【図1】図１は、一実施例に従って形成された電力トランジスタモジュールの斜視図である。

【図2】図２は、本発明の一実施例に従った電力トランジスタモジュールの製造に用いることができる、クリップアレイにおける第１及び第２のクリップを示す。

【図3】図３は、クリップアレイにおける第１のクリップ及び第２のクリップのアレイのインスタンスを示す。

【図4】図４は、代替の実施例に従って形成された電力トランジスタモジュールの斜視図である。

【図5】図５は、代替の実施例の電力トランジスタを示す。

【図6】図６は、代替の実施例の電力トランジスタを示す。

【図7A】図７Ａは、異なるクリップ構成を備えた電力トランジスタモジュールにおける一実施例に従って形成された電力トランジスタのインスタンスを示す

【図7B】図７Ｂは、異なるクリップ構成を備えた電力トランジスタモジュールにおける一実施例に従って形成された電力トランジスタのインスタンスを示す。

【図8】図８は、同等のゲート・ソースバイアスを、ソースダウン構成のｎチャネルＭＯＳ電力トランジスタを備えた電力トランジスタモジュールの第１のゲートセグメント及び第２のゲートセグメントに提供するための補償回路を示す。

【図9】図９は、同等のゲート・ソースバイアスを、ソースダウン構成のｎチャネルＭＯＳ電力トランジスタを備えた電力トランジスタモジュールの第１のゲートセグメント及び第２のゲートセグメントに提供するための補償回路を示す。

【図10】図１０は、積層された構成の２つの電力トランジスタを含む電力トランジスタモジュールの斜視図である。