発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した電子部品が実装されるインターポーザパッケージでは、電子部品の主成分がシリコンであり、その電子部品が実装されるインターポーザの材料が有機もしくはセラミック材料であり、シリコンの熱膨張係数が２．６ｐｐｍ程度、有機を材料とするインターポーザの熱膨張係数が１２〜１７ｐｐｍであることから、加熱実装時の反り量に違いが生じ、実装完了後に電子部品とインターポーザとの間で応力が内在するという問題がある。 また、熱膨張係数の差から電子部品のＯＮ／ＯＦＦによっても応力が発生するという問題がある。 さらに、マザーボート等のプリント配線板に実装された電源部品から電子部品への電流経路は、電源部品→プリント配線板→インターポーザ→電子部品というルートをたどり、ＣＰＵ等の大電流消費電子部品では、その給電経路の抵抗やインダクタンスが大きいという問題がある。 一般的に、インターポーザパッケージの信号ピンは外周に配置され、コア電源は中央にアサインされる。よって、プリント配線板において、インターポーザパッケージ下の給電プレーンのイメージは図１０に示すようになり、ここで抵抗及びインダクタンスが上昇する。 そこで、本発明の目的はの問題点を解消し、給電経路のインダクタンス及び抵抗を下げることができるシリコンインターポーザ及びそれを用いる半導体装置を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、のような構成及び動作とすることで、給電経路のインダクタンス及び抵抗を下げることができるという効果が得られる。