特開2017-208429IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

処理装置および半導体装置の製造方法に関する。 従来、窒化ガリウム（以下、ＧａＮ）層上に窒化アルミニウム（以下、ＡｌＮ）の保護膜を設けてＧａＮ層をアニールすることが知られている（例えば、特許文献１および２、ならびに非特許文献１参照）。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特許第２５４０７９１号公報
［特許文献２］ 特開平８−１８６３３２号公報
［非特許文献１］ Ｊ．Ｃ．Ｚｏｌｐｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ ＡｌＮ ｅｎｃａｐｓｕｌａｎｔ ｆｏｒ ｈｉｇｈ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｆ ＧａＮ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．６９，Ｎｏ．４，２２ Ｊｕｌｙ １９９６

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】従来、ＧａＮ層上にＡｌＮ保護膜を設けてＧａＮ層をアニールすることが知られている。ただし、８００℃以上の高温環境下でＧａＮ層をアニールする場合、保護膜を設けていても自己補償型欠陥が生じる。
【解決手段】化合物半導体層を加熱する加熱部と、加熱部が化合物半導体層を加熱する加熱期間において、化合物半導体層のバンドギャップエネルギーに対応する波長以下の波長成分を含む励起光を化合物半導体層に対して照射する光照射部と、を備える処理装置を提供する。
【選択図】図３Ｄ

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

８００℃以上の高温環境下でＧａＮ層をアニールする場合、保護膜を設けていても自己補償型欠陥が生じる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の態様においては、処理装置を提供する。処理装置は、加熱部と、光照射部とを備えてよい。加熱部は、化合物半導体層を加熱してよい。光照射部は、加熱部が化合物半導体層を加熱する加熱期間において、励起光を化合物半導体層に対して照射してよい。励起光は、化合物半導体層のバンドギャップエネルギーに対応する波長以下の波長成分を含んでよい。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】ＭＯＳＦＥＴ１００の概要を示す図である。

【図2】第１実施形態におけるＭＯＳＦＥＴ１００の製造工程を示すフロー図である。

【図3A】製造工程における段階Ｓ１０を示す図である。

【図3B】製造工程における段階Ｓ２０を示す図である。

【図3C】製造工程における段階Ｓ３０を示す図である。

【図3D】製造工程における段階Ｓ４０を示す図である。

【図3E】製造工程における段階Ｓ５０を示す図である。

【図4】熱処理部１２０の温度タイミングチャートを示す図である。

【図5】ワイドギャップ半導体における欠陥生成のメカニズムを説明する図である。

選択図 図3D出願人が指定した本件の代表的な図

１０・・ＧａＮ基板、１２・・ＧａＮ層、１４・・おもて面、１６・・裏面、１８・・保護膜、２２・・ｎ型領域、２４・・ｐ型ウェル、２５・・チャネル形成領域、２６・・ｐ＋型ウェル、２８・・ｎ＋型ウェル、３０・・ゲート端子、３２・・ゲート絶縁膜、３４・・ゲート電極、４０・・ソース端子、４４・・ソース電極、５０・・ドレイン端子、５４・・ドレイン電極、６０・・被処理積層体、１００・・ＭＯＳＦＥＴ、１１０・・高周波誘導加熱装置、１２０・・熱処理部、１２２・・加熱部、１２４・・サセプタ、１２８・・光照射部、１３０・・電源部、１４０・・制御部、２００・・処理装置

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