特許6053415IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体装置に関し、特に、電力用の半導体装置に関するものである。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、従来の半導体装置では、次のような問題点があった。すなわち、半導体装置では、終端構造部において、ガードリング領域とチャネルストッパ領域との間の領域に、絶縁体領域が形成されている。このため、終端構造部の領域が拡大してしまうという問題があった。 本発明は問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、終端構造部を拡大させることなく耐圧が十分に確保される半導体装置を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明に係る一の半導体装置は、第1導電型の半導体基板と素子形成領域と電界緩和領域と絶縁性の保護膜とを有している。第1導電型の半導体基板は、互いに対向する第1主表面および第2主表面を有する。素子形成領域は、半導体基板の第1主表面側における所定の領域に形成され、第1主表面の側と第2主表面の側との間で電流の導通を図る所定の半導体素子が配置される。電界緩和領域は、半導体基板の第1主表面側における、素・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明に係る一の半導体装置および他の半導体装置によれば、終端構造部としての電界緩和領域を拡大させることなく耐圧を十分に確保することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の断面図である。

【図2】同実施の形態において、半導体装置の動作を説明するための第1の断面図である。

【図3】同実施の形態において、半導体装置の動作を説明するための第2の断面図である。

【図4】比較例に係る半導体装置の断面図である。

【図5】比較例に係る半導体装置の問題点を説明するための部分断面図である。

【図6】同実施の形態において、半導体装置の作用効果を説明するための部分断面図である。

【図7】同実施の形態において、変形例1に係る半導体装置の断面図である。

【図8】同実施の形態において、変形例1に係る半導体装置の作用効果を説明するための部分断面図である。

【図9】同実施の形態において、変形例2に係る半導体装置の断面図である。

【図10】同実施の形態において、変形例2に係る半導体装置の作用効果を説明するための部分断面図である。

【図11】同実施の形態において、変形例3に係る半導体装置の断面図である。

【図12】同実施の形態において、変形例3に係る半導体装置の作用効果を説明するための部分断面図である。

【図13】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の断面図である。

【図14】同実施の形態において、半導体装置の作用効果を説明するための部分断面図である。

【図15】同実施の形態において、変形例1に係る半導体装置の断面図である。

【図16】同実施の形態において、変形例1に係る半導体装置の作用効果を説明するための部分断面図である。

【図17】同実施の形態において、変形例2に係る半導体装置の断面図である。

【図18】同実施の形態において、変形例2に係る半導体装置の作用効果を説明するための部分断面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1 半導体装置、2 半導体基板、3 n−層、4 n+バッファ層、5 p+コレクタ層、6 コレクタ電極、10 活性領域、11 IGBT、12 トレンチ、13 Pベース層、14 n+エミッタ層、15 ゲート酸化膜、16 ゲート埋め込み電極、17 エミッタ電極、20 終端構造部、21 ガードリング領域、22 チャネルストッパ領域、23 リサーフ層、26 多孔質酸化膜領域、27、27a、27b、27c、27d フローティング電極、28 トレンチ、30 第1絶縁膜、31 第2絶縁膜、41 電荷。

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