【図1】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図2】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図3】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図4】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図5】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図6】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図7】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図8】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図9】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図10】第１フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図11】第１フォトダイオードの構成を示す図である。

【図12】実施例１及び比較例１における、波長に対する分光感度の変化を示す線図である。

【図13】実施例１及び比較例１における、波長に対する温度係数の変化を示す線図である。

【図14】第２フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図15】第２フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図16】第２フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図17】第３フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図18】第３フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図19】第３フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図20】第３フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図21】第３フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図22】第４フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図23】第４フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図24】第４フォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

【図25】第５フォトダイオードアレイの構成を説明するための図である。

【図26】第６半導体光検出素子を示す斜視図である。

【図27】第６半導体光検出素子の断面構成を説明するための図である。

【図28】第７フォトダイオードの構成を説明するための図である。

【図29】第８フォトダイオードアレイの構成を説明するための図である。

【図30】第９フォトダイオードアレイを概略的に示す平面図である。

【図31】図３０におけるXXXI−XXXI線に沿った断面構成を示す図である。

【図32】各光検出チャンネルと信号導線及び抵抗との接続関係を概略的に説明するための図である。

【図33】第１０ＭＯＳイメージセンサを概略的に示す平面図である。

【図34】図３３におけるXXXIV−XXXIV線に沿った断面構成を示す図である。

【図35】第１０ＭＯＳイメージセンサにおける一つの画素を拡大して示す平面図である。

【図36】図３５におけるXXXVI−XXXVI線に沿った断面構成を示す図である。