特許6247485IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

液晶表示素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の目的は、たとえば急峻特性に優れた、FFSモードの液晶表示素子を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一観点によれば、1/n Duty(1≦n≦4)で駆動するFFS型の液晶表示素子であって、第1基板と、前記第1基板に対向配置され、意匠表示電極を含む第1電極と、前記第1電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された、短冊状電極部を含む第2電極と、前記第2電極を覆うように、前記絶縁膜上に形成された配向膜とを備える第2基板と、前記第1基板と前記第2基板の間に配置された液晶層とを有し、・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、たとえば急峻特性に優れた、FFSモードの液晶表示素子を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1A及び図1Bは、実施例による液晶表示素子を示す概略的な斜視図であり、図1Cは、実施例による液晶表示素子を示す概略的な断面図である。

【図2】図2Aは、実施例による液晶表示素子の表示領域を示す外観写真であり、図2Bは、第1電極12b1の一部を示す概略的な平面図であり、図2Cは、第2電極12b2の一部を示す概略的な平面図であり、図2Dは、第1電極12b1及び第2電極12b2を、基板11、12法線方向から見た概略的な平面図である。

【図3】簾状電極(第2電極12b2)を示す概略的な平面図である。

【図4】図4は、シミュレーション結果を示すグラフである。

【図5】図5A及び図5Bは、セル厚dが3μm及び4μmの場合の解析結果を示すグラフ及び表である。

【図6】図6A及び図6Bは、セル厚dが5μmの場合の解析結果を示すグラフ及び表である。

【図7】図7は、急峻特性のプレチルト角依存性に関するシミュレーション結果を示すグラフである。

【図8】図8Aは、電圧−透過率特性の実測結果を示すグラフであり、図8Bは、V90/V10及びV10をまとめた表であり、図8Cは、電圧−輝度特性をシミュレートした結果を示すグラフである。

【図9】図9は、実施例と比較例の電圧−透過率特性を示すグラフである。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

11 上側基板   11a 透明基板   11d 配向膜   12 下側基板   12a 透明基板   12b1 第1電極   12b2 第2電極   12c 絶縁膜   12d 配向膜   13 液晶層   14、15 偏光板  

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