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特開 2018-31658出願番号 特願 2016-163795
アセトンセンサ及びアセトン検出装置
出願人 フィガロ技研株式会社（識別番号 112439）
2026年 特許公開件数ランキング 5822位 2件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 4788位 4件（※）
出願人 国立大学法人 長崎大学（識別番号 504205521）
2026年 特許公開件数ランキング 1562位 17件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 1512位 10件（※）
公報発行日 2018年3月1
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2018-31658 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【構成】 WO3を主成分としNiOとPtとを含有するガス感応部と、ヒータとを有するアセトンセンサを用いる。このアセトンセンサを室温付近とアセトン検出温度との間で温度変調し、アセトン検出温度でのガス感応部の抵抗値からアセトンを検出する。
【効果】 湿潤雰囲気下で、アセトンへの応答値が大きく、かつ水素に対するアセトンへの選択性も高い。
【選択図】 図７
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
発明者は、Ptを添加したWO3は高いアセトン応答値を示すが、湿潤雰囲気では応答値が大きく低下することを確認した。このセンサでは、湿潤雰囲気でも水素への応答値は低下しないので、水素に対するアセトンへの選択性が不足する。 この発明の課題は、湿潤雰囲気下で、ppmオーダーのアセトンを検出できる応答値を備え、かつ水素に対するアセトンへの選択性が高い、アセトンセンサとアセトン検出装置を提供することにある。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】実施例のアセトンセンサの断面図
【図2】実施例のガス検出装置のブロック図
【図3】室温と200℃との間で温度変調した際の、ヒータ電圧とガス感応部の抵抗値の波形図：(i)は乾燥雰囲気での波形を、(ii)は湿潤雰囲気（30℃、相対湿度50%）での波形を示す。
【図4】200℃にガス感応部の温度を固定した際の、水素とアセトンへの応答を示す波形図で、(i)は乾燥雰囲気（30℃、相対湿度約0%）での応答を、(ii)は湿潤雰囲気（30℃、相対湿度50%）での応答を示す。
【図5】湿潤雰囲気下の温度変調での、最高温度とアセトンへの応答値を示す波形図
【図6】湿潤雰囲気下の温度変調での、最高温度と水素への応答値を示す波形図
【図7】温度変調での、乾燥雰囲気と湿潤雰囲気での、水素に対するアセトンへの選択性を示す特性図
選択図 図7出願人が指定した本件の代表的な図
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