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公報発行日 2016年12月21
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【図1】本発明の態様に係るジョセフソン磁気メモリセルシステムの実施例を示す。
【図2】本発明の態様に係るヒステリシス磁気ジョセフソン接合(HMJJ)の実施例を示す。
【図3】本発明の態様に係るHMJJの2つの状態の略図の一例を示す。
【図4】本発明の態様に係るHMJJの2つの状態の略図の別の例を示す。
【図5】本発明の態様に係るHMJJの別の実施例を示す。
【図6】本発明の態様に係るHMJJの2つの状態の略図のさらに別の例を示す。
【図7】本発明の態様に係るジョセフソン磁気ランダムアクセスメモリ(JMRAM)システムの実施例を示す。
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