【図1】従来の横方向ＤＭＯＳトランジスタ１００の例を説明する断面図である。

【図2】従来のＵｄｒｅａのＤＭＯＳトランジスタ２００の例を説明する断面図である。

【図3】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタ３００の例を説明する断面図である。

【図4】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタ３００の動作を更に説明するグラフである。

【図5A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図5B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図５Ａの５Ｂ―５Ｂの線に沿った断面図である。

【図5C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図５Ａの５Ｃ―５Ｃの線に沿った断面図である。

【図6A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図6B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図６Ａの６Ｂ―６Ｂの線に沿った断面図である。

【図6C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図６Ａの６Ｃ―６Ｃの線に沿った断面図である。

【図7A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図7B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図７Ａの７Ｂ―７Ｂの線に沿った断面図である。

【図7C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図７Ａの７Ｃ―７Ｃの線に沿った断面図である。

【図8A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図8B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図８Ａの８Ｂ―８Ｂの線に沿った断面図である。

【図8C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図８Ａの８Ｃ―８Ｃの線に沿った断面図である。

【図9A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図9B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図９Ａの９Ｂ―９Ｂの線に沿った断面図である。

【図9C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図９Ａの９Ｃ―９Ｃの線に沿った断面図である。

【図10A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図10B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１０Ａの１０Ｂ―１０Ｂの線に沿った断面図である。

【図10C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１０Ａの１０Ｃ―１０Ｃの線に沿った断面図である。

【図11A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図11B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１１Ａの１１Ｂ―１１Ｂの線に沿った断面図である。

【図11C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１１Ａの１１Ｃ―１１Ｃの線に沿った断面図である。

【図12A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図12B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１２Ａの１２Ｂ―１２Ｂの線に沿った断面図である。

【図12C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１２Ａの１２Ｃ―１２Ｃの線に沿った断面図である。

【図13A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図13B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１３Ａの１３Ｂ―１３Ｂの線に沿った断面図である。

【図13C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１３Ａの１３Ｃ―１３Ｃの線に沿った断面図である。

【図14A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図14B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１４Ａの１４Ｂ―１４Ｂの線に沿った断面図である。

【図14C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１４Ａの１４Ｃ―１４Ｃの線に沿った断面図である。

【図15A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図15B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１５Ａの１５Ｂ―１５Ｂの線に沿った断面図である。

【図15C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１５Ａの１５Ｃ―１５Ｃの線に沿った断面図である。

【図16A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図16B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１６Ａの１６Ｂ―１６Ｂの線に沿った断面図である。

【図16C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１６Ａの１６Ｃ―１６Ｃの線に沿った断面図である。

【図17A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図17B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１７Ａの１７Ｂ―１７Ｂの線に沿った断面図である。

【図17C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１７Ａの１７Ｃ―１７Ｃの線に沿った断面図である。

【図18A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図18B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１８Ａの１８Ｂ―１８Ｂの線に沿った断面図である。

【図18C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１８Ａの１８Ｃ―１８Ｃの線に沿った断面図である。

【図19A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する平面図である。

【図19B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１９Ａの１９Ｂ―１９Ｂの線に沿った断面図である。

【図19C】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタを形成する方法を説明する、図１９Ａの１９Ｃ―１９Ｃの線に沿った断面図である。

【図20】本発明の代替実施形態に従ったＤＭＯＳトランジスタ２０００の例を説明する断面図である。

【図21A】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタ２０００の動作を更に説明するグラフである。

【図21B】本発明に従ったＤＭＯＳトランジスタ２０００の動作を更に説明するグラフである。