【図1】本発明の第１実施例に係る半導体装置１００の概要を示す断面図である。

【図2】突出部６０の幅および深さを説明する図である。

【図3】半導体装置１００の製造方法の一例を示す図である。

【図4A】本発明の第２実施例に係る半導体装置２００の一例を示す断面図である。

【図4B】本発明の第２実施例に係る半導体装置２００の他の例を示す断面図である。

【図5】半導体装置２００の製造方法の一例を示す図である。

【図6】コンタクトトレンチ３０の幅Ｗ１と、突出部６０の幅Ｗ２との関係を示す図である。

【図7】ゲート絶縁膜４２の構造の一例を示す図である。

【図8】コンタクトトレンチ３０の内壁に形成したバリアメタル７２の一例を示す図である。

【図9】第１実施例の半導体装置１００、および、第２実施例の半導体装置２００のオン抵抗の一例を示す図である。

【図10】第１実施例および第２実施例における半導体装置の耐圧の一例を示す図である。