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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
【公報種別】再公表特許(A1)
(11)【国際公開番号】WO/0
(43)【国際公開日】2019年10月3日
【発行日】2021年4月15日
(54)【発明の名称】表示装置および電子機器
(51)【国際特許分類】
   H05B 33/02 20060101AFI20210319BHJP
   H01L 51/50 20060101ALI20210319BHJP
   H01L 27/32 20060101ALI20210319BHJP
   H05B 33/26 20060101ALI20210319BHJP
   G09F 9/30 20060101ALI20210319BHJP
【FI】
   H05B33/02
   H05B33/14 A
   H01L27/32
   H05B33/26
   G09F9/30 365
   G09F9/30 339Z
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
【全頁数】20
【出願番号】特願2020-510415(P2020-510415)
(21)【国際出願番号】PCT/0/0
(22)【国際出願日】2019年2月19日
(31)【優先権主張番号】特願2018-63794(P2018-63794)
(32)【優先日】2018年3月29日
(33)【優先権主張国】JP
(81)【指定国】 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT
(71)【出願人】
【識別番号】000002185
【氏名又は名称】ソニー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100112955
【弁理士】
【氏名又は名称】丸島 敏一
(72)【発明者】
【氏名】末益 淳志
【テーマコード(参考)】
3K107
5C094
【Fターム(参考)】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC21
3K107CC24
3K107CC45
3K107DD39
3K107EE62
3K107EE63
3K107FF15
5C094AA35
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094FA01
5C094FB12
5C094HA08
(57)【要約】
実装時に生じる高温環境下において有機ELへの熱の伝達を抑制する。
表示装置は、有機EL層と、冷却層と、冷却パッドとを備える。有機EL層は、基板上に形成された有機EL素子の有機EL層である。冷却層は、有機EL層が形成された基板内に設けられて、有機EL層への熱の伝達を抑制するための冷却層である。冷却パッドは、冷却層に接続して、外部からの冷却を受ける。これにより、冷却層を冷却して、有機EL層への熱の伝達を抑制する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に形成された有機EL素子の有機EL層と、
前記基板内に設けられて前記有機EL層への熱の伝達を抑制する冷却層と、
前記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドと
を具備する表示装置。
【請求項2】
前記冷却層は、金属材料からなる
請求項1記載の表示装置。
【請求項3】
前記冷却層は、前記有機EL素子の有効画素領域内に形成される
請求項1記載の表示装置。
【請求項4】
前記冷却層は、前記有機EL素子の有効画素領域外の熱発生源と前記有機EL素子の有効画素領域との間に形成される
請求項1記載の表示装置。
【請求項5】
前記冷却層は、前記有機EL素子のアノード電極の近傍にさらに形成される
請求項1記載の表示装置。
【請求項6】
前記冷却層は、前記有機EL素子の有効画素領域外の熱発生源に近いほど、その面積が大きい
請求項1記載の表示装置。
【請求項7】
前記冷却層は、前記有機EL層と接触する部分を備える
請求項1記載の表示装置。
【請求項8】
前記冷却層は、前記有機EL素子の有効画素領域内において表面が光遮光層に覆われた領域のアノード電極と接続される
請求項1記載の表示装置。
【請求項9】
前記冷却層は、前記アノード電極の近傍からさらに延伸して形成される
請求項8記載の表示装置。
【請求項10】
前記冷却層は、前記有機EL素子のカソード電極とさらに接続される
請求項8記載の表示装置。
【請求項11】
基板上に形成された有機EL素子の有機EL層と、前記基板内に設けられて前記有機EL層への熱の伝達を抑制する冷却層と、前記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドとを備える表示部を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本技術は、表示装置に関する。詳しくは、有機EL(Organic Electro-Luminescence)素子による発光により映像を表示する表示装置、および、その表示装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
有機EL素子は、映像を表示する信号を入力するために、配線実装が必要となる。また、歩留りおよび性能の向上を図るために、他の半導体装置を有機EL素子の基板上に実装することがある。従来の有機EL素子では、配線基板や回路基板を実装する場合、実装時の熱の影響により、有機ELが熱変性し、効率の低下や色度の変化を引き起こすおそれがある。従来、有機EL素子における発熱対策として、例えば、熱抵抗が異なる複数の遮光部分を形成してパネル内部の熱を放熱するものが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2008−234841号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述の従来技術では、有機EL素子における遮光部分を利用して放熱を図っている。しかしながら、この従来の放熱機構は電流が流れる配線や発光素子自体からの熱の放熱を促すものであり、実装時に生じる高温環境下(例えば200℃程度)では有機ELへの伝達を抑制することは困難である。
【0005】
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、実装時に生じる高温環境下において有機ELへの熱の伝達を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第1の側面は、基板上に形成された有機EL素子の有機EL層と、上記基板内に設けられて上記有機EL層への熱の伝達を抑制する冷却層と、上記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドとを具備する表示装置および電子機器である。これにより、冷却パッドを介して冷却層が冷却され、有機EL層への熱の伝達を抑制するという作用をもたらす。
【0007】
また、この第1の側面において、上記冷却層は、金属材料によって形成されることが望ましい。例えばアルミニウム等の熱伝導のよい金属材料を用いることにより、冷却効果を向上させるという作用をもたらす。
【0008】
また、この第1の側面において、上記有機EL素子の有効画素領域内に形成されてもよく、また、上記有機EL素子の有効画素領域外の熱発生源と上記有機EL素子の有効画素領域との間に形成されてもよい。
【0009】
また、この第1の側面において、上記冷却層は、上記有機EL素子のアノード電極の近傍にさらに形成されてもよい。これにより、アノード電極を冷却して、有機EL層への熱の伝達をさらに抑制するという作用をもたらす。
【0010】
また、この第1の側面において、上記冷却層は、上記有機EL素子の有効画素領域外の熱発生源に近いほど、その面積が大きいものであってもよい。これにより、熱発生源に近いほど冷却効果を高めて、冷却効率を向上させるという作用をもたらす。
【0011】
また、この第1の側面において、上記冷却層は、上記有機EL層と接触する部分を備えるようにしてもよい。これにより、直接的に冷却を行って冷却効果を向上させるという作用をもたらす。
【0012】
また、この第1の側面において、上記冷却層は、上記有機EL素子の有効画素領域内において表面が光遮光層に覆われた領域のアノード電極と接続されるようにしてもよい。これにより、ダミー画素を介して有機EL層への熱の伝達を抑制するという作用をもたらす。
【0013】
また、この第1の側面において、上記冷却層は、上記アノード電極の近傍からさらに延伸して形成されるものであってもよい。これにより、通常の画素を冷却して、有機EL層への熱の伝達をさらに抑制するという作用をもたらす。
【0014】
また、この第1の側面において、上記冷却層は、上記有機EL素子のカソード電極とさらに接続されるようにしてもよい。これにより、ダミー画素の両端を同電位にして、画素間リークを抑制し、混色を低減するという作用をもたらす。
【発明の効果】
【0015】
本技術によれば、実装時に生じる高温環境下において有機ELへの熱の伝達を抑制するという優れた効果を奏し得る。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0016】
図1】本技術の実施の形態における表示装置10の平面図の一例を示す図である。
図2】本技術の実施の形態における表示装置10の概念図の一例を示す図である。
図3】本技術の第1の実施の形態における画素アレイ100の平面図の一例を示す図である。
図4】本技術の第1の実施の形態における画素アレイ100の断面図の一例を示す図である。
図5】本技術の第2の実施の形態における画素アレイ100の平面図の一例を示す図である。
図6】本技術の第2の実施の形態における画素アレイ100の断面図の一例を示す図である。
図7】本技術の第3の実施の形態における表示装置10の平面図の一例を示す図である。
図8】本技術の第3の実施の形態における表示装置10の断面図の一例を示す図である。
図9】本技術の第4の実施の形態における画素アレイ100の断面図の一例を示す図である。
図10】本技術の第5の実施の形態における画素アレイ100の平面図の一例を示す図である。
図11】本技術の第5の実施の形態における画素アレイ100の断面図の一例を示す図である。
図12】本技術の第6の実施の形態における表示装置10の断面図の一例を示す図である。
図13】本技術の実施の形態の第1の適用例であるスマートフォン401の外観を示す図である。
図14】本技術の実施の形態の第2の適用例であるデジタルカメラ411の前方(被写体側)から眺めた外観を示す図である。
図15】本技術の実施の形態の第2の適用例であるデジタルカメラ411の後方から眺めた外観を示す図である。
図16】本技術の実施の形態の第3の適用例であるHMD431の外観を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本技術を実施するための形態(以下、実施の形態と称する)について説明する。説明は以下の順序により行う。
1.第1の実施の形態(冷却配線の例)
2.第2の実施の形態(冷却配線をアノード電極近傍まで延伸させた例)
3.第3の実施の形態(冷却配線壁の例)
4.第4の実施の形態(アノード電極近傍に面積の広い冷却配線を形成した例)
5.第5の実施の形態(ダミー画素のレイアウトを変化させた例)
6.第6の実施の形態(ダミー画素の両端を同電位にした例)
7.適用例
【0018】
<1.第1の実施の形態>
[概要]
図1は、本技術の実施の形態における表示装置10の平面図の一例を示す図である。
【0019】
この実施の形態における表示装置10は、画素アレイ100と、画素アレイ100の両側に配置されるドライバーIC(Driver Integrated Circuit)200と、冷却パッド300とを備える。
【0020】
画素アレイ100は、有機EL素子による画素を行列状(アレイ状)に配置したものである。有機EL素子は、有機材料の膜(有機EL層)を陽極(アノード電極)と陰極(カソード電極)とにより挟んだ構造を備えるダイオード(OLED:Organic Light Emitting Diode)である。画素アレイ100は、シリコン基板などの基板110の上に形成される。
【0021】
ドライバーIC200は、画素を制御および駆動するための集積回路である。この例のように、画素アレイ100とは独立してドライバーIC200を設けることにより、歩留りや性能を向上させることが可能になる。
【0022】
冷却パッド300は、画素アレイ100の有効画素領域外において、外部からの冷却を受けるパッドである。この冷却パッド300は、例えばアルミニウム等の熱伝導のよい金属材料によって形成されることが望ましい。この冷却パッド300には、後述するように基板110内の冷却配線が接続される。ドライバーIC200を実装する際には、この冷却パッド300に外部からペルチェ素子などによって冷却を加えながら実装を行う。
【0023】
図2は、本技術の実施の形態における表示装置10の概念図の一例を示す図である。
【0024】
ドライバーIC200を基板110に実装するためには、その接合部290の材料には異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や半田が用いられる。これらを熱圧着するためには、350℃程度の温度を有するヒーターにより熱が加えられる。このとき、実装時の基板110に加わる温度は、例えば200℃程度になる。
【0025】
表示装置10の基板110には、この冷却パッド300に接続する冷却配線120が設けられており、基板110内が冷却されるようになっている。ドライバーIC200を基板110に実装する際に基板110に加わる温度が例えば200℃程度であった場合でも、この冷却パッド300に−10℃程度の冷却を加えることにより、有機EL層への熱の伝達を抑制することができる。
【0026】
[表示装置の構成]
図3は、本技術の第1の実施の形態における画素アレイ100の平面図の一例を示す図である。
【0027】
画素アレイ100において、表示を行うための通常の画素101が、行列状に配置される。また、画素101の間には、例えば列方向に沿ってダミー画素109が形成される。このダミー画素109は、表示を目的としない画素であり、外部への発光は遮光される。この第1の実施の形態では、このダミー画素109のアノード電極に冷却配線を接続して、冷却を行う。なお、ダミー画素109は、行方向に沿って形成されてもよい。
【0028】
図4は、本技術の第1の実施の形態における画素アレイ100の断面図の一例を示す図である。
【0029】
画素アレイ100において、有機EL素子のアノード電極131が基板110の上に配置される。アノード電極131の上には有機EL層132が配置され、さらにその上にカソード電極133が配置される。すなわち、アノード電極131、有機EL層132およびカソード電極133により、有機EL素子のダイオードが構成される。また、画素間には画素同士を隔てる障壁としてウィンドウ139が形成される。なお、この例および以下の例においては、便宜上、カソード電極133を直線状に示しているが、実際にはウィンドウ139の形状に沿った凹凸形状を有する。
【0030】
カソード電極133の上には、接着剤および保護膜141が形成され、さらにその上にはカラーフィルター層142が形成される。カラーフィルター層142は、所定の色を通過させる特性を有する光学フィルターである。
【0031】
表示を行うための通常の画素101においては、カラーフィルター層142は、特定の配置規則により、例えば、赤、青、緑などの色を通過させる。このカラーフィルター層142は、画素間においてはブラックマトリクスと呼ばれる遮光部分を備える。また、この第1の実施の形態においては、表示を目的としないダミー画素109が設けられており、カラーフィルター層142は、ダミー画素109についてはブラックマトリクスによって遮光する。
【0032】
カラーフィルター層142の上には、対抗基板としてガラス基板143が設けられている。
【0033】
この第1の実施の形態においては、基板110に冷却配線120が設けられ、この冷却配線120はダミー画素109のアノード電極に接続する。すなわち、冷却配線120は有機EL層132に接触する部分を有する。ダミー画素109のアノード電極および冷却配線120は、冷却パッド300と同様に、例えばアルミニウム等の熱伝導のよい金属材料によって形成されることが望ましい。冷却配線120は、上述のように、冷却パッド300に接続されており、ドライバーIC200等の実装の際には冷却パッド300を冷却しながら実装することにより、有機EL層132への熱の伝達を抑制することができる。なお、冷却配線120は、特許請求の範囲に記載の冷却層の一例である。
【0034】
このように、本技術の第1の実施の形態によれば、ダミー画素109のアノード電極に冷却配線120を接続することにより、冷却パッド300からの冷却を促し、有機EL層132への熱の伝達を抑制することができる。
【0035】
<2.第2の実施の形態>
上述の第1の実施の形態ではダミー画素109のアノード電極に冷却配線120を接続していたが、この第2の実施の形態では冷却配線120をさらに通常の画素101のアノード電極の近傍まで引き回すことにより、冷却効果をさらに向上させる。
【0036】
[表示装置の構成]
図5は、本技術の第2の実施の形態における画素アレイ100の平面図の一例を示す図である。図6は、本技術の第2の実施の形態における画素アレイ100の断面図の一例を示す図である。
【0037】
この第2の実施の形態では、ダミー画素109のアノード電極に接続する冷却配線120から、通常の画素101のアノード電極131の近傍までさらに延伸して、冷却配線122が形成される。これにより、冷却面積がさらに広がることにより、冷却効果が向上する。
【0038】
このように、本技術の第2の実施の形態によれば、通常の画素101のアノード電極131の近傍まで延伸する冷却配線122を形成することにより、有機EL層132への熱の伝達をさらに抑制することができる。
【0039】
<3.第3の実施の形態>
上述の第1および第2の実施の形態では、冷却配線120を基板110の有効画素領域内に設けていたが、同様の冷却層を有効画素領域外に設けてもよい。この第3の実施の形態では、有効画素領域外に冷却層を設けた例について説明する。
【0040】
[表示装置の構成]
図7は、本技術の第3の実施の形態における表示装置10の平面図の一例を示す図である。図8は、本技術の第3の実施の形態における表示装置10の断面図の一例を示す図である。
【0041】
この第3の実施の形態では、基板110の画素アレイ100とドライバーIC200との間において、冷却配線壁310を設ける。この冷却配線壁310は、冷却パッド300に接続し、基板110内において画素アレイ100とドライバーIC200とを隔てるように形成される。この冷却配線壁310は、冷却配線120と同様に、例えばアルミニウム等の熱伝導のよい金属材料によって形成されることが望ましい。なお、冷却配線壁310は、特許請求の範囲に記載の冷却層の一例である。
【0042】
ドライバーIC200等の実装の際には、上述の第1の実施の形態と同様に、冷却パッド300を冷却しながら実装することにより、有効画素領域への熱の伝達を遮断することができる。
【0043】
なお、この冷却配線壁310を設けた場合においても、上述の第1および第2の実施の形態により説明した冷却配線120をさらに設けるようにしてもよい。
【0044】
このように、本技術の第3の実施の形態によれば、画素アレイ100とドライバーIC200との間に冷却配線壁310を設けることにより、有機EL層132が含まれる有効画素領域への熱の伝達を抑制することができる。
【0045】
<4.第4の実施の形態>
上述の第1および第2の実施の形態では、ダミー画素109のアノード電極に冷却配線120を接続していたが、ダミー画素109は必ずしも設ける必要はない。ただし、通常の画素101のアノード電極131は独立配線であるため、冷却配線120を接続することはできない。そこで、この第4の実施の形態では、通常の画素101のアノード電極131の近傍に、面積の広い冷却配線を設けることにより冷却を行う。
【0046】
[表示装置の構成]
図9は、本技術の第4の実施の形態における画素アレイ100の断面図の一例を示す図である。
【0047】
この第4の実施の形態では、冷却配線120に接続する冷却配線123を、通常の画素101のアノード電極131の近傍に設ける。冷却配線123は、冷却配線120よりもアノード電極131に近い位置に配置される。
【0048】
また、この第4の実施の形態では、ダミー画素109を設けずに通常の画素101の領域を広く確保している。そして、通常の画素101のアノード電極131の近傍に、冷却配線123が形成される。ダミー画素109を設けない分、有効画素領域内の発光面積を広くすることができる。
【0049】
このように、本技術の第4の実施の形態によれば、有効画素領域内の発光面積をダミー画素によって狭めることなく、有機EL層132への熱の伝達を抑制することができる。
【0050】
<5.第5の実施の形態>
上述の第1および第2の実施の形態では、ダミー画素109のサイズは均等なものと想定していたが、ダミー画素109のレイアウトはこれに限定されない。この第5の実施の形態では、実装の接合部290に近い部分では冷却面積が広くなるように、ダミー画素109のサイズを変化させることにより、冷却効率を向上させる。
【0051】
[表示装置の構成]
図10は、本技術の第5の実施の形態における画素アレイ100の平面図の一例を示す図である。図11は、本技術の第5の実施の形態における画素アレイ100の断面図の一例を示す図である。
【0052】
この第5の実施の形態では、実装の接合部290に近いほどダミー画素109のサイズが大きくなるようにする。ダミー画素109のアノード電極には冷却配線120が接続されており、冷却が行われる。接合部290に近いほどダミー画素109のアノード電極の面積が広くなっており、接合部290に近いほど冷却効果は高い。一方、接合部290に近いほど実装時の温度は高くなる。したがって、実装時の温度が高くなる接合部290により近い領域において、冷却効果を高めることにより、全体の冷却効率を向上させることができる。
【0053】
このように、本技術の第5の実施の形態によれば、実装の接合部290に近いほどダミー画素109のサイズが大きくなるようにすることにより、有機EL層132への熱の伝達を効率的に抑制することができる。
【0054】
<6.第6の実施の形態>
上述の第1および第2の実施の形態では、ダミー画素109のアノード電極に冷却配線120を接続して冷却を行っていた。この第6の実施の形態では、さらにダミー画素109のカソード電極に冷却配線120を接続することにより、ダミー画素109のアノード電位とカソード電位を同電位にする。
【0055】
[表示装置の構成]
図12は、本技術の第6の実施の形態における表示装置10の断面図の一例を示す図である。
【0056】
この第6の実施の形態では、有効画素領域外において、カソード電極133と冷却配線120とを接続する。このカソード電極133と冷却配線120との接続部分は、シール材190によって封止される。
【0057】
カソード電極133は、共通配線であり、全ての通常の画素101およびダミー画素109によって共有される。ダミー画素109のアノード電極は冷却配線120に接続されており、さらにカソード電極133と冷却配線120とを接続することにより、ダミー画素109については、アノード電極とカソード電極133が同電位になる。これにより、画素間リークを抑制することができ、混色を低減することができる。したがって、色純度の高い有機EL素子を構成することができる。
【0058】
このように、本技術の第6の実施の形態によれば、カソード電極133と冷却配線120とを接続することにより、ダミー画素109のアノード電位とカソード電位を同電位にして、画素間リークを抑制することができる。そして、これにより、混色が低減された、色純度の高い有機EL素子を提供することができる。
【0059】
<7.適用例>
以下では、上述の実施の形態の表示装置が適用され得る電子機器の例について説明する。
【0060】
図13は、本技術の実施の形態の第1の適用例であるスマートフォン401の外観を示す図である。このスマートフォン401は、ユーザからの操作入力を受け付ける操作部403と、各種の情報を表示する表示部405とを備える。この表示部405が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
【0061】
図14は、本技術の実施の形態の第2の適用例であるデジタルカメラ411の前方(被写体側)から眺めた外観を示す図である。図15は、本技術の実施の形態の第2の適用例であるデジタルカメラ411の後方から眺めた外観を示す図である。このデジタルカメラ411は、本体部(カメラボディ)413と、交換式のレンズユニット415と、撮影時にユーザによって把持されるグリップ部417とを備える。また、このデジタルカメラ411は、各種の情報を表示するモニタ419と、撮影時にユーザによって観察されるスルー画を表示するEVF(電子ビューファインダ)421とを備える。このモニタ419およびEVF421が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
【0062】
図16は、本技術の実施の形態の第3の適用例であるHMD431の外観を示す図である。このHMD(Head Mounted Display)431は、各種の情報を表示する眼鏡型の表示部433と、装着時にユーザの耳に掛止される耳掛け部435とを備える。この表示部433が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
【0063】
以上、各実施の形態に係る表示装置が適用され得る電子機器のいくつかの例について説明した。なお、各実施の形態に係る表示装置が適用され得る電子機器は上に例示したものに限定されず、この表示装置は、テレビジョン装置、電子ブック、PDA、ノート型PC、ビデオカメラ、または、ゲーム機器等、外部から入力された画像信号または内部で生成した画像信号に基づいて表示を行うあらゆる分野の電子機器に搭載される表示装置に適用することが可能である。
【0064】
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
【0065】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【0066】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
(1)基板上に形成された有機EL素子の有機EL層と、
前記基板内に設けられて前記有機EL層への熱の伝達を抑制する冷却層と、
前記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドと
を具備する表示装置。
(2)前記冷却層は、金属材料からなる
前記(1)に記載の表示装置。
(3)前記冷却層は、前記有機EL素子の有効画素領域内に形成される
前記(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)前記冷却層は、前記有機EL素子の有効画素領域外の熱発生源と前記有機EL素子の有効画素領域との間に形成される
前記(1)または(2)に記載の表示装置。
(5)前記冷却層は、前記有機EL素子のアノード電極の近傍にさらに形成される
前記(1)から(3)のいずれかに記載の表示装置。
(6)前記冷却層は、前記有機EL素子の有効画素領域外の熱発生源に近いほど、その面積が大きい
前記(1)から(3)のいずれかに記載の表示装置。
(7)前記冷却層は、前記有機EL層と接触する部分を備える
前記(1)から(3)のいずれかに記載の表示装置。
(8)前記冷却層は、前記有機EL素子の有効画素領域内において表面が光遮光層に覆われた領域のアノード電極と接続される
前記(1)から(3)のいずれかに記載の表示装置。
(9)前記冷却層は、前記アノード電極の近傍からさらに延伸して形成される
前記(8)に記載の表示装置。
(10)前記冷却層は、前記有機EL素子のカソード電極とさらに接続される
前記(8)に記載の表示装置。
(11)基板上に形成された有機EL素子の有機EL層と、前記基板内に設けられて前記有機EL層への熱の伝達を抑制する冷却層と、前記冷却層に接続して外部からの冷却を受ける冷却パッドとを備える表示部を具備する電子機器。
【符号の説明】
【0067】
10 表示装置
100 画素アレイ
101 通常の画素
109 ダミー画素
110 基板
120、122、123 冷却配線
131 アノード電極
132 有機EL層
133 カソード電極
139 ウィンドウ
141 保護膜
142 カラーフィルター層
143 ガラス基板
190 シール材
200 ドライバーIC
290 接合部
300 冷却パッド
310 冷却配線壁
405 表示部
図1
図2
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【国際調査報告】