特開2021-180234IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体モジュール

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】絶縁距離を確保しつつ、小型化した半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体モジュール1において、第1半導体素子3a、3b及び第2半導体素子は4a、4bは、それぞれ所定方向と交差する方向に並んで配置されている。積層基板は、複数の第1半導体素子3a、3bの配列方向に沿って延び、第1主配線部材5の下を潜るように配置された第1制御配線層25と、複数の第2半導体素子4a、4bの配列方向に沿って延び、第2主配線部材6の下を潜るように配置された第2制御配線層26と、を有する。
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、一般に複数のパワー半導体を並列接続して上アーム又は下アームを構成するパワー半導体モジュールにおいては、DCB(Direct Copper Bonding)基板等の積層基板上に主回路とは別に制御配線として、ゲート配線及びソース配線が配置されている。主回路上には、半導体素子が配置されて所望の回路が構成される。ゲート配線及びソース配線は、例えば主回路の外側に配置される。 また、半導体素子のドレイン(コレクタ)−ゲート及びソース電極、補助ソース電極間は、半導体素子の耐圧条件を満たすため、基板上の配線パターン間で所望の絶縁距離を確保する必要がある。従来では、この絶縁距離を確保するために、積層基板が大型化してしまうという問題があった。 本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、絶縁距離を確保しつつ、小型化が可能な半導体モジュールを提供することを目的の1つとする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様の半導体モジュールは、正極端子に接続された第1導電層と、出力端子に接続された第2導電層と、負極端子に接続された第3導電層と、が絶縁板の上面で所定方向に並んで形成された積層基板と、上面電極及び下面電極を有し、前記第1導電層の上面に配置されて下面電極が前記第1導電層に導電接続された、複数の第1半導体素子と、上面電極及び下面電極を有し、前記第2導電層の上面に配置されて下面電極が前記第・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁距離を確保しつつ、小型化が可能である。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】第1半導体モジュールの平面図である。

【図2】図1に示す半導体モジュールをYZ平面に沿って切断した断面図である。

【図3】参考例に係る半導体モジュールの平面図である。

【図4】第2半導体モジュールの平面図である。

【図5】第1実施形態における電流経路を示す模式図である。

【図6】第2実施形態における電流経路を示す模式図である。

【図7】変形例に係る半導体モジュールの平面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1 :半導体モジュール   2 :積層基板   3a :第1半導体素子   3b :第1半導体素子   3c :第1半導体素子   4a :第2半導体素子   4b :第2半導体素子   4c :第2半導体素子   5 :第1主配線部材   6 :第2主配線部材   10 :ベース板   11 :ケース部材   12 :封止樹脂   13 :側壁部   14 :出力端子   15 :正極端子   16 :負極端子   17 :第1制御端子   17a :第1ゲート端子   17b :第1補助端子   18 :第2制御端子   18a :第2ゲート端子   18b :第2補助端子   20 :絶縁板   21 :放熱板   22 :第1導電層   23 :第2導電層   23a :スリット   24 :第3導電層   25 :第1制御配線層   25a :第1ゲート配線層   25b :第1補助配線層   26 :第2制御配線層   26a :第2ゲート配線層   26b :第2補助配線層   B :接合材   D1 :高電位差間クリアランス   D2 :低電位差間クリアランス   E1 :第1補助配線部材   E2 :第2補助配線部材   e :補助配線部材   G1 :第1ゲート配線部材   G2 :第2ゲート配線部材   g :ゲート配線部材   I :電流   Ia :電流   Ib :電流   W :配線部材

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