特開2016-197956IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

電圧駆動型半導体素子を備えた半導体モジュールを駆動するゲート駆動装置及びそれを備えた電力変換装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】本発明は、誤動作及び破損を防止できるゲート駆動装置及びそれを用いた電力変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート駆動装置2bは、複数の半導体モジュール251b,252bのスイッチング動作を制御するゲート駆動回路20bと、ゲート駆動回路20bから出力される出力信号を分岐して複数の半導体モジュール251b,252bに送信する信号分岐部22bと、信号分岐部22bで分岐された出力信号がそれぞれ送信される第2信号線27b,28bと、第2信号線27b,28bに重畳するノイズ信号の波長をλとすると、抑制したい次数成分の共振電流の電流ピーク点から±λ/8の範囲内に設けられた第1個別コア23b,24bとを有している。
【選択図】図2

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

直流電圧を所望の周波数の交流電圧に変換するインバータや交流電圧を直流電圧に変換するPWMコンバータ等の電力変換装置に用いられゲート駆動回路が駆動する半導体モジュールは、寄生容量や寄生インダクタンスを持つ有限長の線路でゲート駆動回路と接続される。このような半導体モジュールを駆動するための回路配線網は、送受される信号の高周波域で多くの共振や反共振点を有している。半導体モジュールに設けられたスイッチング素子のスイッチング動作に伴ってこの回路配線網に生じる電圧振動や電流振動は、半導体モジュール、ゲート駆動回路及び回路配線網内に生じる寄生素子等を伝搬して様々な箇所で複雑な応答を示す。電力変換装置には、この複雑な応答に基づくノイズが発生し、半導体モジュールやゲート駆動回路が誤動作したり破損したりするという問題が生じる。ワイドバンドギャップ半導体などによる高速化が図られたスイッチング素子を備える半導体モジュールを用いることにより、上述のノイズに基づく半導体モジュールやゲート駆動回路の誤動作又は破損の問題が顕在化することが予想されている。 本発明の目的は、誤動作及び破損を防止できるゲート駆動装置及びそれを用いた電力変換装置を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するために、本発明の一態様によるゲート駆動装置は、半導体モジュールのスイッチング動作を制御するゲート駆動回路と、前記ゲート駆動回路から出力される出力信号を前記半導体モジュールに送信する信号線と、前記信号線に生じる共振電流の波長をλとすると、抑制したい次数成分の前記共振電流の電流ピーク点から±λ/8の範囲内に設けられた個別コアとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
本発明の態様によれば、誤動作及び破損を防止することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明の一実施形態による電力変換装置の概略構成を示す回路ブロック図である。

【図2】本発明の一実施形態によるゲート駆動装置の概略構成を示す回路ブロック図である。

【図3】本発明の一実施形態によるゲート駆動装置に設けられた第1個別コアの配置位置を説明する図であって、電力変換装置に発生する直列共振に基づくコモンループを示す図である。

【図4】本発明の一実施形態によるゲート駆動装置に設けられた第1個別コアの配置位置を説明する図であって、共振電圧及び共振電流の各波形を示す図である。

【図5】本発明の一実施形態によるゲート駆動装置に設けられた第1及び第2個別コアの配置位置を説明する図である。

【図6】本発明の一実施形態の変形例によるゲート駆動装置に設けられた個別コアの配置位置を説明する図である。

【図7】本発明の一実施形態によるゲート駆動装置における横流電流の抑制について説明する図(その1)である。

【図8】本発明の一実施形態によるゲート駆動装置における横流電流の抑制について説明する図(その2)である。

【図9】本発明の一実施形態によるゲート駆動装置におけるコモンモードインピーダンスの増加について説明する図である。

【図10】本発明の一実施形態によるゲート駆動装置に設けられた第1及び第2統括コアの配置位置を説明する図である。

選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図

1 電力変換装置   2a,2b,2c,2d,2e,2f ゲート駆動装置   10 インバータ部   11 制御部   14 三相交流電源   15 コンバータ部   15a,15b,15c,15d,15e,15f ダイオード   16 平滑用コンデンサ   20a,20b,20c,20d,20e,20f ゲート駆動回路   21a,21b,21c,21d,21e,21f,31b 第1統括コア   22a,22b,22c,22d,22e,22f 信号分岐部   23a,23b,23c,23d,23e,23f,24a,24b,24c,24d,24e,24f,34b,61 第1個別コア   25a,25b,25c,25d,25e,25f 半導体モジュールユニット   26b 第1信号線   27b,28b 第2信号線   29 モータ負荷   41 信号線   100,150 浮遊容量   200b 増幅器   201b 出力抵抗   210b,310b 第1統括コア   220b、221b 外付ゲート駆動抵抗   240b,340b,610 第2個別コア   251b,252b,253 半導体モジュール   261b,262b,271b,272b,281b,282b,411,412 ケーブル   511b,521b 還流用ダイオード   512b、522b 内蔵ゲート駆動抵抗   514b,523b,524b 誘導インダクタンス   521b 還流用ダイオード

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