特開 2016-197670出願番号 特願 2015-77217
半導体装置
公報発行日 2016年11月24
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2016-197670 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
この発明は、半導体装置
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】故障や動作不良を防止することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】ｎ-型ドリフト層１の第１主面には、ＭＯＳゲート構造を構成するゲート電極６を覆うようにＰＳＧやＢＰＳＧ等のリンを含む酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜７が設けられている。層間絶縁膜７の表面には、層間絶縁膜７を覆うように保護膜１０が設けられている。保護膜１０は、層間絶縁膜７よりも可動イオンの拡散係数の小さい材料からなり、おもて面電極９側からゲート電極６付近への可動イオンの侵入を防止する機能を有する。保護膜１０の表面には、おもて面電極９が設けられている。おもて面電極９は、ｐ型ベース領域２およびｎ+型領域３に接する。層間絶縁膜７とおもて面電極９との間に設けた保護膜１０によって、おもて面電極９側から侵入する可動イオンの拡散を抑制することができ、イオン汚染を防止することができる。
【選択図】図２
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、上述したように、パワー半導体装置では、大電流を流すため、おもて面電極１０９（電極パッド）を露出させる開口部を大きくする必要がある。また、活性領域に配置されるおもて面電極１０９は配線層（不図示）とのコンタクトをとるために露出させる必要があり、おもて面電極１０９上には保護膜を形成することができない。このため、おもて面電極１０９中からまたは外部からおもて面電極１０９を通ってゲート電極１０６付近や半導体部中に侵入したイオンによって活性領域が汚染され、半導体装置の故障や動作不良を招く虞がある。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、故障や動作不良を防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。第１導電型の半導体層の第１主面に沿って、第２導電型の第１半導体領域が設けられている。前記第１半導体領域の内部に、第１導電型の第２半導体領域が選択的に設けられている。前記第２半導体領域と前記半導体層との間の前記第１半導体領域の第１主面に沿って、ゲート絶縁膜が設けられている。前記ゲート絶縁膜を挟んで・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明にかかる半導体装置によれば、故障や動作不良を防止することができるという効果を奏する。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】実施の形態１にかかる半導体装置の平面レイアウトを示す平面図である。
【図2】図１の切断線Ａ−Ａ’における断面構造を示す断面図である。
【図3】実施の形態２にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。
【図4】実施の形態３にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。
【図5】実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。
【図6】可動イオンの拡散係数と温度との関係を示す特性図である。
【図7A】可動イオンの拡散長と拡散時間との関係を示す特性図である。
【図7B】可動イオンの拡散長と拡散時間との関係を示す特性図である。
【図8】従来の半導体装置の構造を示す断面図である。
選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図
１ ｎ-型ドリフト層
２，３２ ｐ型ベース領域
３，３３ ｎ+型領域
４，３４ ｐ+型領域
５，３５ ゲート絶縁膜
６，３６ ゲート電極
７ 層間絶縁膜
８ バリアメタル
９ おもて面電極
１０ 保護膜
１１ ｎ+型ドレイン領域
１２ 裏面電極
１６ ゲートパッド
２０ａ 活性領域
２０ｂ 耐圧構造領域
２１ ｐ+型コレクタ領域
３０ トレンチ
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