技術分野
電流発生器に関する。本発明はまた、そのような発生器を用いる電圧調整器にも関する。これは特に、集積回路における温度および供給電圧の変化に関して準安定な超低電流の発生に応用される。本発明はまた、入力端における電気エネルギー源の如何に関らず、極めて低いドロップアウト電圧を有する直列方式の安定した電圧調整器の製造に適用される。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
これらのトランスデューサが与える電圧または電流は時間が経っても安定しない。従って、電子部品に直接電力を供給することができない。トランスデューサのような不安定な電源への入力で接続されていて、出力として例えば3ボルトの定格電圧を与える電圧または電流調節器を使用することが知られている。上述のトランスデューサにより生じるエネルギーレベルが低いため、特に集積回路として製造する際の制約を考慮しながら、消費するエネルギーレベルが極めて低く、従ってドロップアウト電圧が極めて低く且つバイアス電流が極めて低い調節器を製造することが必要である。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
従って本発明の目的は、通常は数ナノワットオーダーのナノ電力領域で、最小限の電流を消費する電子集積回路の製造を可能にすることである。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】自律電力供給システムの模式図である。
【図2a-2b】例示的な熱トランスデューサおよびその動作を示す図である。
【図2c】例示的な熱トランスデューサおよびその動作を示す図である。
【図3】自律エネルギー源として少なくとも1個のトランスデューサを用いて連続的に調整を行なう自律電力供給システムをより詳細に示す図である。
【図4a-4b】従来技術による極めて低電流の発生例を示す図である。
【図4c-4d】従来技術による極めて低電流の発生例を示す図である。
【図5】本発明で用いる電流を発生させる例示的な回路である。
【図6】電界効果トランジスタの構造を示す参考図である。
【図7】本発明による装置で用いる超長チャネルを有する電界効果トランジスタを示す図である。
【図8a-8b】本発明による発生器で用いる超長チャネルを有する電界効果トランジスタの実施形態をより詳細に示すトポグラフィ図および断面図である。
【図9】本発明による調整器の例示的な実施形態である。
【図10】本発明による調整器の例示的な別の実施形態である。
【図11】自律エネルギー源としてのゼーベック効果熱トランスデューサを有する用途の電圧曲線を示す図である。
1 トランスデューサ
2 コンバータ
3 蓄電素子
4 調整器
10 第2トランスデューサ
21 水
22 空気
23 熱絶縁材
24 熱電素子
25 金属壁
26 空気流
28 第1の曲線
29 第2の曲線
30 第2コンデンサ
31 ダイオード回路
32 MOS型トランジスタ
33 演算増幅器
34 センサ
35 基準電圧
36 回路
37 エネルギー管理セル
41 電流ミラー
61,62 ドープ領域
63 シリコン塊
64 ゲート
71 ソース
72 チャネル
73 ドレイン
74 N+ドープ井戸
75 P−ドープ基板
81 P+ドープ壁
90 部分
91 コンデンサ
92 抵抗
93 演算増幅器
98 分岐
99 トランジスタ
101 レイアウト
102 電圧レベル
111,112,113 曲線
201 離陸フェーズ
202 巡航フェーズ
203 着陸フェーズ
271 第1の曲線
272 第2の曲線
611,621 金属界面
901,902 電圧レベル
A 箇所
L 長さ
R1,R2 抵抗
N1,N’1,N2,N’2,N3,N3R,N4,N5,N10,N11,N12,P1,P2,P3,P4、P10、P11,P12 トランジスタ
W 幅
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