特許5837006IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

光半導体装置の製造方法に関する。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

低コストで大量生産が可能であり、半導体発光素子と同程度に小型化することも可能な光半導体装置の製造方法を提供する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

実施形態によれば、基板の上に複数の発光層を形成する工程と、前記発光層を発光させる電流を流すための複数の柱状の導電部を前記複数の発光層のそれぞれの上に形成する工程と、前記複数の柱状の導電部の間に封止材料を供給して封止層を形成する工程と、前記導電部と前記封止層とを支持体として前記基板を取り除く工程と、を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法が提供される。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1(a)は本光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図1(b)は同図(a)に表した光半導体装置の下面を示す平面図である。

【図2】第1実施形態の第2の具体例を表す模式図である。

【図3】第1実施形態の第3の具体例を表す模式図である。

【図4】第1実施形態の第4の具体例を表す模式図である。

【図5】第1実施形態の第5の具体例を表す模式図である。

【図6】第2光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図1(a)に対応する断面図である。

【図7】第3光半導体装置の概略構成を示す断面図である。

【図8】第4光半導体装置の概略構成を示す断面図である。

【図9】第5光半導体装置の概略構成を示す断面図である。

【図10】第6光半導体装置の概略構成を示す断面図である。

【図11】第7光半導体装置の概略構成を示す断面図である。

【図12】(a)は、第8光半導体装置の概略構成を表す断面図であり、(b)は同図(a)に表した光半導体装置の下面を表す平面図である。

【図13】第9実施形態の光半導体装置の製造方法を表す工程断面図である。

【図14】第9実施形態の光半導体装置の製造方法を表す工程断面図である。

【図15】第9実施形態の光半導体装置の製造方法を表す工程断面図である。

【図16】第10実施形態の光半導体装置の製造方法の一部を表す工程断面図である。

【図17】第11実施形態の光半導体装置の製造方法の一部を表す工程断面図である。

【図18】第12実施形態の光半導体装置の製造方法の一部を表す工程断面図である。

【図19】第13実施形態の光半導体装置の製造方法の一部を表す工程断面図である。

【図20】第14実施形態の光半導体装置の製造方法の一部を表す工程断面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1A〜1G…光半導体装置、2…発光層、4…蛍光層、5…透光層、7a…第1電極、7b…第2電極、8a…第1金属ポスト、8b…第2金属ポスト、10…封止層、11…基板、11a…第1金属層、11b…第2金属層、12…発光層、12A…発光基材、14…導電性膜(シード層)、15…犠牲層(レジスト層)、16…メッキ層、17…封止層(熱硬化樹脂層)、18…透光基材、19,41…蛍光層、21,33,43…金属層、42…透光層、M1…第1主面、M2…第2主面

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