概して、電子デバイスの製造に関する。より具体的には、本発明は、パターンを処理するための方法及び組成物に関する。本方法及び組成物は、微細パターンを形成するためのネガ型現像収縮プロセスにおける半導体デバイスの製造において特に用途を見出す。

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】レジストパターンの高解像度化のためのパターン処理組成物及び処理方法を提供する。
【解決手段】（ａ）表面上のパターン形成特徴部を備える半導体基板を提供すること、（ｂ）パターン処理組成物がブロックコポリマー及び溶媒を含み、ブロックコポリマーが第１のブロック及び第２のブロックを含み、第１のブロックがエチレン性不飽和重合性基及び水素受容体基を含む第１のモノマーから形成された単位を含み、水素受容体基が窒素含有基であり、第２のブロックがエチレン性不飽和重合性基及び芳香族基を含む第２のモノマーから形成された単位を含む処理組成物を塗布すること、（ｃ）残留パターン処理組成物を基板からすすいで、パターン形成特徴部に結合したブロックコポリマーの一部を残すこととを含むレジストパターン処理方法。
【選択図】図１Ａ

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