【図1】本発明の半導体装置１００の上面を部分的に示す図である。

【図2A】図１におけるａ−ａ断面の一例を示す図である。

【図2B】図１におけるａ−ａ断面の一例を示す図である。

【図2C】図１におけるａ−ａ断面の一例を示す図である。

【図2D】図２Ａのｃ−ｃ断面およびｄ−ｄ断面を切断したときのドーピング濃度の分布図の例である。

【図2E】図２Ａのｃ−ｃ断面およびｄ−ｄ断面を切断したときのドーピング濃度の分布図の他の例である。

【図3】半導体装置１００の上面の他の例を示す図である。

【図4A】図３におけるａ−ａ断面の一例を示す図である。

【図4B】図３におけるａ−ａ断面の一例を示す図である。

【図4C】図４Ｂのｃ−ｃ断面およびｄ−ｄ断面を切断したときのドーピング濃度の分布図の例である。

【図4D】図４Ｂのｃ−ｃ断面およびｄ−ｄ断面を切断したときのドーピング濃度の分布図の他の例である。

【図4E】図３におけるａ−ａ断面の一例を示す図である。

【図5】半導体装置１００の上面の他の例を示す図である。

【図6】図５におけるａ−ａ断面の一例を示す図である。

【図7】図５におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図8】図５におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図9】図３におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図10】図３におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図11】第１ウェル領域１３の近傍を拡大した断面図である。

【図12】図１１に示した構造において、底部３５を覆う第１ウェル領域１３の端部３６の位置を変更した例を示す断面図である。

【図13】図１１に示した構造において、底部３５を覆う第１ウェル領域１３の端部３６の位置を変更した例を示す断面図である。

【図14】ダミートレンチ部３０およびゲートトレンチ部４０の他の例を示す図である。

【図15】第１ウェル領域１３の他の例を示す図である。

【図16】半導体装置１００のａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図17】図３に示したｂ−ｂ断面の一例を示す図である。

【図18】本発明の他の半導体装置２００の上面を部分的に示す図である。

【図19】図１８におけるａ−ａ断面の一例を示す図である。

【図20】図１８におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図21】第１メサ部７１−１および第２メサ部７１−２の上面における、エミッタ領域１２およびコンタクト領域１５の配置例を示す図である。

【図22】第１メサ部７１−１および第２メサ部７１−２の上面における、エミッタ領域１２およびコンタクト領域１５の他の配置例を示す図である。

【図23】第１メサ部７１−１および第２メサ部７１−２の上面における、エミッタ領域１２およびコンタクト領域１５の他の配置例を示す図である。

【図24】蓄積領域１６の配置例を示す図である。

【図25】半導体装置１００の製造方法の一例を示す図である。