【図1】第１の実施例における半導体モジュール１００の断面模式図を示す図である。

【図2】図２（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施例において電界強度を緩和する原理を説明するための図である。

【図3】第２の実施例における半導体モジュール１１０の断面模式図を示す図である。

【図4】図４（ａ）および（ｂ）は、第２の実施例において電界強度を緩和する原理を説明するための図である。

【図5】第３の実施例における半導体モジュール１２０の断面模式図を示す図である。

【図6】積層基板１０、積層基板１２および積層基板１３の上面図である。

【図7】図７（ａ）および（ｂ）は、半導体モジュール１３０の通電状態およびオフ状態を示す図である。

【図8】図８（ａ）および（ｂ）は、半導体モジュール１３０の通電状態を示す拡大図である。

【図9】金属層５４の外周側端部における延出する長さと電位分布との関係を示す図である。

【図10】外周側端部の延出する長さと角部の電界強度の比率とを示すグラフである。

【図11】図１１（ａ）〜（ｃ）は、金属突起６０の突出長さと外周側端部における電位分布との関係を示す図である。

【図12】金属突起６０の突出長さと外周側端部における角部の電界強度の比率とを示すグラフである。

【図13】図１３（ａ）〜（ｃ）は、金属突起６０の突出長さと内周側端部における電位分布との関係を示す図である。

【図14】金属突起６０の突出長さと内周側端部における角部の電界強度の比率とを示すグラフである。

【図15】図１５（ａ）〜（ｃ）は、金属板１８を分割しない場合と金属板１８を分割する場合とにおける角部の電界強度の比率を示す図である。