【図1】多因子癌細胞特異的増殖制御型アデノウイルス（m-CRA）作製に用いるプラスミドの構造を示す模式図である。

【図2】実施例で用いた（ａ）非増殖型アデノウイルスおよび（ｂ）多因子増殖制御型アデノウイルスの構造を示す模式図である。

【図3】ヒトES細胞（KhES1）およびヒトiPS細胞（253G1および201B7）におけるサバイビン（Survivin）およびTERT遺伝子の発現を示す図である。内部標準としてグリセルアルデヒド3リン酸脱水素酵素（GAPDH）を用いた。

【図4】ヒトES細胞（KhES1）およびヒトiPS細胞（253G1および201B7）におけるサバイビン（Surv）およびTERT遺伝子のプロモーター活性を示す図である。各カラム左からサバイビンプロモーター、TERTプロモーター、RSVプロモーターおよびCMVプロモーターの制御下にあるlacZ遺伝子の発現を示す。No Virusはウイルス非感染を示す。

【図5-1】ヒトiPS細胞（253G1）に二種類のm-CRA（TERT.m-CRA、Survivin.m-CRA）または非増殖型アデノウイルスベクター(Ad.CA-EGFP)をMOI（Multiplicity of infection; 感染多重度；細胞一個当たりの感染性ウイルス数） 3（左）、またはMOI 10（右）で感染させた場合の、ウイルス感染1日後（Day1）、2日後（Day2）、3日後（Day3）、4日後（Day4）、7日後（Day7）における非感染細胞（No Virus）に対するウイルス感染細胞の生細胞の割合（Viability (% of non-treated control)）を示す図である。

【図5-2】ヒトiPS細胞（201B7）に二種類のm-CRA（TERT.m-CRA、Survivin.m-CRA）または非増殖型アデノウイルスベクター(Ad.CA-EGFP)をMOI 3（左）、またはMOI 10（右）で感染させた場合の、ウイルス感染1日後（Day1）、2日後（Day2）、3日後（Day3）、4日後（Day4）、7日後（Day7）における非感染細胞（No Virus）に対するウイルス感染細胞の生細胞の割合（Viability (% of non-treated control)）を示す図である。

【図5-3】ヒトES細胞（KhES1）に二種類のm-CRA（TERT.m-CRA、Survivin.m-CRA）または非増殖型アデノウイルスベクター(Ad.CA-EGFP)をMOI 3（左）、またはMOI 10（右）で感染させた場合の、ウイルス感染1日後（Day1）、2日後（Day2）、3日後（Day3）、4日後（Day4）、7日後（Day7）における非感染細胞（No Virus）に対するウイルス感染細胞の生細胞の割合（Viability (% of non-treated control)）を示す図である。

【図6】ヒトES細胞（KhES1; 図６ａ）、ヒトiPS細胞（201B7; 図６ｂおよび253G1; 図６ｃ）に自発的な分化を誘導して1週間後に、m-CRA（TERT.m-CRA、Survivin.m-CRA）または非増殖型アデノウイルスベクター（Ad.dE1.3）をMOI 10で感染させ、残存未分化細胞が増殖できる環境下で2週間培養した後に出現するアルカリフォスファターゼ陽性細胞（未分化細胞）のコロニー数を示す図である。No virusはウイルス非感染を示す。

【図7】自発的な分化誘導後のヒトES細胞（KhES1）およびヒトiPS細胞（253G1および201B7）における、NanogおよびOct3/4（未分化マーカー）、Nestin（外胚葉マーカー）、GATA4（内胚葉マーカー）、Brachyury（中胚葉マーカー）、サバイビンおよびTERT遺伝子の発現を示す図である。内部標準としてGAPDHを用いた。

【図8】25日間分化誘導を行った後m-CRA（TERT.m-CRA、Survivin.m-CRA）または非増殖型アデノウイルスベクター（Ad.CA-EGFP）を感染させたヒトES細胞（KhES1）における、感染2日後（day2）（図８ａ）および3日後（day3）（図８ｂ）の細胞の様子とEGFP発現の観察結果を示す図である。

【図9-1】ヒトiPS細胞（201B7）から胚様体（EB）形成を誘導後15日目（Day15）にm-CRA（TERT.m-CRA、Survivin.m-CRA）または非増殖型アデノウイルスベクター（Ad.CA-EGFP）をMOI 10で感染させ、感染翌日（day16）から6日目（day21）までの細胞の様子とEGFP発現の観察結果を示す図である。

【図9-2】ヒトiPS細胞（253G1）から胚様体（EB）形成を誘導後15日目（Day15）にm-CRA（TERT.m-CRA、Survivin.m-CRA）または非増殖型アデノウイルスベクター（Ad.CA-EGFP）をMOI 10で感染させ、感染翌日（day16）から6日目（day21）までの細胞の様子とEGFP発現の観察結果を示す図である。

【図9-3】ヒトES細胞（KhES1）から胚様体（EB）形成を誘導後15日目（Day15）にm-CRA（TERT.m-CRA、Survivin.m-CRA）または非増殖型アデノウイルスベクター（Ad.CA-EGFP）をMOI 10で感染させ、感染翌日（day16）から6日目（day21）までの細胞の様子とEGFP発現の観察結果を示す図である。

【図10】胚様体形成法による分化誘導後0（day0）、7（day7）、15（day15）および22日目（day22：15日目にm-CRA（TERT.m-CRA、Survivin.m-CRA）または非増殖型アデノウイルスベクター（Ad.CA-EGFP）をMOI 10で感染）のヒトES細胞（KhES1）における、NanogおよびOct4（未分化マーカー）、TP63（外胚葉系のマーカー）、GATA4（内胚葉系のマーカー）、サバイビンおよびTERT遺伝子の発現を示す図である。内部標準としてGAPDHを用いた。