発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、画素ＴＦＴと、シフトレジスタ回路やバッファ回路などの駆動回路のＴ
ＦＴとでは、その要求される特性は必ずしも同じではない。例えば、画素ＴＦＴにおいて
はゲートに大きな逆バイアス（ｎチャネル型ＴＦＴでは負の電圧）が印加されるが、駆動
回路のＴＦＴは基本的に逆バイアス状態で動作することはない。また、動作速度に関して
も、画素ＴＦＴは駆動回路のＴＦＴの１／１００以下で良かった。 ＧＯＬＤ構造はオン電流値の劣化を防ぐ効果は高いが、その反面、通常のＬＤＤ構造と
比べてオフ電流値が大きくなってしまう問題があった。従って、画素ＴＦＴに適用するに
は好ましい構造ではなかった。逆に通常のＬＤＤ構造はオフ電流値を抑える効果は高いが
、ドレイン近傍の電界を緩和してホットキャリア注入による劣化を防ぐ効果は低かった。
このように、アクティブマトリクス型液晶表示装置のような動作条件の異なる複数の集積
回路を有する半導体装置において、全てのＴＦＴを同じ構造で形成することは必ずしも好
ましくなかった。このような問題点は、特に結晶質シリコンＴＦＴにおいて、その特性が
高まり、またアクティブマトリクス型液晶表示装置に要求される性能が高まるほど顕在化
してきた。 また、ＴＦＴのオフ電流値を低減するための手段はいくつかあるが、チャネル形成領域
と不純物領域（ＬＤＤ領域、ソース領域またはドレイン領域）との接合を良好に形成する
ことが必要であった。そのためには、チャネル形成領域とそれに接する不純物領域との界
面における不純物元素の分布を精密に制御する必要があった。しかし、前述のクロスドー
プ法を実施した場合、一方のＴＦＴの不純物領域には一導電型の不純物元素と、それとは
反対の導電型の不純物元素が導入されていて、界面における不純物元素の分布を精密に制
御することは困難であった。 このようなＬＤＤ構造はｎチャネル型ＴＦＴの特性を重点的に考慮して形成されていた
。ＣＭＯＳ回路などを形成するために同一基板上に形成されるｐチャネル型ＴＦＴは、マ
スク数を可能な限り少なくするためにシングルドレイン構造で形成することが多かった。
しかし、その場合、ｐチャネル型ＴＦＴのソースまたはドレイン領域にｎチャネル型ＴＦ
ＴのＬＤＤ形成用のリン（Ｐ）がドーピングされて、チャネル形成領域との接合に欠陥が
形成され、オフ電流値が増加してしまう問題があった。 本発明はこのような問題点を解決するための技術であり、半導体装置の各回路に配置さ
れるＴＦＴの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動
作特性および信頼性を向上させることを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明を用いることで、同一の基板上に複数の機能回路が形成された半導体装置（ここ
では具体的には電気光学装置）において、その機能回路が要求する仕様に応じて適切な性
能のＴＦＴを配置することが可能となり、その動作特性や信頼性を大幅に向上させること
ができる。 特に、ＬＤＤ領域が設けられたボトムゲート型または逆スタガ型のＴＦＴにおいて、画
素ＴＦＴのＬＤＤ領域をｎ^-の濃度でかつＬoffを形成することにより、大幅にオフ電流値
を低減でき、画素ＴＦＴの低消費電力化に寄与することができる。また、駆動回路のｎチ
ャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域をｎ^-の濃度でかつＬov＋Ｌoffを形成することにより、電流
駆動能力を高め、かつ、ホットキャリアによる劣化を防ぎ、オン電流値の劣化を低減する
ことができる。 さらに、駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴにおいて、ｐ型を付与する不純物元素とｎ型を
付与する不純物元素との両方を含む不純物領域（Ｂ）と、ｐ型を付与する不純物元素を含
む不純物領域（Ａ）とを有し、前記不純物領域（Ａ）は、前記不純物領域（Ａ）と前記駆
動回路のｐチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域との間に形成されていることにより、チャネル
形成領域とそれに接するＬＤＤ領域、さらにＬＤＤ領域とソース領域またはドレイン領域
との接合形成が確実なものとなり、ｐチャネル型ＴＦＴの特性を良好に保つことができる
。 また、そのような電気光学装置を表示媒体として有する半導体装置（ここでは具体的に
電子機器）の動作性能と信頼性も向上させることができる。