発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、特許文献１の技術では、導電性ＳｉＣ基板に開口部を形成する際に、ＳｉＣの硬度が硬いことから穴開け加工が困難であり、歩留まりが低く、穴開け加工に長時間を要するという問題があった。 特許文献２の技術には、化合物半導体装置の製造時の歩留まりが低いという問題があった。特許文献２の技術には、Ｓｉ基板を除去する工程に先立って、素子を支持する部分の強度を確保するために、素子の形成面側にキャリー基板を貼り合せ、その後、素子の形成面と逆の面に支持基板を貼り合せる製造方法が第一の実施形態として開示されている。この第一の実施形態によれば、２回の貼り合せ工程に加え、キャリー基板を剥離させる工程が必要となり、工程が複雑になるという問題があった。 さらに特許文献２の技術には、Ｓｉ基板を除去する工程に先立って、素子の形成面側にキャリー基板を貼り合せることなく、素子の形成面と逆の面に支持基板を貼り合せる製造方法が第二の実施形態として開示されている。この第二の実施形態では、支持基板を貼り合せる際、素子を支持する部分が一時的にＳｉＣ層のみとなる。このため、貼り合せの工程において、素子の機械的強度が低下し、デバイス層が破損しやすかった。 なお、得られる化合物半導体装置の機械的強度が低いという問題、および製造時の歩留まりが低いという問題は、ＧａＮを備えた高周波用途の化合物半導体装置に特有の問題ではなく、Ｇａ（ガリウム）を含むワイドギャップ半導体層（Ｇａ₂Ｏ₃（酸化ガリウム）など）を備えた化合物半導体装置全般で生じ得る問題である。なおここでは、ワイドギャップ半導体層は、２．２ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体層と定義する。 さらに、従来の技術には、上述のように化合物半導体装置の機械的強度が低いという問題、および製造時の歩留まりが低いという問題があるため、従来のデバイスのサイズは数百μｍスクエア程度であった（非特許文献１）。従来の技術では、大面積のデバイスを実現することは困難であった。 本発明は、課題を解決するためのものであり、その一の目的は、機械的強度を向上し得る化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法を提供することである。 本発明の他の目的は、製造時の歩留まりを向上することのできる化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法を提供することである。 本発明のさらに他の目的は、大面積のデバイスを実現し得る化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋