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特許 6049513出願番号 特願 2013-62034
半導体発光素子の製造方法
出願人 スタンレー電気株式会社（識別番号 2303）
2026年 特許公開件数ランキング 245位 110件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 307位 77件（※）
公報発行日 2016年12月21
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6049513 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体発光素子の製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一目的は、多重量子井戸構造の発光層を有するＧａＮ系半導体発光素子の新規な製造方法を提供することである。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一観点によれば、
成長基板上方に、ｎ型ＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
前記ｎ型ＧａＮ系半導体層上に、発光層を形成する工程と、
前記発光層上に、ｐ型ＧａＮ系半導体層を形成する工程と
を有し、
前記発光層を形成する工程は、
前記ｎ型ＧａＮ系半導体層側からＩｎＧａＮ部分障壁層とＧａＮ部分障壁層とが積層されたＩｎＧａＮ／ＧａＮ障壁層と、ＩｎＧａＮ井戸層とを交互に成長さ・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
例えば、ＧａＮ部分障壁層成長に続くＩｎＧａＮ井戸層の成長時、有機インジウム原料の供給再開と同時にキャリアガスをＮ２に切り替える製造方法に比べて、形成される素子の特性向上が図られる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図１は、ＭＯＣＶＤ装置の概略断面図である。
【図2】図２Ａは、実施例による半導体発光素子の概略断面図であり、図２Ｂは、実施例による発光層の積層構造を示す概略断面図である。
【図3】図３は、実施例による発光層の形成工程を示す概略的なタイミングチャートである。
【図4】図４は、比較例による発光層の形成工程を示す概略的なタイミングチャートである。
【図5】図５Ａ及び図５Ｂはそれぞれ、実施例及び比較例による発光素子のＰＬ強度と発光波長との関係を示すグラフである。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１ 反応容器
２ カーボンサセプタ
３ 成長基板
４ ヒータ
５ 熱電対（または放射温度計）
６ ヒータ電源
７ フローチャネル（反応ガス噴射管）
８ａ〜８ｄ ガス供給系
９ａ〜９ｄ ガス流量調整装置
１０ａ、１０ｂ バルブ
１１ 制御装置
１２ 圧力計
１３ 圧力制御弁
１４ 排気ポンプ
２１ サファイア基板
２２ ＧａＮバッファ層
２３ アンドープＧａＮ層
２４ ｎ型ＧａＮ層
２５ ＳＬＳ層
２６ 発光層
２６Ａ ＩｎＧａＮ第１障壁層
２６Ｂ ＩｎＧａＮ井戸層
２６Ｃ 積層障壁層
２６Ｃ１ ＩｎＧａＮ部分障壁層
２６Ｃ２ ＧａＮ部分障壁層
２７ ｐ型ＡｌＧａＮ層
２８ ｐ＋型ＧａＮ層
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