０－１は、第１の絶縁体層４２４の表面および側壁上に第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２－１から形成された第２のプレート４２６（強調されている）をさらに含み、第１の同調キャパシタ４２０－１の形成を完成している。

【0032】

図４Ａに示されているように、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ４００は、第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２－１に結合された第１のビアキャプチャパッド４３０－１をさらに含む。第１のビアキャプチャパッド４３０－１は、第１の同調キャパシタ４２０－１の第１のキャパシタ領域および主キャパシタ４１０の外側に配置される４１０。

【0033】

再び図４Ｂを参照すると、第１の同調キャパシタ４２０－１のフィン型キャパシタ設計は、有効キャパシタンス領域を増大させることができ、それによって、微細なキャパシタンス調整が可能になる。一構成では、有効キャパシタンス領域は、第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８および第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２－１のフィン幅４６０（たとえば、２ミクロン）によって画定される。さらに、最小フィン幅は、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ４００の再配線層（ＲＤＬ）機能によって決定される。この構成では、第１の絶縁体層４２４（たとえば、パッシベーション（窒化ケイ素）層）の第１の幅Ｗ１は、第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８のフィン幅４６０よりも大きい。さらに、第１の絶縁体層４２４の第２の幅Ｗ２は、第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２－１のフィン幅４７０よりも大きい。一例では、５マイクロメートル（μｍ）のフィン幅４６０によって与えられる同調キャパシタンスステップは、約０．００７８ピコファラド（ｐＦ）である（たとえば、２．５８ｐＦのターゲットキャパシタンスを仮定すると、同調ステップは０．３％である）。ターゲットキャパシタンスは、図４ＣおよびＴａｂｌｅ Ｉ（表１）に示されるように、第１のビアキャプチャパッド４３０－１を第２のビア４４０を介してメタライゼーション層Ｍ３ ４５０に結合することによって決定される。

【0034】

【表1】

【0035】

図３に示されているように、主キャパシタ３１０のこの所定のターゲットキャパシタンスに基づいて、同調キャパシタ３２０の所定の最小同調キャパシタンスは、約１１％であり、このキャパシタンスは、図２の無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ２００などの無線周波数（ＲＦ）製品には過度に雑で不十分である場合がある。１１％同調キャパシタンスを有する同調キャパシタンスステップ（たとえば、０．２８ピコファラド（ｐＦ））対ビアキャプチャパッド（たとえば、３０×３０マイクロメートル（μｍ））についてのターゲットキャパシタンス（たとえば、２．５８ｐＦ）が列１に示されている。列２は、１．２％同調キャパシタンスを有する同調キャパシタンスステップ（たとえば、０．０３１ｐＦ）対フィン型同調キャパシタ（たとえば、１０×１０ミクロン）についてのターゲットキャパシタンスを示す。列３は、０．３％同調キャパシタンスを有する同調キャパシタンスステップ（たとえば、０．００７８ｐＦ）対フィン型同調キャパシタ（たとえば、５×５マイクロメートル（μｍ））についてのターゲットキャパシタンスを示す。列４は、０．０５％同調キャパシタンスを有する同調キャパシタンスステップ（たとえば、０．００１２ｐＦ）対フィン型同調キャパシタ（たとえば、２×２μｍ）についてのターゲットキャパシタンスを示す。

【0036】

図４Ｃは、メタライゼーション層Ｍ３ ４５０を介して第１の同調キャパシタ４２０－１に結合された主キャパシタ４１０を示す断面図である。この構成では、主キャパシタ４１０は、第１のプレート４１２と、第１のプレート４１２上の絶縁体層４１４と、絶縁体４１４上の第２のプレート４１６とを含む。第１のプレート４１２は、メタライゼーション層Ｍ１から形成され、第２のプレート４１６は、メタライゼーション層Ｍ２から形成される。第１の同調キャパシタ４２０－１は、第１のプレート４２２と、第１のプレート４２２上の第１の絶縁体層４２４と、第１の絶縁体層４２４上に第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２－１から形成された第２のプレート４２６とを含む。主キャパシタ４１０と同様に、第１のプレート４２２は、メタライゼーション層Ｍ１から形成され、第２のプレート４２６は、メタライゼーション層Ｍ２から形成される。詳細には、主キャパシタ４１０と同調キャパシタ４２０は、メタライゼーション層Ｍ１を第１のプレート（たとえば、４１２／４２２）として共有し、それぞれ第１のビア４０２および第２のビア４４０を介してメタライゼーション層Ｍ３ ４５０に結合される。第１のビア４０２および第２のビア４４０を選択的に配置すると、ターゲットキャパシタンスレベルがもたらされる。

【0037】

図５Ａおよび図５Ｂは、本開示の態様による、それぞれフィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ５００および５５０を示す平面図である。図５Ａに示されているＲＦＩＣチップ５００は、図４Ａに示されており、図４Ａの主キャパシタ４１０と同調キャパシタ４２０とを含むＲＦＩＣチップ４００と同様である。本開示のこの態様では、同調キャパシタ４２０は、単一サイドフィン構成に従って主キャパシタ４１０の一側面上に形成される。この構成は、ＲＦＩＣチップ５００のフットプリントを減少させるのに有益である。

【0038】

図５Ｂに示されている無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ５５０は、図５Ａに示されており、主キャパシタ４１０と同調キャパシタ４２０とを含むＲＦＩＣチップ５００と同様である。本開示のこの態様では、同調キャパシタ４２０がまた、単一サイドフィン構成に従って主キャパシタ４１０の一側面上に形成される。この構成では、図５Ａの単一サイドフィン構成とともに混合フィン幅が設けられている。たとえば、第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８および第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２の幅が、異なる幅（たとえば、５ミクロンまたは１０ミクロン）として形成される。この構成は、Ｔａｂｌｅ ＩＩ（表２）に示されているように異なるフィン幅を使用することによって様々な同調キャパシタンス間隔を使用可能にするうえで有益である場合がある。

【0039】

【表2】

【0040】

図６Ａおよび図６Ｂは、それぞれ、本開示の態様による、フィン型同調キャパシタを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ６００および６５０を示す平面図である。図６Ａに示されているＲＦＩＣチップ６００は、図５Ａに示されており、図４Ａの主キャパシタ４１０と同調キャパシタ４２０とを含むＲＦＩＣチップ５００と同様である。本開示のこの態様では、同調キャパシタ４２０がまた、単一サイドフィン構成に従って主キャパシタ４１０の一側面上に形成される。この構成は、ビアキャプチャパッド４３０および第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２を第１のＢＥＯＬサイドライントレース４２８に直交させて配置することによって、ＲＦＩＣチップ５００のフットプリントを減少させるのに有益である場合がある。詳細には、この構成は、ビアキャプチャパッド４３０および第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２を回転させて、図５Ａに示されている構成に対する確保された領域６０２をもたらす。

【0041】

図６Ｂに示されている無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ６５０は、図５Ｂに示されており、図４Ａの主キャパシタ４１０と同調キャパシタ４２０とを含むＲＦＩＣチップ５５０と同様である。本開示のこの態様では、同調キャパシタ４２０がまた、単一サイドフィン構成に従って主キャパシタ４１０の一側面上に形成される。この例では、混合フィン幅がまた、図５Ｂの単一サイドフィン構成を変形するように設けられている。詳細には、第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８および第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２の幅が、異なる幅（たとえば、５ミクロンまたは１０ミクロン）として形成される。この構成では、図５Ｂに示されているように選択的にビアを形成するのではなく、第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２－１および４３２－２をヒューズ切断することによって、所望の同調キャパシタンスが構成される。

【0042】

図７Ａ～図７Ｆは、本開示の態様による、ビア形成を使用して主キャパシタ４１０の同調キャパシタンスを調整することを選択的に可能にされる主キャパシタ４１０と同調キャパシタ４２０とを含む、図４Ａ～図４Ｃの無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップを製造するプロセスを示す図である。

【0043】

図７Ａは、本開示の態様による、図４Ａ～図４Ｃの主キャパシタ４１０の第１のプレート４１２ならびに同調キャパシタ４２０の第１のＢＥＯＬサイドライントレース４２８および第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８の平面図である。この構成では、ステップ７００において、主キャパシタ４１０の第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８、第１のＢＥＯＬサイドライントレース４２８、および第１のプレート４１２は、たとえば、図４Ａに示されているように、メタライゼーション層Ｍ１から形成される。

【0044】

図７Ｂは、本開示の態様による、図４Ａ～図４Ｃの主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０の製造をさらに示す。ステップ７１０において、図４Ｂおよび図４Ｃに示されているように、絶縁体層４１４（たとえば、主絶縁体層）を第１のプレート４１２上に堆積させ、絶縁体層（たとえば、第１の絶縁体層４２４）を同調キャパシタ４２０の第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８の所定の部分上に堆積させる。たとえば、図４Ｂは、第１のプレート４２２上の第１の絶縁体層４２４と第１のプレート４２２の側壁とを含む、図４Ａの第１の同調キャパシタ４２０－１の分解図を示す。一構成では、第１の絶縁体層４２４は絶縁体層（たとえば、窒化ケイ素（ＳｉＮ））である。

【0045】

図７Ｃは、本開示の態様による、図４Ａ～図４Ｃの主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０の製造をさらに示す。ステップ７２０において、絶縁体層４１４上にメタライゼーション層Ｍ２を堆積させて主キャパシタ４１０の第２のプレート４１６を形成する。さらに、メタライゼーション層Ｍ２を絶縁体層４１４上の第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８の所定の部分上に堆積させて同調キャパシタ４２０の第２のプレート４２６を形成する。

【0046】

たとえば、図４Ｂは、第１のプレート４２２上の第１の絶縁体層４２４と第１の同調キャパシタ４２０－１の第１のプレート４２２の側壁とを含む、図４Ａの第１の同調キャパシタ４２０－１の分解図を示す。第１の同調キャパシタ４２０－１は、第１の絶縁体層４２４の表面および側壁上に第２のプレート４２６をさらに含む。図４Ａに示されているように、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ４００は、第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２に結合された第１のビアキャプチャパッド４３０－１をさらに含む。同調キャパシタ４２０の第１のビアキャプチャパッド４３０－１、第２のＢＥＯＬ相互接続トレース４３２、および第２のプレート４１６は、銅（ＣＵ）堆積またはＣＵメッキによって形成されてもよい。ＣＵ堆積について説明しているが、メタライゼーション層Ｍ２については他の導電材料も企図される。

【0047】

図７Ｄは、本開示の態様による、図４Ａ～図４Ｃの主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０の製造をさらに示す。ステップ７３０において、図４Ａ～図４Ｃの主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０は、第２のプレート４１６およびビアキャプチャパッド４３０のうちの選択されたビアキャプチャパッド４３０上のビア位置を決定するためのキャパシタンス測定を受ける。

【0048】

図７Ｅは、本開示の態様による、図４Ａ～図４Ｃの主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０の製造をさらに示す。ステップ７４０において、第１のビア４０２および第２のビア４４０は、図７Ｄにおいて決定された選択されたビア位置に形成される。

【0049】

図７Ｆは、本開示の態様による、図４Ａ～図４Ｃの主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０の製造をさらに示す。ステップ７５０において、図７Ｅにおいて形成された第１のビア４０２および第２のビア４４０上にメタライゼーション層Ｍ３を堆積させる。たとえば、図４Ｃは、メタライゼーション層Ｍ１を第１のプレート（たとえば、４１２／４２２）として共有し、それぞれ第１のビア４０２および第２のビア４４０を介してメタライゼーション層Ｍ３ ４５０に結合された、主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０－１を示す。たとえば、図８に示されているように、第１のビア４０２および第２のビア４４０を選択的に配置すると、ターゲットキャパシタンスレベルがもたらされる。

【0050】

図８は、本開示の一態様による、同調キャパシタに結合された主キャパシタを製造するための方法を示すプロセスフロー図である。方法８００は、ブロック８０２から始まり、第１の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層から主キャパシタの第１のプレートが形成される。たとえば、図７Ａに示されているように、ステップ７００において、たとえば、図４Ａにも示されているように、Ｍ１メタライゼーション層から主キャパシタ４１０の第１のプレート４１２が形成される。ブロック８０４において、第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して主キャパシタの第１のプレートに第１のＢＥＯＬ相互接続トレースを堆積させて結合し、同調キャパシタの第１のプレートを形成する。たとえば、図７Ａに示されているように、ステップ７００において、たとえば、図４Ａにも示されているように、Ｍ１メタライゼーション層から第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８および第１のＢＥＯＬサイドライントレース４２８が形成される。

【0051】

ブロック８０６において、主キャパシタの第１のプレートおよび同調キャパシタの第１のプレート上に絶縁体層を堆積させる。図７Ｂに示されているように、ステップ７１０において、図４Ｂおよび図４Ｃにも示されているように、第１のプレート４１２上に絶縁体層４１４を堆積させ、同調キャパシタ４２０の第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８の所定の部分上に第１の絶縁体層４２４を堆積させる。ブロック８０８において、絶縁体層上に第２のＢＥＯＬメタライゼーション層を堆積させて主キャパシタの第２のプレートを形成し、絶縁体層上の第１のプレート上に第２のＢＥＯＬ相互接続トレースを堆積させて同調キャパシタの第２のプレートを形成する。図７Ｃに示されているように、ステップ７２０において、絶縁体層４１４上にＭ２メタライゼーション層を堆積させて主キャパシタ４１０の第２のプレート４１６を形成する。さらに、Ｍ２メタライゼーション層を絶縁体層４１４上の第１のＢＥＯＬ相互接続トレース４１８の所定の部分上に堆積させて同調キャパシタ４２０の第２のプレート４２６を形成する。

【0052】

再び図８を参照すると、ブロック８１０において、第１のビアが形成され、主キャパシタの第２のプレートに結合され、第２のビアが第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合されたビアキャプチャパッドに結合される。たとえば、図７Ｄに示されているように、ステップ７３０において、図４Ａ～図４Ｃの主キャパシタ４１０および同調キャパシタ４２０は、第２のプレート４１６およびビアキャプチャパッド４３０のうちの選択されたビアキャプチャパッド４３０上のビア位置を決定するためのキャパシタンス測定を受ける。さらに、図７Ｅに示されているように、ステップ７４０において、第１のビア４０２および第２のビア４４０を、図７Ｄにおいて決定された選択されたビア位置に形成する。

【0053】

方法８００はまた、主キャパシタに結合された第１のＢＥＯＬ相互接続トレースで構成された第２の同調キャパシタと、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分および第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分の側壁上の第２の絶縁体層とを形成することを含んでもよい。第２の同調キャパシタは、第２の絶縁体層の表面および側壁上の第２のＢＥＯＬ相互接続トレースを含む。方法８００は、第２の同調キャパシタの第２のキャパシタ領域および主キャパシタの外側の第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合された第２のビアキャプチャパッドを形成することをさらに含んでもよい。

【0054】

本開示のさらなる態様によれば、集積回路（ＩＣ）は、主キャパシタを含む。一構成では、ＩＣは、主キャパシタを調整するための手段を有する。一構成では、調整手段は、図４Ｂおよび図４Ｃにも示されているように同調キャパシタ４２０であってもよい。別の態様では、前述の手段は、前述の手段によって列挙された機能を実行するように構成される任意の構造または任意の材料であってもよい。

【0055】

図９は、本開示の一態様が有利に使用される場合がある例示的なワイヤレス通信システム９００を示すブロック図である。例示の目的で、図９は、３つのリモートユニット９２０、９３０および９５０と、２つの基地局９４０とを示している。ワイヤレス通信システムがこれよりも多くのリモートユニットおよび基地局を有してもよいことが認識されよう。リモートユニット９２０、９３０、および９５０は、開示されたフィン型同調キャパシタを含む集積回路（ＩＣ）デバイス９２５Ａ、９２５Ｃ、および９２５Ｂを含む。基地局、スイッチングデバイス、およびネットワーク機器などの他のデバイスも、開示されるフィン型同調キャパシタを含み得ることが認識されよう。図９は、基地局９４０からリモートユニット９２０、９３０、および９５０への順方向リンク信号９８０、ならびに、リモートユニット９２０、９３０、および９５０から基地局９４０への逆方向リンク信号９９０を示す。

【0056】

図９では、リモートユニット９２０は、モバイル電話として示され、リモートユニット９３０は、ポータブルコンピュータとして示され、リモートユニット９５０は、ワイヤレスローカルループシステム内の固定位置リモートユニットとして示される。たとえば、リモートユニットは、携帯電話、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、個人情報端末などのポータブルデータユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メーター読取り機器などの固定ロケーションデータユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令、もしくはそれらの組合せを記憶するかもしくは取り出す他のデバイスであってもよい。図９は本開示の態様によるリモートユニットを示すが、本開示はこれらの例示的に示されるユニットに限定されない。本開示の態様は、開示されるフィン型同調キャパシタを含む多くのデバイスにおいて、好適に使用され得る。

【0057】

図１０は、上記で開示されたキャパシタなど、半導体構成要素の回路設計、レイアウト設計、および論理設計のために用いられる、設計用ワークステーションを示すブロック図である。設計用ワークステーション１０００は、オペレーティングシステムソフトウェア、支援ファイル、およびＣａｄｅｎｃｅまたはＯｒＣＡＤなどの設計用ソフトウェアを含むハードディスク１００１を含む。設計用ワークステーション１０００はまた、回路１０１０、またはフィン型同調キャパシタなどの無線周波数（ＲＦ）構成要素１０１２の設計を容易にするためにディスプレイ１００２を含む。記憶媒体１００４が、回路１０１０またはＲＦ構成要素１０１２（たとえば、フィン型ＭＩＭ同調キャパシタ）の設計を有形に記憶するために設けられる。回路１０１０またはＲＦ構成要素１０１２の設計は、ＧＤＳＩＩまたはＧＥＲＢＥＲなどのファイルフォーマットにおいて記憶媒体１００４上に記憶されてもよい。記憶媒体１００４は、コンパクトディスク読取り専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、ハードディスク、フラッシュメモリ、または他の適切なデバイスであり得る。さらに、設計用ワークステーション１０００は、記憶媒体１００４からの入力を受け入れるか、または記憶媒体１００４に出力を書き込むための駆動装置１００３を含む。

【0058】

記憶媒体１００４上に記録されるデータは、論理回路構成、フォトリソグラフィマスク用のパターンデータ、または電子ビームリソグラフィなどの連続描画ツール用のマスクパターンデータを明示してもよい。データはさらに、論理シミュレーションに関連したタイミング図やネット回路などの論理検証データを含んでもよい。記憶媒体１００４上にデータを備えると、半導体ウエハを設計するためのプロセス数が減ることによって、回路１０１０または無線周波数（ＲＦ）構成要素１０１２の設計が容易になる。

【0059】

以下の番号付き条項において、実装例が説明される。
１．デバイスであって、第１の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層で構成された第１のプレートと、第１のプレート上の主絶縁体層と、第２のＢＥＯＬメタライゼーション層で構成された、主絶縁体層上の第２のプレートとを備える主キャパシタと、第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して主キャパシタの第１のプレートに結合された第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分と、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の表面および側壁上の第１の絶縁体層と、第１の絶縁体層の表面および側壁上の第２のＢＥＯＬ相互接続トレースとを備える第１の同調キャパシタと、第１の同調キャパシタの第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合された第１のビアキャプチャパッドとを備えるデバイス。
２．第１のＢＥＯＬ相互接続トレースは、第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに直交する、条項１に記載のデバイス。
３．第１のＢＥＯＬ相互接続トレースは、第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して主キャパシタの第１のプレートの一側面に結合される、条項１から２のいずれか一項に記載のデバイス。
４．第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分と、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分の表面および側壁上の第２の絶縁体層と、第２の絶縁体層の表面および側壁上の第３のＢＥＯＬ相互接続トレースとを備える第２の同調キャパシタと、第２の同調キャパシタの第３のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合された第２のビアキャプチャパッドとをさらに備える、条項１から３のいずれか一項に記載のデバイス。
５．第２の同調キャパシタの第３のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅は、第１の同調キャパシタの第２のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅よりも大きい、条項４に記載のデバイス。
６．第２の同調キャパシタの第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分の幅は、第１の同調キャパシタの第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の幅よりも大きい、条項４から５のいずれか一項に記載のデバイス。
７．主キャパシタの第２のプレートに結合された第１のビアと、第２のビアキャプチャパッドに結合された第２のビアと、第１のビアおよび第２のビア上の第３のＢＥＯＬメタライゼーション層とをさらに備える、条項４から６のいずれか一項に記載のデバイス。
８．主キャパシタの第２のプレートに結合された第１のビアと、第１のビアキャプチャパッドに結合された第２のビアと、第１のビアおよび第２のビア上の第３のＢＥＯＬメタライゼーション層とをさらに備える、条項１から６のいずれか一項に記載のデバイス。
９．第１の絶縁体層の第１の幅は、第１の同調キャパシタの第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の幅よりも大きく、第１の絶縁体層の第２の幅は、第１の同調キャパシタの第２のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅よりも大きい、条項１から８のいずれか一項に記載のデバイス。
１０．デバイスは、集積回路（ＩＣ）を備える、条項１から９のいずれか一項に記載のデバイス。
１１．デバイスは、集積受動デバイス（ＩＰＤ）を備える、条項１から９のいずれか一項に記載のデバイス。
１２．ＩＰＤは、無線周波数（ＲＦ）フィルタを備える、条項１１に記載のデバイス。
１３．ＩＰＤは、無線周波数（ＲＦ）モジュールに組み込まれる、条項１１から１２のいずれか一項に記載のデバイス。
１４．同調キャパシタに結合された主キャパシタを製造するための方法であって、第１の配線工程（ＢＥＯＬ）メタライゼーション層で構成された主キャパシタの第１のプレートを形成するステップと、第１のＢＥＯＬサイドライントレースを介して主キャパシタの第１のプレートに結合された第１のＢＥＯＬ相互接続トレースを堆積させて、同調キャパシタの第１のプレートを形成するステップと、主キャパシタの第１のプレートおよび同調キャパシタの第１のプレート上の絶縁体層を堆積させるステップと、絶縁体層上に第２のＢＥＯＬメタライゼーション層を堆積させて、主キャパシタの第２のプレートを形成し、絶縁体層上に第２のＢＥＯＬ相互接続トレースを堆積させて、同調キャパシタの第２のプレートを形成するステップと、主キャパシタの第２のプレートに結合された第１のビアおよび第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合されたビアキャプチャパッドに結合された第２のビアを形成するステップとを含む方法。
１５．同調キャパシタは、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分と、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の表面および側壁上の第１の絶縁体層と、第１の絶縁体層の表面および側壁上の第２のＢＥＯＬ相互接続トレースとを備える第１の同調キャパシタと、第１の同調キャパシタの第２のＢＥＯＬ相互接続トレースに結合された第１のビアキャプチャパッドと、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分と、第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分の表面および側壁上の第２の絶縁体層と、第２の絶縁体層の表面および側壁上の第３のＢＥＯＬ相互接続トレースとを備える第２の同調キャパシタと、第２の同調キャパシタの第３のＢＥＯＬ相互接続トレースによって結合された第２のビアキャプチャパッドとを備える、条項１４に記載の方法。
１６．第２の同調キャパシタの第３のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅は、第１の同調キャパシタの第２のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅よりも大きい、条項１５に記載の方法。
１７．第２の同調キャパシタの第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第２の部分の幅は、第１の同調キャパシタの第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の幅よりも大きい、条項１５から１６のいずれか一項に記載の方法。
１８．主キャパシタの第２のプレートに結合された第１のビアを形成するステップと、第１のビアキャプチャパッドに結合された第２のビアを形成するステップと、第１のビアおよび第２のビア上の第３のＢＥＯＬメタライゼーション層を形成するステップとをさらに備える、条項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
１９．主キャパシタの第２のプレートに結合された第１のビアを形成するステップと、第２のビアキャプチャパッドに結合された第２のビアを形成するステップと、第１のビアおよび第２のビア上の第３のＢＥＯＬメタライゼーション層を形成するステップとをさらに備える、条項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
２０．第１の絶縁体層の第１の幅は、第１の同調キャパシタの第１のＢＥＯＬ相互接続トレースの第１の部分の幅よりも大きく、第１の絶縁体層の第２の幅は、第１の同調キャパシタの第２のＢＥＯＬ相互接続トレースの幅よりも大きい、条項１５から１９のいずれか一項に記載の方法。

【0060】

ファームウェアおよび／またはソフトウェアによる実施の場合、方法は、本明細書で説明される機能を実行するモジュール（たとえば、プロシージャ、関数など）を用いて実施され得る。本明細書で説明される方法を実装する際に、命令を有形に具現する機械可読媒体が使用されてもよい。たとえば、ソフトウェアコードがメモリに記憶され、プロセッサユニットによって実行され得る。メモリは、プロセッサユニット内またはプロセッサユニットの外部に実装されてもよい。本明細書において使用される「メモリ」という用語は、長期メモリ、短期メモリ、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、または他のメモリのタイプを指し、特定のタイプのメモリもしくは特定の数のメモリ、またはメモリが格納される媒体のタイプに限定されない。

【0061】

機能は、ファームウェアおよび／またはソフトウェアにおいて実装される場合、コンピュータ可読記録媒体上の１つまたは複数の命令またはコードとして記憶され得る。例には、データ構造を用いて符号化されたコンピュータ可読記録媒体、およびコンピュータプログラムを用いて符号化されたコンピュータ可読記録媒体が含まれる。コンピュータ可読記録媒体は、物理的なコンピュータ記憶媒体を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされ得る利用可能な媒体であり得る。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読記録媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、コンパクトディスク読取り専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）もしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または所望のプログラムコードを命令もしくはデータ構造の形態で記憶するために使用することができるとともにコンピュータによってアクセスすることができる、他の媒体を含むことができる。本明細書で使用するディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ｄｉｓｃ）（ＣＤ）、レーザーディスク（ｄｉｓｃ）、光ディスク（ｄｉｓｃ）、デジタル多用途ディスク（ｄｉｓｃ）（ＤＶＤ）、フロッピーディスク（ｄｉｓｋ）、およびＢｌｕ－ｒａｙ（登録商標）ディスク（ｄｉｓｃ）を含み、ここで、ディスク（ｄｉｓｋ）は、通常、データを磁気的に再生し、ディスク（ｄｉｓｃ）は、レーザーを用いてデータを光学的に再生する。上記のものの組合せもコンピュータ可読記録媒体の範囲内に含まれるべきである。

【0062】

コンピュータ可読記録媒体上のストレージに加えて、命令および／またはデータは、通信装置に含まれる伝送媒体上の信号として備えられてもよい。たとえば、通信装置は、命令およびデータを表す信号を有するトランシーバを含み得る。命令およびデータは、１つまたは複数のプロセッサに、請求項に概説される機能を実施させるように構成される。

【0063】

本開示およびその利点が詳細に説明されたが、添付の特許請求の範囲によって定義される本開示の技術から逸脱することなく、明細書で様々な変更、置換、および改変が行われ得ることを理解されたい。たとえば、「上」および「下」などの関係語が、基板または電子デバイスに関して使用される。当然、基板または電子デバイスが反転される場合、上は下に、下は上になる。加えて、横向きの場合、上および下は、基板または電子デバイスの側面を指すことがある。その上、本出願の範囲は、本明細書で説明するプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法およびステップの特定の構成に限定されることを意図していない。本開示から当業者が容易に諒解するように、本明細書で説明する対応する構成と実質的に同じ機能を実行するかまたは実質的にそれと同じ結果を達成する、現存するかまたは今後開発されるプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップが、本開示に従って利用されてもよい。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップをそれらの範囲内に含むことを意図する。

【0064】

本明細書での開示に関して説明された様々な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、またはその両方の組合せとして実装され得ることを、当業者はさらに理解されよう。ハードウェアとソフトウェアとのこの互換性を明確に示すために、様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、概して、それらの機能の観点から上記で説明されている。そのような機能が、ハードウェアとして実装されるのか、それともソフトウェアとして実装されるのかは、具体的な適用例および全体的なシステムに課される設計制約によって決まる。当業者は、説明された機能を具体的な適用例ごとに様々なやり方で実施することができるが、そのような実装形態の決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されるべきではない。

【0065】

本明細書の開示に関して説明する様々な例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、本明細書で説明する機能を実行するように設計された、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートもしくはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、またはそれらの任意の組合せを用いて、実装または実行され得る。汎用プロセッサはマイクロプロセッサであり得るが、代替として、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンであり得る。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携した１つもしくは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成としても実装され得る。

【0066】

本開示に関して説明した方法またはアルゴリズムのステップは、直接ハードウェアにおいて、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、またはこれら２つの組合せにおいて具現化され得る。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体の中に存在してもよい。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ることおよび記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替として、記憶媒体はプロセッサと一体化され得る。プロセッサおよび記憶媒体は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内に存在し得る。ＡＳＩＣは、ユーザ端末の中に存在してよい。代替として、プロセッサおよび記憶媒体は、個別の構成要素としてユーザ端末の中に存在してよい。

【0067】

１つまたは複数の例示的な設計では、説明された機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはそれらの任意の組合せで実装され得る。ソフトウェアで実装される場合、機能は、１つまたは複数の命令またはコードとしてコンピュータ可読記録媒体上に記憶され得るか、またはコンピュータ可読記録媒体を介して送信され得る。コンピュータ可読記録媒体は、コンピュータ記憶媒体と、コンピュータプログラムのある場所から別の場所への転送を容易にする任意の媒体を含む通信媒体の両方を含む。記憶媒体は、汎用コンピュータまたは専用コンピュータによってアクセスされ得る任意の利用可能な媒体であり得る。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読記録媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、コンパクトディスク読取り専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）または他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージまたは他の磁気ストレージデバイス、あるいは、命令またはデータ構造の形態で指定されたプログラムコード手段を搬送または記憶するために使用され、汎用コンピュータもしくは専用コンピュータまたは汎用プロセッサもしくは専用プロセッサによってアクセスすることができる、任意の他の媒体を含むことができる。加えて、いずれの接続も適切にコンピュータ可読記録媒体と称される。たとえば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバーケーブル、ツイストペア、デジタル加入者回線（ＤＳＬ）、または赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術を使用して、ウェブサイト、サーバ、または他のリモートソースから送信される場合、同軸ケーブル、光ファイバーケーブル、ツイストペア、ＤＳＬ、または赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術は、媒体の定義に含まれる。本明細書で使用するディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ｄｉｓｃ）（ＣＤ）、レーザーディスク（ｄｉｓｃ）、光ディスク（ｄｉｓｃ）、デジタル多用途ディスク（ｄｉｓｃ）（ＤＶＤ）、フロッピーディスク（ｄｉｓｋ）、およびＢｌｕ－ｒａｙ（登録商標）ディスク（ｄｉｓｃ）を含み、ここで、ディスク（ｄｉｓｋ）は、通常、データを磁気的に再生し、ディスク（ｄｉｓｃ）は、レーザーを用いてデータを光学的に再生する。上記のものの組合せもコンピュータ可読記録媒体の範囲内に含まれるべきである。

【0068】

本開示のこれまでの説明は、任意の当業者が本開示を実施できるようにするか、または使用できるようにするために提供される。本開示の様々な修正が当業者に容易に明らかになり、本明細書で定義される一般原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく他の変形形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明された例および設計に限定されるものでなく、本明細書で開示される原理および新規の特徴と一致する最も広い範囲が与えられるべきである。

【符号の説明】

【0069】

１００ 無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール
１０２ 電力増幅器
１０４ デュプレクサ／フィルタ
１０６ 無線周波数（ＲＦ）スイッチモジュール
１０８ 受動コンバイナ
１１２ チューナー回路
１１２Ａ 第１のチューナー回路
１１２Ｂ 第２のチューナー回路
１１４ アンテナ
１１５ 接地端子
１１６ キャパシタ
１１８ インダクタ
１２０ ワイヤレストランシーバ
１２２ キャパシタ
１３０ モデム
１３２ キャパシタ
１４０ アプリケーションプロセッサ（ＡＰ）
１５０ 無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール
１５２ 電源
１５４ クロック
１５６ 電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）
１５８ キャパシタ
１６０ チップセット
１６２、１６４ キャパシタ
１６６ インダクタ
１７０ ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）モジュール、Ｗｉ－Ｆｉモジュール
１７２ ＷＬＡＮモジュール
１７４ キャパシタ
１８０ デュプレクサ
１９０ ダイプレクサ
１９０－１ 第１のダイプレクサ
１９０－２ 第２のダイプレクサ
１９２ アンテナ
１９４ アンテナ
２００ 無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ、ダイプレクサ
３００ 集積回路（ＩＣ）デバイス
３１０ 主キャパシタ
３１２ 第１のプレート
３１４ 絶縁体
３１６ 第２のプレート
３２０ 同調キャパシタ
３２２ 第１のプレート
３２４ 絶縁体
３２６ 第２のプレート
３４０ 第２のビア
３５０ メタライゼーション層
４００ 無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ
４０２ 第１のビア
４１０ 主キャパシタ
４１２ 第１のプレート
４１４ 絶縁体層
４１６ 第２のプレート
４１８ 相互接続トレース
４２０ 同調キャパシタ
４２０－１ 第１の同調キャパシタ
４２２ 第１のプレート
４２４ 第１の絶縁体層
４２６ 第２のプレート
４２８ 第１のＢＥＯＬ相互接続トレース
４３０ ビアキャプチャパッド
４３０－１ 第１のビアキャプチャパッド
４３２、４３２－１、４３２－２ 第２のＢＥＯＬ相互接続トレース
４４０ 第２のビア
４５０ メタライゼーション層
４６０ フィン幅
４７０ フィン幅
５００、５５０ 無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ
６００、６５０ 無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ
６０２ 確保された領域
９００ ワイヤレス通信システム
９２０、９３０、９５０ リモートユニット
９２５Ａ、９２５Ｂ、９２５Ｃ 集積回路（ＩＣ）デバイス
９４０ 基地局
９８０ 順方向リンク信号
９９０ 逆方向リンク信号
１０００ 設計用ワークステーション
１００１ ハードディスク
１００２ ディスプレイ
１００３ 駆動装置
１００４ 記憶媒体
１０１０ 回路
１０１２ ＲＦ構成要素
Ｍ０ ゼロ相互接続層
Ｍ１ 第１の相互接続層、金属１
Ｍ２ 金属２
Ｍ３ 金属３
Ｍ４ 金属４
Ｖ２ ＢＥＯＬ第１ビア

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図8】

【図9】

【図10】

【国際調査報告】