【図1】内部トランジスタの電気的な過剰ストレス及び出力での不定のデューティサイクルを欠点とする先行技術のスリューレート被制御出力バッファである。

【図2】本発明の一実施形態に従う改善された負荷非依存バッファの高度な回路図である。

【図3】本発明の一実施形態に従う、負荷非依存バッファを改善するための回路である。

【図4】本発明の一実施形態に従う、電気的な過剰ストレスを相殺し且つデューティサイクルを決定的とするようスイッチを制御する回路を備えた入出力（Ｉ／Ｏ）バッファである。

【図5】本発明の一実施形態に従う、負荷非依存バッファを改善するための方法フローチャートである。

【図6A】本発明の一実施形態に従う、埋込型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）へ通信上結合される負荷非依存バッファを備えたスマートデバイス（例えば、タブレット、スマートフォン）である。

【図6B】本発明の一実施形態に従う、ＮＡＮＤフラッシュメモリへ通信上結合される負荷非依存バッファを備えたスマートデバイス（例えば、タブレット、スマートフォン）である。

【図7】本発明の一実施形態に従う改善された負荷非依存バッファを備えたプロセッサを有するシステムレベル図である。