【図1】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。

【図2】本発明の実施の形態に係る半導体装置に流れる主電流の状態の概略を模式的に説明する断面図である。

【図3】比較例に係る半導体装置に流れる主電流の状態の概略を模式的に説明する断面図である。

【図4】本発明の実施の形態に係る半導体装置の場合と比較例に係る半導体装置の場合とのそれぞれで流れる主電流の状態の概略を模式的に説明する一部拡大断面図である。

【図5】トレンチ底部の下の導電路形成層の濃度と、半導体装置のオン抵抗との関係を示すグラフ図である。

【図6】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その１）。

【図7】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その２）。

【図8】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その３）。

【図9】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その４）。

【図10】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その５）。

【図11】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その６）。

【図12】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その７）。

【図13】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その８）。

【図14】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その９）。

【図15】本発明の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その１）。

【図16】本発明の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その２）。

【図17】本発明の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その３）。

【図18】本発明の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明する断面図である（その４）。

【図19】本発明の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する一部拡大断面図である。

【図20】本発明の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置に流れる主電流の状態の概略を模式的に説明する一部拡大断面図である。

【図21】本発明の実施の形態の第３変形例に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する一部拡大断面図である。

【図22】本発明の実施の形態の第３変形例に係る半導体装置に流れる主電流の状態の概略を模式的に説明する一部拡大断面図である。

【図23】本発明の実施の形態の第４変形例に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する一部拡大断面図である。

【図24】本発明の実施の形態の第４変形例に係る半導体装置に流れる主電流の状態の概略を模式的に説明する一部拡大断面図である。

【図25】本発明の実施の形態の第５変形例に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する一部拡大断面図である。

【図26】本発明の実施の形態の第５変形例に係る半導体装置に流れる主電流の状態の概略を模式的に説明する一部拡大断面図である。