発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明が解決しようとする課題は、水分透過量が小さいＳｉ系絶縁膜が回路表面に形成されており、しかも、Ｓｉ系絶縁膜の密着性に優れた薄膜磁気センサの製造方法を提供することにある。
また、本発明が解決しようとする他の課題は、素子部の表面にミクロンオーダーの段差がある場合であっても、Ｓｉ系絶縁膜中にクラックが発生しにくい薄膜磁気センサの製造方法を提供することにある。
また、本発明が解決しようとする他の課題は、密着性及び耐クラック性に優れたＳｉ系絶縁膜が素子部の表面に選択的に形成された薄膜磁気センサの製造方法を提供することにある。
さらに、本発明が解決しようとする他の課題は、素子の耐熱性やＥＳＤ耐性が低い場合であっても、素子の磁気特性を低下させることなくのような特性を備えたＳｉ系絶縁膜を形成することが可能な薄膜磁気センサの製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

電極の表面にフォトレジスト膜を形成した後、基板の表面にＡｌ₂Ｏ₃膜を形成すると、フォトレジスト膜がＡｌ₂Ｏ₃膜で保護される。これと同時に、素子部の上にＡｌ₂Ｏ₃膜が堆積し、素子部の凹凸も軽減される。
この状態でＣａｔ−ＣＶＤ法を用いて基板表面にＳｉ系絶縁膜を形成すると、Ａｌ₂Ｏ₃膜によってフォトレジスト膜が保護されているので、フォトレジスト膜と水素ラジカルの反応が抑制される。その結果、フォトレジスト膜の反応残渣がＳｉ系絶縁膜に取り込まれることがなく、Ｓｉ系絶縁膜の密着性が向上する。また、Ａｌ₂Ｏ₃膜によって素子部表面の凹凸が軽減されているので、Ｓｉ系絶縁膜の残留応力が軽減される。その結果、Ｓｉ系絶縁膜中のクラックの発生を抑制することができる。
さらに、Ｓｉ系絶縁膜を形成する際に基板が過度に加熱されることがないので、フォトレジスト膜の溶剤による除去も容易化する。また、素子の耐熱性やＥＳＤ耐性が低い場合であっても、素子の磁気特性を低下させることもない。