【図1】従来の導電性多孔質樹脂成形体を用いた応力・ひずみセンサ材料の原理を示す模式図である。

【図2】本発明の導電性傾斜多孔質樹脂成形体を用いた応力・ひずみセンサ材料の原理を示す模式図である。

【図3】実施例１の傾斜多孔質樹脂成形体の製造工程を示す模式図である。

【図4】実施例１の傾斜多孔質樹脂成形体断面及びそれに用いた塩化ナトリウム粒子（Ａ），（Ｂ）の光学顕微鏡写真である。

【図5】実施例２の傾斜多孔質樹脂成形体断面及びそれに用いた塩化ナトリウム粒子及びグラニュー糖粒子の光学顕微鏡写真である。

【図6】実施例３の傾斜多孔質樹脂成形体断面及びそれに用いた硫酸ナトリウム粒子及び尿素粒子の光学顕微鏡写真である。

【図7】実施例４及び実施例５の傾斜多孔質樹脂成形体断面の光学顕微鏡写真である。

【図8】実施例６及び実施例７の傾斜多孔質樹脂成形体断面の光学顕微鏡写真である。

【図9】実施例８及び実施例９の導電性傾斜多孔質樹脂成形体断面の光学顕微鏡写真である。

【図10】実施例１０及び１１の導電性傾斜多孔質樹脂成形体断面の光学顕微鏡写真である。

【図11】実施例１２の導電性傾斜多孔質樹脂成形体断面の光学顕微鏡写真である。

【図12】比較例１及び比較例２の多孔質樹脂成形体断面の光学顕微鏡写真である。

【図13】比較例３及び比較例４の導電性多孔質樹脂成形体断面の光学顕微鏡写真である。

【図14】圧縮ひずみと圧縮応力との関係を示すグラフである。

【図15】圧縮ひずみと電気抵抗率との関係を示すグラフである。

【図16】実施例９について電気抵抗を測定しながら圧縮試験を行ったときの経過を示す写真である。