発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

従来の技術では、半導体装置のｎ型半導体層に電極層（第１の電極層）を形成し、ｐ型半導体層に電極層（第２の電極層）を形成する場合に、第１の電極層および第２の電極層のそれぞれを形成するためのフォトリソグラフィの重ね合わせ精度に応じて、第１の電極層と第２の電極層とを離隔して形成する必要があり、半導体装置の微細化が制限されるという問題があった。また、従来の技術では、耐圧性能をはじめとする性能面に関し、さらなる向上の余地があった。そのほか、従来の半導体装置においては、製造の容易化、省資源化、使い勝手の向上、耐久性の向上などが望まれていた。なお、このような課題は、主として窒化ガリウム（ＧａＮ）により形成されたｐ型半導体層およびｎ型半導体層を備える半導体装置に限らず、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）のような他の材料により形成されたｐ型半導体層およびｎ型半導体層を備える半導体装置にも共通する課題であった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、半導体装置の第１の電極層と第２の電極層とが積層されるように形成されていることから、合わせ余裕をとる必要がなくなるため、電極周辺部分を微細化することができ、その結果、半導体装置を小型化することができ、半導体装置の製造コストを低減することができる。また、本発明によれば、半導体装置の第２の電極層が、ｐ型半導体層とｎ型半導体層との接合界面における外周線の内の第２の電極層とｐ型半導体層との界面側の線である接続線よりも制御電極層側の位置までｎ型半導体層の表面上を延伸するように形成されていることから、高電圧印加時に制御電極層付近で形成される正孔が第２の電極層によって効果的に引き抜かれるため、耐圧性能を向上させることができる。