【図1】図１は、１１０℃にてｄ−ＴＣＥ中でのＰ１ｂ、Ｐ２ｂおよびＰ３ｂの^１Ｈ ＮＭＲスペクトルのパネルである。

【図2】図２は、（ａ）２５℃にてｏ−ＤＣＢ溶液中、および（ｂ）キャスティング膜としての、Ｐ１ａ、Ｐ２ａおよびＰ３ａの紫外−可視スペクトルのパネルである。

【図3】図３は、不動態化層としてＰＰＣＢを有するＰ１ａをベースとするＦＥＴデバイスの出力（ａ）および移動（ｂ）の特徴を示すパネルである。

【図4a】図４は、２５℃または１１０℃でのｏ−ＤＣＢ溶液中、およびキャスティングしている（ａ．ｃ．）または１１０℃で１５分間熱アニーリング（ｔ．ａ．）後の膜における、ポリマー（ａ）Ｐ１ａ、（ｂ）Ｐ１ｂ、（ｃ）Ｐ２ａ、（ｄ）Ｐ２ｂ、（ｅ）Ｐ３ａおよび（ｆ）Ｐ３ｂの紫外−可視スペクトルのパネルである。

【図4b】図４は、２５℃または１１０℃でのｏ−ＤＣＢ溶液中、およびキャスティングしている（ａ．ｃ．）または１１０℃で１５分間熱アニーリング（ｔ．ａ．）後の膜における、ポリマー（ａ）Ｐ１ａ、（ｂ）Ｐ１ｂ、（ｃ）Ｐ２ａ、（ｄ）Ｐ２ｂ、（ｅ）Ｐ３ａおよび（ｆ）Ｐ３ｂの紫外−可視スペクトルのパネルである。

【図4c】図４は、２５℃または１１０℃でのｏ−ＤＣＢ溶液中、およびキャスティングしている（ａ．ｃ．）または１１０℃で１５分間熱アニーリング（ｔ．ａ．）後の膜における、ポリマー（ａ）Ｐ１ａ、（ｂ）Ｐ１ｂ、（ｃ）Ｐ２ａ、（ｄ）Ｐ２ｂ、（ｅ）Ｐ３ａおよび（ｆ）Ｐ３ｂの紫外−可視スペクトルのパネルである。

【図4d】図４は、２５℃または１１０℃でのｏ−ＤＣＢ溶液中、およびキャスティングしている（ａ．ｃ．）または１１０℃で１５分間熱アニーリング（ｔ．ａ．）後の膜における、ポリマー（ａ）Ｐ１ａ、（ｂ）Ｐ１ｂ、（ｃ）Ｐ２ａ、（ｄ）Ｐ２ｂ、（ｅ）Ｐ３ａおよび（ｆ）Ｐ３ｂの紫外−可視スペクトルのパネルである。

【図4e】図４は、２５℃または１１０℃でのｏ−ＤＣＢ溶液中、およびキャスティングしている（ａ．ｃ．）または１１０℃で１５分間熱アニーリング（ｔ．ａ．）後の膜における、ポリマー（ａ）Ｐ１ａ、（ｂ）Ｐ１ｂ、（ｃ）Ｐ２ａ、（ｄ）Ｐ２ｂ、（ｅ）Ｐ３ａおよび（ｆ）Ｐ３ｂの紫外−可視スペクトルのパネルである。

【図4f】図４は、２５℃または１１０℃でのｏ−ＤＣＢ溶液中、およびキャスティングしている（ａ．ｃ．）または１１０℃で１５分間熱アニーリング（ｔ．ａ．）後の膜における、ポリマー（ａ）Ｐ１ａ、（ｂ）Ｐ１ｂ、（ｃ）Ｐ２ａ、（ｄ）Ｐ２ｂ、（ｅ）Ｐ３ａおよび（ｆ）Ｐ３ｂの紫外−可視スペクトルのパネルである。

【図5】図５は、Ｃ１２側鎖（ａ）およびＣ１６側鎖（ｂ）を有するポリマーのＤＳＣ曲線のパネルである。

【図6】図６は、Ｃ１２側鎖（ａ）およびＣ１６側鎖（ｂ）を有するポリマーのＣＶ曲線のパネルである。

【図7】図７は、ＰＰＣＢ不動態化を伴うデバイス構造の概略図である。

【図8】図８は、ＯＴＳ−８不動態化を伴うデバイス構造の概略図である。

【図9】図９は、ボトムゲート、ボトムコンタクトデバイス構造の概略図である。

【図10】図１０は、溶離液としてクロロホルムを伴うコポリマーのＧＰＣプロファイルの合成図である。

【図11】図１１は、コポリマーのＤＳＣ特徴の合成図である。

【図12】図１２は、ＰＩＰＴ−ＲＧおよびＰＩＰＴ−ＲＡ膜（厚さ、約３０ｎｍ）の紫外−可視スペクトルの合成図である。

【図13a】図１３は、ポリマー膜の（ａ）ＣＶ曲線および（ｂ）ＵＰＳ測定のパネルである。

【図13b】図１３は、ポリマー膜の（ａ）ＣＶ曲線および（ｂ）ＵＰＳ測定のパネルである。

【図14a】図１４は、室温での（（ａ）および（ｄ））、１００℃で１０分間熱アニーリングした（（ｂ）および（ｅ））、ならびに１５０℃で１０分間熱アニーリングした（（ｃ）および（ｆ））、ＰＩＰＴ−ＲＧ（黒色の点）およびＰＩＰＴ−ＲＡ（赤色の点）をベースとするＦＥＴについての出力および移動の特徴（Ｖ_Ｄ＝−６０Ｖ）のパネルである。チャネルＬ＝２０μｍ、Ｗ＝１ｍｍを有するＦＥＴ。

【図14b】図１４は、室温での（（ａ）および（ｄ））、１００℃で１０分間熱アニーリングした（（ｂ）および（ｅ））、ならびに１５０℃で１０分間熱アニーリングした（（ｃ）および（ｆ））、ＰＩＰＴ−ＲＧ（黒色の点）およびＰＩＰＴ−ＲＡ（赤色の点）をベースとするＦＥＴについての出力および移動の特徴（Ｖ_Ｄ＝−６０Ｖ）のパネルである。チャネルＬ＝２０μｍ、Ｗ＝１ｍｍを有するＦＥＴ。

【図14c】図１４は、室温での（（ａ）および（ｄ））、１００℃で１０分間熱アニーリングした（（ｂ）および（ｅ））、ならびに１５０℃で１０分間熱アニーリングした（（ｃ）および（ｆ））、ＰＩＰＴ−ＲＧ（黒色の点）およびＰＩＰＴ−ＲＡ（赤色の点）をベースとするＦＥＴについての出力および移動の特徴（Ｖ_Ｄ＝−６０Ｖ）のパネルである。チャネルＬ＝２０μｍ、Ｗ＝１ｍｍを有するＦＥＴ。

【図14d】図１４は、室温での（（ａ）および（ｄ））、１００℃で１０分間熱アニーリングした（（ｂ）および（ｅ））、ならびに１５０℃で１０分間熱アニーリングした（（ｃ）および（ｆ））、ＰＩＰＴ−ＲＧ（黒色の点）およびＰＩＰＴ−ＲＡ（赤色の点）をベースとするＦＥＴについての出力および移動の特徴（Ｖ_Ｄ＝−６０Ｖ）のパネルである。チャネルＬ＝２０μｍ、Ｗ＝１ｍｍを有するＦＥＴ。

【図14e】図１４は、室温での（（ａ）および（ｄ））、１００℃で１０分間熱アニーリングした（（ｂ）および（ｅ））、ならびに１５０℃で１０分間熱アニーリングした（（ｃ）および（ｆ））、ＰＩＰＴ−ＲＧ（黒色の点）およびＰＩＰＴ−ＲＡ（赤色の点）をベースとするＦＥＴについての出力および移動の特徴（Ｖ_Ｄ＝−６０Ｖ）のパネルである。チャネルＬ＝２０μｍ、Ｗ＝１ｍｍを有するＦＥＴ。

【図14f】図１４は、室温での（（ａ）および（ｄ））、１００℃で１０分間熱アニーリングした（（ｂ）および（ｅ））、ならびに１５０℃で１０分間熱アニーリングした（（ｃ）および（ｆ））、ＰＩＰＴ−ＲＧ（黒色の点）およびＰＩＰＴ−ＲＡ（赤色の点）をベースとするＦＥＴについての出力および移動の特徴（Ｖ_Ｄ＝−６０Ｖ）のパネルである。チャネルＬ＝２０μｍ、Ｗ＝１ｍｍを有するＦＥＴ。

【図15】図１５は、ＰＩＰＴ−ＲＧおよびＰＩＰＴ−ＲＡポリマー膜の斜め入射ＸＲＤの合成図である。

【図16】図１６は、（ａ）ＰＩＰＴ−ＲＧ：ＰＣ_７１ＢＭ（１：４）および（ｂ）ＰＩＰＴ−ＲＡ：ＰＣ_７１ＢＭ（１：４）（ｂ）ブレンド膜のトポグラフィックＡＦＭ画像（２μｍ×２μｍ）のパネルである。

【図17】図１７は、（ａ）ＰＩＰＴ−ＲＧ：ＰＣＢＭ（１：４）および（ｂ）ＰＩＰＴ−ＲＡ：ＰＣＢＭ（１：４）（ｂ）膜のＴＥＭ画像のパネルである。

【図18】図１８は、位置規則性および位置ランダム性ＰＩＰＴポリマーをベースとする熱蒸発によるＭｏＯ_Ｘ ＰＳＣデバイスのＪ−Ｖ特徴（ａ）およびＩＰＣＥ（ｂ）を示すパネルである。

【図19】図１９は、位置規則性および位置ランダム性ＰＩＰＴポリマーをベースとする溶液処理ＭｏＯ_Ｘ ＰＳＣデバイスのＪ−Ｖ特徴（ａ）およびＩＰＣＥ（ｂ）を示すパネルである。

【図20】図２０は、（ａ）ポスト熱アニーリング、および（ｂ）添加物を伴う、デバイスのＪ−Ｖ特徴を示すパネルである。

【図21】図２１は、ＰＩＰＴ−ＲＧポリマーをベースとする逆型構造デバイスのＪ−Ｖ特徴（ａ）およびＩＰＣＥ（ｂ）を示すパネルである。

【図22】図２２は、ＰＳＤＴＰＴＲ−ＥＨ（Ａ）およびＰＳＤＴＰＴ２−ＥＨ（Ｂ）コポリマーをベースとするＰＳＣデバイスの密度−電圧（Ｊ−Ｖ）特徴の合成図である。

【図23】図２３は、ポリマーおよびデシル（トリクロロ）シランの分子構造、ならびにデバイスアーキテクチャを示すパネルである。

【図24】図２４は、（ａ）３５０℃でのアニーリング後の有機ＴＦＴの移動の特徴、および（ｂ）同じＯＴＦＴの出力の特徴を示すパネルである。

【図25】図２５は、（ａ）ＡＦＭのタッピングモードによって得られる３５０℃でのアニーリング後のポリマー膜の高さ画像、および（ｂ）２４（ａ）と関連付けられる相画像の原子間力顕微鏡観察画像である。

【図26a】図２６は、（ａ）様々な温度でのアニーリング後の面外ＸＲＤスペクトル、および（ｂ）関連付けられる面内ＸＲＤのパネルである。

【図26b】図２６は、（ａ）様々な温度でのアニーリング後の面外ＸＲＤスペクトル、および（ｂ）関連付けられる面内ＸＲＤのパネルである。

【図27】図２７は、移動ライン測定によって得られる異なるアニーリング温度でのコンタクト抵抗の合成図である。