【図1】エッチング方法においてエッチングする構造物を概略的に示す断面図。

【図2】エッチング方法における触媒層形成工程を概略的に示す断面図。

【図3】エッチング方法におけるエッチング工程開始状態を概略的に示す断面図。

【図4】図３に示す状態から一定時間経過後の状態を概略的に示す断面図。

【図5】比較例におけるエッチング工程を概略的に示す断面図。

【図6】半導体チップ製造方法において使用する半導体ウエハを概略的に示す平面図。

【図7】図６に示す半導体ウエハのＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図。

【図8】半導体チップ製造方法における触媒層形成工程を概略的に示す平面図。

【図9】図８に示す半導体ウエハのＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図。

【図10】図６乃至図９に示す方法によって得られる構造の一例を概略的に示す平面図。

【図11】図１０に示す半導体ウエハのＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図。

【図12】樹枝状晶を形成した構造物の断面を示す顕微鏡写真。

【図13】樹枝状晶を形成した構造物の上面を示す顕微鏡写真。

【図14】樹枝状晶を形成した構造物をエッチングして得られる構造物の断面を示す顕微鏡写真。

【図15】樹枝状晶を形成した構造物の断面を示す顕微鏡写真。

【図16】樹枝状晶を形成した構造物の上面を示す顕微鏡写真。

【図17】樹枝状晶を形成した構造物をエッチングして得られる構造物の断面を示す顕微鏡写真。

【図18】触媒層が貴金属粒子からなる構造物の断面を示す顕微鏡写真。

【図19】触媒層が貴金属粒子からなる構造物をエッチングして得られる構造物の断面を示す顕微鏡写真。

【図20】触媒層が貴金属粒子からなる構造物の断面を示す顕微鏡写真。

【図21】触媒層が貴金属粒子からなる構造物をエッチングして得られる構造物の断面を示す顕微鏡写真。