【図1】本発明の製造方法によって形成されたリチウム二次電池用負極の基板面と垂直方向の断面模式図（Ａは充電前、Ｂは充電後）である。

【図2】本発明の製造方法によって形成されたリチウム二次電池用負極の基板面と垂直方向の断面の図面代用透過型電子顕微鏡写真である。

【図3】カーボンナノチップス層の形成に用いるプラズマＣＶＤ装置の一形態を示す断面模式図である。

【図4】プラズマＣＶＤ法により、７５０℃（Ａ）及び６００℃（Ｂ）の基板温度でＳＵＳ３０４ステンレス鋼板上に成長させたカーボンナノチップス層のグラファイト のラマンスペクトルのチャートである。

【図5】プラズマＣＶＤ法により、ＳＵＳ３０４ステンレス鋼板上に成長させたカーボンナノチップス層を基板面上方から見た図面代用電子顕微鏡写真である。

【図6】カーボンナノチップス層の図面代用透過型電子顕微鏡写真（ＴＥＭ明視野像；×２４万倍）である。

【図7】カーボンナノチップス層の図面代用透過型電子顕微鏡写真（図６の右側点線の囲み部分；×２００万倍）である。

【図8】カーボンナノチップス層の透過型電子顕微鏡における電子線回折像（図７のポイントＡ、Ｂのナノビーム電子回折像、ビーム径：約５ｎｍφ及び図６のポイントＣの制限視野電子回折像、制限視野領域：約６００ｎｍφ、カメラ定数L・λ−２０．０６Å・ｍｍ）である。

【図9】実施例１のリチウム二次電池用負極の図面代用電子顕微鏡写真（明視野像；×３万倍）である。

【図10】実施例１のリチウム二次電池用負極の図面代用電子顕微鏡写真（図９のＡの枠の部分の拡大像；×３０万倍）である。

【図11】実施例１のリチウム二次電池用負極の図面代用電子顕微鏡写真（図１０のＢの枠の部分の拡大像；×１２０万倍）である。

【図12】実施例１のリチウム二次電池用負極を用いた電池（ハーフセル）の充放電特性を示すグラフである。

【図13】実施例１のリチウム二次電池用負極を用いた電池（フルセル）の充放電特性を示すグラフである。

【図14】実施例２及び比較例１のリチウム二次電池用負極のシリコン薄膜層を蒸着する前のカーボンナノチップス層のグラファイト及びカーボンナノウォール層のグラファイトについてのラマンスペクトルである。

【図15】実施例２のリチウム二次電池用負極を用いた電池（ハーフセル）の充放電特性を示すグラフである。

【図16】比較例１のリチウム二次電池用負極を用いた電池の充放電特性を示すグラフである。

【図17】実施例２の電池の２回目の充放電特性についての微分曲線のグラフである。

【図18】一般的なリチウム二次電池の断面模式図である。

【図19】実施例２のリチウム二次電池用負極を用いた電池（フルセル）の充放電特性を示すグラフである。

【図20】特許文献１２に記載の負極材料の断面模式図である。