技術分野
トランジスタなどの半導体素子を含む回路を有する半導体装置の作製方法に関する。例えば、電源回路に搭載されるパワーデバイス、メモリ、サイリスタ、コンバータ、イメージセンサなどを含む半導体集積回路、液晶表示パネルに代表される電気光学装置、発光素子を有する発光表示装置等を部品として搭載した電子機器に関する。
なお、本明細書中において半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、発光表示装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
酸化物半導体膜を用いたオフ電流の極めて小さいトランジスタを提供することを課題の一とする。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供することを課題の一とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
基板上に、下地絶縁膜を形成し、該下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後で加熱処理を行う。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した後、他の工程を挟むことなくソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を・・・ 続きを
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【発明の効果】
オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供することができる。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 本発明の一態様である半導体装置の作製方法の一例を示す断面図。
【図2】 本発明の一態様である半導体装置の一例を示す上面図および断面図。
【図3】 本発明の一態様を示す回路図の一例。
【図4】 本発明の一態様を示す回路図の一例。
【図5】 本発明の一態様を示す回路図の一例。
【図6】 本発明の一態様を示す回路図の一例。
【図7】 ＣＰＵの具体例を示すブロック図およびその一部の回路図。
【図8】 本発明の一態様を示す表示装置の一例を示す上面図および断面図。
【図9】 本発明の一態様を示す保護回路の一例を示す回路図および上面図。
【図10】 本発明の一態様を示す液晶の動作モードの一例を示す断面図。
【図11】 本発明の一態様を示す液晶の動作モードの一例を示す断面図。
【図12】 本発明の一態様を示す液晶の動作モードの一例を示す断面図。
【図13】 本発明の一態様を示す液晶の動作モードの一例を示す上面図および断面図。
【図14】 本発明の一態様を示す液晶の動作モードの一例を示す上面図。
【図15】 本発明の一態様を示す液晶の動作モードの一例を示す上面図。
【図16】 本発明の一態様である半導体装置を用いた電子機器の例を示す斜視図。
【図17】 本発明の一態様を説明するための結晶のモデル。
【図18】 本発明の一態様を説明するための結晶のモデル。
１００ 基板
１０２ 下地絶縁膜
１０４ ゲート電極
１０６ 第１の酸化物半導体膜
１０８ 導電膜
１１２ ゲート絶縁膜
１１６ 第２の酸化物半導体膜
１１８ ドレイン電極
１２２ 層間絶縁膜
１２６ 酸化物半導体膜
１３６ 第１の領域
１４６ 第２の領域
２０１ 第１の基板
２０２ 画素部
２０３ 信号線駆動回路
２０４ 走査線駆動回路
２０５ シール材
２０６ 第２の基板
２０８ 液晶層
２１０ トランジスタ
２１１ トランジスタ
２１３ 液晶素子
２１５ 接続端子電極
２１６ 端子電極
２１７ 酸化物半導体膜
２１８ ＦＰＣ
２１９ 異方性導電膜
２３０ 第１の電極
２３１ 第２の電極
２３２ 絶縁膜
２３３ 絶縁膜
２３５ スペーサ
３００ 筐体
３０１ ボタン
３０２ マイクロフォン
３０３ 表示部
３０４ スピーカ
３０５ カメラ
３１０ 筐体
３１１ 表示部
３２０ 筐体
３２１ ボタン
３２２ マイクロフォン
３２３ 表示部
９１１ａ ゲート電極
９１１ｂ ゲート電極
９１３ 半導体膜
９１４ 半導体膜
９１５ａ 第１の電極
９２５ａ コンタクトホール
９２５ｂ コンタクトホール
９４５ 配線
９６０ 配線
９７０ａ トランジスタ
９７０ｂ トランジスタ
９９７ 保護回路
１１００ メモリセル
１１１０ メモリセルアレイ
１１１１ 駆動回路
１１１２ 回路
１１１３ 駆動回路
１１２０ メモリセルアレイ
１１３０ メモリセル
１１３１ トランジスタ
１１３２ 容量素子
１１４０ メモリセルアレイ
１１４１ スイッチング素子
１１４２ 記憶素子
１１４３ 記憶素子群
１１５０ メモリセル
１１５１ トランジスタ
１１５２ トランジスタ
１１５３ トランジスタ
１１５４ トランジスタ
１１５５ トランジスタ
１１５６ トランジスタ
１１６０ トランジスタ
１１６１ トランジスタ
１１６２ トランジスタ
１１６３ トランジスタ
１１６４ トランジスタ
１１７０ メモリセル
１１７１ トランジスタ
１１７２ トランジスタ
１１７３ 容量素子
１１８０ メモリセル
１１８１ トランジスタ
１１８２ トランジスタ
１１８３ 容量素子
１１８９ ＲＯＭインターフェース
１１９０ 基板
１１９１ ＡＬＵ
１１９２ ＡＬＵコントローラ
１１９３ インストラクションデコーダ
１１９４ インタラプトコントローラ
１１９５ タイミングコントローラ
１１９６ レジスタ
１１９７ レジスタコントローラ
１１９８ バスインターフェース
１１９９ ＲＯＭ
３１００ 表示素子を有する層
３１０１ 第１の基板
３１０２ 第２の基板
３１０３ 第１の偏光板
３１０４ 第２の偏光板
３１０５ 液晶分子
３１０８ 第１の電極
３１０９ 第２の電極
３１０９ａ 第２の電極
３１０９ｂ 第２の電極
３１０９ｃ 第２の電極
３１５０ 電極
３１５０ａ 電極
３１５０ｂ 電極
３１５０ｃ 電極
３１５１ａ 電極
３１５１ｂ 電極
３１５１ｃ 電極
３１５１ 電極
３１５８ 突起物
３１６２ 絶縁膜
３１６３ 絶縁膜
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