特開 2017-226036出願番号 特願 2016-123395
デバイス製造方法およびデバイス製造装置
出願人 株式会社日立製作所（識別番号 5108）
2026年 特許公開件数ランキング 12位 786件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 15位 825件（※）
公報発行日 2017年12月28
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】用途に応じた所望の特性を有する微細構造体を作り分ける。【解決手段】ＣＭＵＴ１０の上部電極１４を、タングステン（Ｗ）からなる第１電極部１４Ａとアルミニウム（Ａｌ）からなる第２電極部１４Ｂとから構成し、第１電極部１４Ａと第２電極部１４Ｂとの構成比率を調整して、上部電極１４の物性値を調整する。上部電極１４の物性値を調整することにより、上部電極１４の形状およびサイズを変えることなく、ＣＭＵＴ１０の共振周波数を変える。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
微細構造体、例えばＭＥＭＳデバイスの製造技術としてＦＩＢ（Focused Ion Beam：集束イオンビーム）を用いた加工技術が有望視されている。しかし、ＦＩＢ装置を用いたＭＥＭＳデバイスの製造では、堆積できる材料の種類が少ないという課題がある。 一方、ＭＥＭＳデバイスの設計パラメータとしては、構造パラメータおよび物性パラメータがある。構造パラメータとしては、各構成部分の形状およびサイズ、物性パラメータとしては、材料のヤング率および質量（密度）などが挙げられる。しかし、材料が限られていると、設計パラメータは、主として各構成部分の形状およびサイズに依存することになり、各構成部分の形状およびサイズは、製造プロセスの誤差などで変動するため、ＭＥＭＳデバイスにおいて、所望の特性を得ることが難しいという問題があった。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ、実施例１によるＣＭＵＴの構造を示す平面図および断面図（同図（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図）である。
【図2】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ、第１の従来仕様によるＣＭＵＴの構造を示す平面図および断面図（同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図）である。
【図3】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ、第２の従来仕様によるＣＭＵＴの構造を示す平面図および断面図（同図（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図）である。
【図4】実施例１によるＣＭＵＴの共振周波数とＣＭＵＴの電極材料との関係の一例を示すグラフ図である。
【図5】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ、実施例１の第１の変形例によるＣＭＵＴの構造を示す平面図および断面図（同図（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図）である。
【図6】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ、実施例１の第２の変形例によるＣＭＵＴの構造を示す平面図および断面図（同図（ａ）のＥ−Ｅ線に沿った断面図）である。
【図7】実施例１によるＣＭＵＴの製造工程で使用されるＦＩＢ装置を示す概略図である。
【図8】実施例１によるＣＭＵＴの製造工程を説明する断面図である。
【図9】図８に続く、ＣＭＵＴの製造工程を説明する断面図である。
【図10】図９に続く、ＣＭＵＴの製造工程を説明する断面図である。
【図11】実施例１によるＦＩＢ装置のソフトウエア構成の一例を説明する構成図である。
【図12】実施例１によるＦＩＢ装置における設計データの抽出の一例を説明するフロー図である。
【図13】実施例１による金属材料の物性値の選択範囲を示すグラフ図である。
【図14】実施例２によるＣＭＵＴの構造を示す断面図である。
【図15】実施例２によるＣＭＵＴの製造工程を説明する断面図である。
【図16】図１５に続く、ＣＭＵＴの製造工程を説明する断面図である。
【図17】図１６に続く、ＣＭＵＴの製造工程を説明する断面図である。
【図18】比較例によるカンチレバーの構造を示す断面図である。
【図19】実施例３によるカンチレバーの構造を示す断面図である。
【図20】実施例４によるスプリングの構造を示す上面図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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