【図1】図１は、複数のシリコンボードが接合された３次元積層体を示す断面図である。

【図2】図２は、本発明に従った、溶融されたはんだそのものを用いてシリコンボードの貫通孔にシリコン貫通配線（ＴＳＶ）を形成する方法を示す模式図である。

【図3】図３は、本発明に従った、シリコンボードの貫通孔の内部の表面に金属層を堆積させた構造および金属層以外の部分については金属間化合物（ＩＭＣ）を形成させた構造について説明する図である。

【図4】図４は、本発明に従った、金属層の表皮効果について説明する図である。

【図5】図５は、貫通孔の内部に金属（Ｃｕ）の微粉を入れるプロセスを説明するイメージ図である。

【図6】図６は、従来技術におけるめっき工程の一例を示すものである。

【図7】図７は、微小な金属粒子を利用した従来技術を説明する図である。