１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、２６・・・バリアメタル、２８・・・酸化防止膜、２９・・・延伸部分、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・接続部分、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３６・・・保護膜、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・延伸部分、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・接続部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、４８・・・ゲートランナー、４９・・・コンタクトホール、５０・・・ゲート金属層、５２・・・エミッタ電極、５３・・・ゲートランナー、５４・・・コンタクトホール、５５・・・ゲートパッド、５６・・・コンタクトホール、５７・・・ケルビンパッド、５８・・・電流センスパッド、５９・・・電流センス部、６０・・・第１メサ部、６２・・・第２メサ部、６４・・・第３メサ部、７０・・・トランジスタ部、７１・・・境界部、７２・・・分割領域、７８・・・温度センス部、８０・・・ダイオード部、８２・・・カソード領域、８４・・・開口部、８６・・・第１分離領域、８８・・・第２分離領域、８９・・・配線、９０・・・外周領域、９１・・・配線、９２・・・温度センス配線、９３・・・ガードリング、９３−１・・・ガードリング、９３−２・・・ガードリング、９３−３・・・ガードリング、９４・・・温度測定用パッド、９５・・・内端、９６・・・検知部、９８・・・ボンディングパッド、９９・・・はんだ部、１００・・・半導体装置、１０１・・・破線部、１０２・・・制御電極部、１１０・・・めっき部、１２０・・・活性領域、１４０・・・外周端、１５０・・・半導体装置、１７２・・・分割領域、２００・・・半導体装置、２３６・・・保護膜、２８４・・・開口