特許 6117779出願番号特願 2014-518988
メモリセルプログラミング装置およびメモリセルプログラミング方法

出願人マイクロン　テクノロジー，　インク．（識別番号 595168543）

2026年特許公開件数ランキング 566位 35件（※）

2026年特許取得件数ランキング 2285位 5件（※）

公報発行日　2017年4月19

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6117779　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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概して、メモリに関し、特に１つ以上の実施形態では、メモリセルをプログラミングすること

【図1】本開示の一実施形態による方法のフローチャートである。

【図2】図１の方法によってプログラミングされる単一レベルセルメモリに関する閾値電圧レベルのグラフである。

【図3】図１の方法によってプログラミングされる多重レベルセルメモリに関する閾値電圧レベルのグラフである。

【図4】本開示の別の実施形態による方法のフローチャートである。

【図5】図４の方法によってプログラミングされるメモリに関する閾値電圧レベルのグラフである。

【図6】本開示の別の実施形態による方法のフローチャートである。

【図7】本開示の一実施形態による電子システムの概略ブロック図である。

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