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特開 2018-37653出願番号 特願 2017-159846
レーストラック構成における複数のシリコン柱を含む高電圧縦型半導体装置
出願人 パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド（識別番号 501315784）
2026年 特許公開件数ランキング 2546位 6件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 3020位 4件（※）
公報発行日 2018年3月8
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2018-37653 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
本出願は、２０１６年８月３０日に出願された米国仮特許出願第６２／３８１，４４７号の利益を主張する。 本発明は、概して、半導体装置に関し、特に、限定するわけではないが、縦型半導体装置
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】ダミー柱と複数のレーストラック柱とを含む縦型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体材料のダミー柱が、第１の横方向に延びる。半導体材料を含む複数のレーストラック柱２０８が、ダミー柱を囲む。複数のレーストラック柱の各々が、第１の横方向に延びた第１の線形区域と、第１の丸みを帯びた区域とを含んでレーストラック形状を形成する。複数のレーストラック柱が、第１のレーストラック柱２１０と第２のレーストラック柱２１２とを含む。第１のレーストラック柱が、ダミー柱の近くに配置され、第２のレーストラック柱が、第１のレーストラック柱を囲む。第１のレーストラック柱が、ダミー柱と第２のレーストラック柱との間に配置される。半導体装置が、ダミー柱を囲み、第１のレーストラック柱とダミー柱との間に配置された第１のスペーシング領域２２０を含む複数のスペーシング領域２１８を含む。
【選択図】図２Ａ
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の教示に従った、例示的な縦型高電圧電界効果トランジスタ（ＨＶＦＥＴ：ｈｉｇｈ−ｖｏｌｔａｇｅ ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の断面図である。
【図2A】本発明の教示に従った、例示的な半導体装置の上から見た図を示す。
【図2B】本発明の教示に従った、図２Ａに示す例示的な半導体装置の拡大された一部分を示す。
【図3】本発明の教示に従った、例示的な半導体装置の上から見た図を示す。
【図4A】本発明の教示に従った、例示的な半導体装置の上から見た図を示す。
【図4B】本発明の教示に従った、図４Ａに示す例示的な半導体装置の拡大された一部分を示す。
選択図 図2A出願人が指定した本件の代表的な図
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