発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、図１２，１３に示す筒状コンタクト部材１１０の本体筒部１０１に外部電極用端子１２５を圧入して嵌め合わせる構成の従来の半導体モジュールでは、次の問題が生じる。図１０，１１は、従来の半導体モジュールの組立途中の状態を模式的に示す断面図である。図１０には、筒状コンタクト部材１１０を積層基板１２０上にはんだ付けした際に、はんだ上がり性（はんだ付け性）に起因して生じるはんだ付け不良の一例を示す。図１１には、筒状コンタクト部材１１０の本体筒部１０１に外部電極用端子１２５を圧入する際に生じる不良の一例を示す。 図１０に示すように、筒状コンタクト部材１１０の一方の開放端１１０ａのフランジ１０２を積層基板１２０上にはんだ１２８により接合する際に、はんだ１２８は毛細管現象によって本体筒部１０１の内壁１１０ｃまで這い上がる。このとき、筒状コンタクト部材１１０の空洞部１０４の形状によって、本体筒部１０１の内壁１１０ｃにはんだ１２８が這い上がりやすくなる。また、積層基板１２０上にペースト状のはんだ１２８を形成し、はんだ１２８上に筒状コンタクト部材１１０を設置し、リフロー炉で加熱することで、積層基板１２０と筒状コンタクト部材１１０とをはんだ接合する方法がある。この場合、リフロー炉内を減圧して、はんだ１２８に内在するガスを除去し、はんだ１２８内にボイドができないようにするが、リフロー炉内の減圧時、はんだ１２８に内在するガスが膨張した際に、はんだ１２８が飛散する場合がある。これらにより、筒状コンタクト部材１１０の一方の開放端１１０ａ側から他方の開放端１１０ｂ（外部電極用端子１２５の挿入口）
側に本体筒部１０１の内壁１１０ｃをはんだ１２８ａが這い上がり、例えば滑らかに広がらずに固まったような厚い状態で本体筒部１０１の内壁１１０ｃに残る虞がある。 はんだ１２８ａの這い上がりが生じた場合、図１１（ａ）に示すように、本体筒部１０１の内壁１１０ｃに付着したはんだ１２８ａよりも奥（導電性板１２２側）まで外部電極用端子１２５を挿入することができない。また、外部電極用端子１２５の圧入時に、本体筒部１０１の内壁１１０ｃのはんだ１２８ａが付着している箇所において外部電極用端子１２５に負荷がかかる。これにより、図１１（ｂ）に示すように、外部電極用端子１２５が曲がったり、折れたりしてしまう。または、本体筒部１０１の内壁１１０ｃにはんだ１２８ａが付着した状態で、外部電極用端子１２５を挿入することにより、本体筒部１０１と導電性板１２２とを接合していたはんだ１２８が破損し、本体筒部１０１が導電性板１２２から取れてしまう虞がある。また、筒状コンタクト部材１１０から外部電極用端子１２５が抜けやすくなってしまう。このため、半導体チップ１２４と外部電極用端子１２５との接続不良が生じる虞がある。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、筒状コンタクト部材に外部電極用端子を挿入して嵌め合わせる構成の半導体装置において、組立不良をなくすことができる半導体装置、金属部材および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置、金属部材および半導体装置の製造方法によれば、筒状コンタクト部材に外部電極用端子を挿入して嵌め合わせる構成の半導体装置において、組立不良をなくすことができるという効果を奏する。