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特許 5836557出願番号 特願 2014-187647
シフトレジスタ及び表示装置
出願人 株式会社半導体エネルギー研究所（識別番号 153878）
2026年 特許公開件数ランキング 10位 962件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 18位 723件（※）
公報発行日 2015年12月24
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5836557 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
関する。また、半導体装置を適用した表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器に関
する。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特許文献２に示すようにスタティック駆動で動作させる場合、その動作期間が選択信号を出力する選択期間と、非選択信号を出力する非選択期間とに分かれる。この動作期間
のうちほとんどの期間が非選択期間になる。選択信号が高電位（ハイレベル信号）である
場合には、非選択期間において、出力端子にトランジスタを介して非選択信号（低電位（
ロウレベル信号））を供給している。つまり、出力端子に低電位を供給するためのトラン
ジスタは、回路の動作期間のうちほとんどの期間においてオン状態となっている。 非単結晶半導体を用いて作製されるトランジスタは、オンしている時間や印加する電位に
したがって劣化することが知られている。トランジスタが劣化すると、例えば、しきい値
電圧がプラス側へシフトするしきい値電圧シフトが起こり、回路の動作不良が生じる問題
がある。 また、シフトレジスタ回路やラッチ回路等のデジタル回路は、画素やアナログスイッチ（
例えば、トランスファーゲート）等と違って電流が流れる向きが固定されている場合が多
い。つまり、トランジスタのソースとドレインが固定化されているため、ドレイン側に電
界が集中し、トランジスタが劣化しやすくなっている。 このような問題点に鑑み、トランジスタの劣化を低減することを目的の一とする。又は、
トランジスタの劣化に伴う回路の動作不良を抑制することを目的の一とする。又は、トラ
ンジスタを有する回路の信頼性を向上させることを目的の一とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
良を抑制することができる。 また、本明細書で開示する発明の一態様により、トランジスタを有する回路の信頼性を向
上させることができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】半導体装置の一例を示す図。
【図2】半導体装置及びその動作を説明する図。
【図3】半導体装置及びその動作を説明する図。
【図4】半導体装置及びその動作を説明する図。
【図5】半導体装置の一例を示す図。
【図6】半導体装置の動作の一例を説明する図。
【図7】半導体装置の動作の一例を説明する図。
【図8】半導体装置の動作の一例を説明する図。
【図9】半導体装置の動作の一例を説明する図。
【図10】半導体装置の動作の一例を説明する図。
【図11】半導体装置の動作の一例を説明する図。
【図12】半導体装置の一例を示す図。
【図13】半導体装置の動作の一例を説明する図。
【図14】半導体装置の動作の一例を説明する図。
【図15】半導体装置の動作の一例を説明する図。
【図16】半導体装置の一例を示す図。
【図17】半導体装置の一例を示す図。
【図18】半導体装置の一例を示す図。
【図19】半導体装置の一例を示す図。
【図20】半導体装置の一例を示す図。
【図21】半導体装置の一例を示す図。
【図22】半導体装置の一例を示す図。
【図23】半導体装置の一例を示す図。
【図24】半導体装置の一例を示す図。
【図25】半導体装置の一例を示す図。
【図26】半導体装置の一例を示す図。
【図27】半導体装置の一例を示す図。
【図28】半導体装置の使用形態を示す図。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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