【図1】（従来技術）従来のハーフブリッジの概略を図示する。

【図2】基板及びｎ^＋ドープされた層を含む、例示の実施例に従ったトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図3】ミスマッチ隔離層及びバッファ層を付加した、図２のトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図4】電気的隔離層を付加した、図３のトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図5】低欠陥層、障壁層、キャップ層、及びゲート誘電体層を付加した、図４のトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図6】トレンチ及びビアを付加した、図５のトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図7】誘電体障壁、ソースコンタクト、ドレインコンタクト、ゲートコンタクト、及びソースから片側ＰＮ接合のｎ^＋層までの電気的接続の形成後の、図６のトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図8】ハーフブリッジとして電気的に接続される場合の図７のトランジスタ対の断面図を図示する。

【図9】誘電体障壁が複数の誘電体部材を用いて形成されるトランジスタ対のための、代替の例示の実施例の断面図を図示する。

【図10】エッチングされた領域を備える基板を含む、代替の例示の実施例に従ったトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図11】エッチングされた領域表面に沿って形成されるｎ^＋領域を付加した、図１０のトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図12】ｎ^＋領域内部のエリア内に形成される種々のＧａＮトランジスタ層を付加した、図１１のトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図13】ソース、ドレイン、及びゲートコンタクトを付加した、図１２のトランジスタ対の形成の断面図を図示する。

【図14】表面電界を拡散するための電気的に浮遊する領域を付加した、図１３のトランジスタ対の形成の断面図を図示する。