技術分野
例えば、発光ダイオード等の半導体素子を搭載するための半導体素子搭載用基板およびそれを備えた半導体装置等に関するものである。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、構成とした場合には、半導体素子搭載用基板の放熱性を向上させるために、絶縁基体の上面に設けられた金属材料からなる接続電極の厚みを厚くすると、半導体素子搭載用基板の放熱性は向上するが、接続電極の熱膨張が大きくなるので、絶縁基体または接続電極上に搭載された半導体素子が熱衝撃等で破壊されやすくなるという問題点があった。
本発明は、の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体素子に電気的に接続される一対の接続電極を絶縁基体内に埋め込むことによって、放熱性を向上させるとともに絶縁基体にクラック等が発生するのを抑制することができる半導体素子搭載用基板およびそれを備えた半導体装置を提供することにある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様に係る半導体素子搭載用基板は、一方の主面に半導体素子の搭載部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体内に埋め込まれて表面が前記絶縁基体の前記一方の主面に露出しており、平面視で前記搭載部に重なるとともに互いに対向するように設けられた、前記半導体素子の電極に電気的に接続される板状体の一対の接続電極と、該接続電極に電気的に接続される外部接続端子とを備えており、前記一対の接続電極は、前記絶縁基・・・ 続きを
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【発明の効果】
本発明の半導体素子搭載用基板によれば、半導体素子に電気的に接続される一対の接続電極を絶縁基体内に埋め込むことによって、放熱性を向上させるとともに絶縁基体にクラック等が発生するのを抑制することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 (a)は、本発明の半導体装置の平面図、(b)は、(a)に示す半導体装置のA−Aにおける断面図、(c)は、(b)に示す半導体装置において符号Bで示された接続電極が対向している領域の拡大図である。
【図2】 (a)は、本発の他の実施形態の半導体装置の断面図、(b)は(a)に示す半導体装置において符号Cで示された接続電極が対向している領域の拡大図である。
【図3】 (a)および(b)は、本発明の他の実施形態の半導体装置の接続電極が対向している領域の拡大図である。
【図4】 (a)および(b)は、本発明の半導体装置の接続電極の配置状態を説明するための平面図である。
1 半導体素子搭載用基板
2 絶縁基体
2a 搭載部
3 接続電極
3a、3b 側面
4 内部配線
5 外部接続端子
6 半導体素子
6a 電極
7 バンプ
10、10A 半導体装置
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