発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、図１１に示した第３の従来技術でも、過電流が流れた際に電力用半導体素子１０４を破損から確実に保護できない場合がある。
前述したように、電力用半導体素子１０４に過電流が流れると、ＭＯＳＦＥＴ ３０２がオンし、電力用半導体素子１０４のゲートに印加される電圧がツェナーダイオード３０１のツェナー電圧にまで急激に低下し、それに伴って電力用半導体素子１０４に流れる電流も急激に減少する。しかし、電力用半導体素子１０４に接続されている配線には浮遊の誘導性成分が存在しており、この誘導性成分は電流を流し続けようとする性質を持っているため、電力用半導体素子１０４に流れる電流が急激に減少すると、その電流変化率に応じて電力用半導体素子１０４に大きなサージ電圧が発生する。
すなわち、過電流が流れた際に電力用半導体素子１０４が担うエネルギーを低減すべく電流を低減するが故に、電力用半導体素子１０４に過電圧が印加されることになり、過電流が流れることによるエネルギーが直接的な原因ではなく、過電圧が直接的な原因となって電力用半導体素子１０４が破損に至る場合がある。 そこで、本発明の解決課題は、過電流及び過電圧に起因した破損を防止して電力用半導体素子を確実に保護するようにした電力用半導体素子の駆動装置を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、制御端子への印加電圧の変化率を抑制して電流低減時における電流変化率を抑制することができると共に、発振現象が生じるのを防止し、更には制御端子への印加電圧を低減する過程が終了した後は、安全、確実に電力用半導体素子を停止に至らしめることが可能となる。