【図1】本固体撮像装置の構成を示す図である。

【図2】図１におけるII−II線に沿った断面構成を説明するための図である。

【図3】図２におけるIII−III線に沿った断面構成を説明するための図である。

【図4】半導体基板のみを抜き出して示す説明図である。

【図5】層間絶縁膜のみを抜き出して示す説明図である。

【図6】本固体撮像装置の製造過程を示す図である。

【図7】本固体撮像装置の製造過程を示す図である。

【図8】本固体撮像装置の製造過程を示す図である。

【図9】本固体撮像装置の製造過程を示す図である。

【図10】本固体撮像装置の製造過程を示す図である。

【図11】本固体撮像装置の製造過程を示す図である。

【図12】実施例１における、波長（ｎｍ）と量子効率（Ｑ.Ｅ.）（％）との関係を示すグラフである。

【図13】比較例１における、波長（ｎｍ）と量子効率（Ｑ.Ｅ.）（％）との関係を示すグラフである。

【図14】各波長における量子効率のばらつきを示すグラフである。

【図15】比較例３における、凹凸面の形状を説明するための図である。

【図16】実施例２での各サンプル１〜３における、波長（ｎｍ）と反射率（％）との関係を示すグラフである。

【図17】比較例２での各サンプル４〜６における、波長（ｎｍ）と反射率（％）との関係を示すグラフである。

【図18】比較例３での各サンプル７〜９における、波長（ｎｍ）と反射率（％）との関係を示すグラフである。

【図19】各波長における反射率のばらつき（最大値と最小値との差）を示すグラフである。

【図20】本実施形態の変形例に係る固体撮像装置を説明するための図である。

【図21】本実施形態の変形例に係る固体撮像装置を説明するための図である。