【図1】一類型による光変調器の概略的な構造を示す断面図である。

【図2】光変調器の上部ＤＢＲ層の構造を示す断面図である。

【図3】光変調器についての例示的な実施形態による層構造及び層厚を示す図面である。

【図4】図３に示した実施形態において、光変調器の特性を示すグラフである。

【図5】他の類型による光変調器の概略的な構造を示す断面図である。

【図6】図５に示した光変調器についての例示的な実施形態による層構造及び層厚を示す図面である。

【図7】厚さが異なる二つの量子ウェル層の電界変化による吸収係数の変化をそれぞれ示すグラフである。

【図8】厚さが異なる二つの量子ウェル層を一つの活性層内で共に使用する場合の電界変化による吸収係数の変化を示すグラフである。

【図9】９ｎｍの厚さを有する量子ウェル層のみを使用した場合、８ｎｍの厚さを有する量子ウェル層と、９ｎｍの厚さを有する量子ウェル層とを共に使用した場合において、実際に光発光の帯域幅を測定した結果を示すグラフである。

【図10】単に一種類の量子ウェル層を有する活性層と変形された上部ＤＢＲ層との組み合わせからなる光変調器、及び二種類の量子ウェル層を有する活性層と変形された上部ＤＢＲ層との組み合わせからなる光変調器について、電界印加時と電界非印加時との反射度差△Ｒをそれぞれ示すグラフである。

【図11A】光変調器を製造する過程を例示的に説明するための断面図である。

【図11B】図１１Ａに後続する断面図である。

【図11C】図１１Ｂに後続する断面図である。

【図11D】図１１Ｃに後続する断面図である。

【図11E】図１１Ｄに後続する断面図である。

【図11F】図１１Ｅに後続する断面図である。

【図12】光変調器の電極連結構造を示す平面図である。

【図13】図１２に示した光変調器を一つのセルとして、複数の光変調器セルから構成された光変調器装置を概略的に示す図面である。