2026年 特許公開件数ランキング 393位 60件(※)
2026年 特許取得件数ランキング 496位 37件(※)
2026年 特許公開件数ランキング 3225位 5件(※)
2026年 特許取得件数ランキング 2005位 7件(※)
公報発行日 2017年10月18
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6216598 ログイン済みの方はこのURLへ
[この特許公報を共有したい場合]あなたがログインしてこの特許公報を表示すれば、他の人はログインしなくてもこのURLで見ることができるようになります。
※ 共同出願を含む
知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、この公報の全文を閲覧できます。 ログインはこちら ログイン・ユーザー登録
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
【図1】本発明の一実施の形態に係る単位素子対の模式図(図1(a))及び回路図(図1(b))である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気センサの模式図(図2(a))及び回路図(図2(b))である。
【図3】本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気センサの斜視図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る薄膜磁気センサの模式図(図4(a))及び回路図(図4(b))である。
【図5】(MgF2)x−(FeCo)100-xの電気抵抗率の温度依存性を示す図である。
【図6】(MgF2)x−(FeCo)100-xのMR比の温度依存性を示す図である。
【図7】外部磁場が作用している時の単位素子及び単位素子対の出力電圧の温度依存性を示す図である。
【図8】外部磁場がゼロである時の単位素子対の電気抵抗の温度依存性を示す図である。
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録
[広告欄]
ログインすれば広告は減ります
ログインすれば広告は減ります