特許 5826693出願番号 特願 2012-85945
半導体発光素子の製造方法
公報発行日 2015年12月2
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体発光素子の製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
高いボンディング性と高い効率とを有する半導体発光素子の製造方法を提供する。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の実施形態によれば、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。前記積層構造体は、窒化物半導体を含む第１導電形の第１半導体層と、窒化物半導体を含む第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、窒化物半導体層を含む発光層と、を含む。前記積層構造体の前記第２半導体層の側の第２主面において前記第１半導体層の一部が露出して・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、半導体発光素子を示す模式図である。
【図2】図２（ａ）〜図２（ｅ）は、半導体発光素子の製造方法を示す工程順模式的断面図である。
【図3】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、別の半導体発光素子を示す模式的平面図である。
【図4】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、別の半導体発光素子を示す模式的平面図である。
【図5】別の半導体発光素子を示す模式的断面図である。
【図6】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、半導体発光素子の別の製造方法を示す工程順模式的断面図である。
【図7】半導体発光素子の製造方法を示すフローチャート図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
５…基板、 ６…バッファ層、 １０…第１半導体層、 １０ａ…第２主面、 １０ｓ…積層構造体、 ２０…第２半導体層、 ２１…第１ｐ形半導体層、 ２２…第２ｐ形半導体層、 ３０…発光層、 ３１…障壁層、 ３２…活性層、 ４０…第１電極、 ４０ｐ…ｎ側延在部、 ４１…第１ｎ側導電膜、 ４２…第２ｎ側導電膜、 ４３…第３ｎ側導電膜、 ５０…第２電極、 ５１…第１導電層、 ５１ａ…第１主面、 ５２…第２導電層、 ５３…第３導電層、 ５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ、５３ｅ…第１〜第５部分、 ５３ｐ…延在部、 ５３ｑ…近接部分、 ６０…絶縁膜、 １１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１２０…半導体発光素子、 Ｌ３…長さ、 ｗ２、ｗ３…幅
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